水泥基渗透结晶型防水材料的研究 被引量：10

1

作者 唐婵娟 吴笑梅 樊粤明 《广东建材》 2007年第11期48-52,共5页

本文在简单介绍建筑防水材料的基础上,说明了水泥基渗透结晶型防水材料在国内外的发展情况和作用机理,分析了其相对其他材料的优势,并指出了目前研究的不足。以研制出一种新的水泥基渗透结晶型防水材料。

关键词 渗透 结晶 防水 机理

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两种新型支架材料的细胞相容性

2

作者 周嘉安 陈晓峰 张姝江 《中国组织工程研究与临床康复》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1441-1444,共4页

背景:利用骨组织工程原理,通过观察成骨细胞在生物材料上的形态、测定成骨细胞在生物材料上的黏附率等方法,可评估生物支架材料的生物相容性。目的:通过扫描电子显微镜下细胞-生物材料的观察和细胞-生物材料黏附率的测定,探讨骨组织工... 背景:利用骨组织工程原理,通过观察成骨细胞在生物材料上的形态、测定成骨细胞在生物材料上的黏附率等方法,可评估生物支架材料的生物相容性。目的:通过扫描电子显微镜下细胞-生物材料的观察和细胞-生物材料黏附率的测定,探讨骨组织工程材料的细胞相容性。设计、时间及地点:动物实验,成骨细胞形态学观察,于2007-02/2007-09在华南理工大学材料科学与工程学院生物材料研究所教育部重点实验室完成。材料:健康SD乳鼠30只,2种支架材料分别是:复合海藻酸钠和聚乳酸羟基乙酸的磷酸钙骨水泥以及卵磷脂改性聚乳酸羟基乙酸/生物活性玻璃复合支架。方法:取SD乳鼠颅骨成骨细胞,经体外培养、扩增,与两种新型可降解生物活性支架材料进行复合,通过扫描电镜观察细胞形态并测定细胞在生物材料上的黏附率。主要观察指标:观察接种于生物材料表面上的成骨细胞形态、黏附情况,对生物材料生物相容性进行描述。结果:生物活性材料与细胞复合后,材料出现了矿化,同时在海藻酸钠/聚乳酸羟基乙酸磷酸钙骨水泥通过扫描电镜观察发现其上游生长形态良好的成骨细胞;成骨细胞在生物卵磷脂改性聚乳酸羟基乙酸生物活性玻璃上的黏附率最高达到了95.2%。结论:从细胞形态和细胞黏附率上看,海藻酸钠/聚乳酸羟基乙酸磷酸钙骨水泥和生物卵磷脂改性聚乳酸羟基乙酸生物活性玻璃具有较好的生物相容性。 展开更多

关键词 骨组织工程 成骨细胞 生物支架材料 生物相容性

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水泥、粉煤灰及其硬化体中Cr(Ⅵ)溶出条件与其影响因素 被引量：9

3

作者 余其俊 白瑞英 +2 位作者 曾小星 韦江雄 周春英 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1115-1124,共10页

分析了国内外现行的溶出试验方法,研究了不同溶出试验条件对水泥、粉煤灰及其硬化体中Cr(Ⅵ)溶出的影响,探讨了粉煤灰中可溶性Cr(Ⅵ)最大溶出量的测定方法。结果表明:静置时间、温度、液固比、颗粒细度、振荡频率及振荡容器尺寸对水泥... 分析了国内外现行的溶出试验方法,研究了不同溶出试验条件对水泥、粉煤灰及其硬化体中Cr(Ⅵ)溶出的影响,探讨了粉煤灰中可溶性Cr(Ⅵ)最大溶出量的测定方法。结果表明:静置时间、温度、液固比、颗粒细度、振荡频率及振荡容器尺寸对水泥和粉煤灰及其硬化体中Cr(Ⅵ)的溶出及测定都具有一定的影响,其中振荡时间和浸提液pH值的影响较为显著。粉煤灰中Cr(Ⅵ)的溶出是一个缓慢连续的过程,其可溶性Cr(Ⅵ)最大含量的测定以多级萃取溶出试验为宜。 展开更多

关键词 溶出条件 水泥 粉煤灰 六价铬离子

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电迁移作用下SnPb与Ni(P)界面金属间化合物的极性生长 被引量：6

4

作者 陆裕东 何小琦 +2 位作者 恩云飞 王歆 庄志强 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期178-182,共5页

采用球栅阵列封装(BGA)焊点研究共晶SnPb焊点中的电迁移行为,分析了电迁移作用下SnPb焊点与Ni(P)镀层界面金属间化合物(IMC)的极性生长现象,从原子迁移的角度提出了互连焊点微结构演化的微观机理.焊点在焊接过程中形成厚度约为2μm的Ni_... 采用球栅阵列封装(BGA)焊点研究共晶SnPb焊点中的电迁移行为,分析了电迁移作用下SnPb焊点与Ni(P)镀层界面金属间化合物(IMC)的极性生长现象,从原子迁移的角度提出了互连焊点微结构演化的微观机理.焊点在焊接过程中形成厚度约为2μm的Ni_3Sn_4 IMC层,随后的120℃热处理并不会导致界面IMC的明显生长.而电迁移作用下,阳极焊点与镀层界面IMC出现异常生长,同时阴极焊点与镀层界面IMC生长受到抑制,最终在同一焊点中形成极性生长的现象.界面IMC的极性生长与电迁移引起的原子通量有关,Sn原子通量方向与电子流方向相同,而Ni原子通量方向相反,导致阳极界面IMC的异常生长,而相同的原子迁移特性导致阴极界面IMC的生长受到抑制. 展开更多

关键词 SnPb 焊点 金属间化合物 电迁移

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PLGA包埋硫酸庆大霉素缓释微球的制备及体外释放行为 被引量：15

5

作者 谭红香 叶建东 《中国抗生素杂志》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期682-684,696,共4页

以生物可降解乙交酯和丙交酯的无规共聚物(PLGA)为载体,将硫酸庆大霉素分散在PLGA的有机溶液中,采用复乳溶剂挥发法制备了药物缓释微球。研究搅拌速度、PLGA浓度、乳化剂浓度和硫酸庆大霉素溶液体积对微球粒径的影响,观察微球的表面形貌... 以生物可降解乙交酯和丙交酯的无规共聚物(PLGA)为载体,将硫酸庆大霉素分散在PLGA的有机溶液中,采用复乳溶剂挥发法制备了药物缓释微球。研究搅拌速度、PLGA浓度、乳化剂浓度和硫酸庆大霉素溶液体积对微球粒径的影响,观察微球的表面形貌,测定微球粒径、粒径分布和包封率,评价载药微球的体外释放行为。结果表明,采用甲基纤维素为乳化剂制备的微球形态完整,中粒径为(130±30)μm,微球中硫酸庆大霉素的包封率均在36%以上,平均42%,最高达56%。硫酸庆大霉素/PLGA微球具有显著的药物缓释作用,体外释放30d的累积释药率达80%以上。 展开更多

关键词 PLGA微球 硫酸庆大霉素 复乳溶剂挥发法 体外释放

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未掺杂铅酸钡陶瓷的缺陷补偿机理(英文) 被引量：3

6

作者 王歆 陆裕东 庄志强 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期701-704,共4页

用高温平衡电导法研究了未掺杂铅酸钡(BaPbO3)陶瓷的缺陷化学,确定了未掺杂BaPbO3材料的缺陷化学模型,同时,从BaPbO3材料的缺陷结构的角度讨论了热处理气氛对材料室温电导率的影响。BaPbO3材料在实验氧分压范围内呈现p型电导,在高氧分压... 用高温平衡电导法研究了未掺杂铅酸钡(BaPbO3)陶瓷的缺陷化学,确定了未掺杂BaPbO3材料的缺陷化学模型,同时,从BaPbO3材料的缺陷结构的角度讨论了热处理气氛对材料室温电导率的影响。BaPbO3材料在实验氧分压范围内呈现p型电导,在高氧分压下,铅离子(Pb4+)空位和空穴占主导,材料表现出本征缺陷行为。在中氧分压下,受主杂质成为主导缺陷,电荷补偿缺陷为空穴。在低氧分压下,受主杂质的电荷补偿缺陷转变为氧离子空位,还原反应成为电荷补偿缺陷的主要来源。材料室温电导率的变化完全是由于在不同的氧分压环境下材料中主导缺陷的转变和缺陷浓度的变化而引起的。 展开更多

关键词 铅酸钡 缺陷化学 补偿缺陷 受主 平衡电导率

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双面贴装电路板上BGA焊点的潜在失效机理 被引量：2

7

作者 陆裕东 何小琦 +2 位作者 恩云飞 王歆 庄志强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期952-955,共4页

采用双面贴装回流焊工艺在FR4基板表面贴装Sn3.0Ag0.5Cu(SnAgCu)无铅焊点BGA器件,通过对热应力加速实验中失效的SnAgCu无铅BGA焊点的显微结构分析和力学性能检测,研究双面贴装BGA器件的电路板出现互连焊点单面失效问题的原因,单面互连... 采用双面贴装回流焊工艺在FR4基板表面贴装Sn3.0Ag0.5Cu(SnAgCu)无铅焊点BGA器件,通过对热应力加速实验中失效的SnAgCu无铅BGA焊点的显微结构分析和力学性能检测,研究双面贴装BGA器件的电路板出现互连焊点单面失效问题的原因,单面互连焊点失效主要是由于回流焊热处理工艺引起的。多次热处理过程中,NiSnP层中形成的大量空洞是导致焊点沿(Cu,Ni)6Sn5金属间化合物层和Ni(P)镀层产生断裂失效的主要因素。改变回流焊工艺是抑制双面贴装BGA器件的印制电路板出现互连焊点单面失效问题的关键。 展开更多

关键词 锡银铜 无铅 焊点 球栅阵列 失效

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磷酸钙骨水泥负载庆大霉素的制备与性能 被引量：7

8

作者 郜成莹 叶建东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期151-154,共4页

制备了庆大霉素/磷酸钙骨水泥药物缓释体系,研究了药物缓释效果及载入庆大霉素对骨水泥组成、结构与性能的影响。结果表明,庆大霉素/磷酸钙骨水泥体系具有良好的药物缓释效果;随着庆大霉素的载入,骨水泥的凝结时间延长,但当载入量达到5%... 制备了庆大霉素/磷酸钙骨水泥药物缓释体系,研究了药物缓释效果及载入庆大霉素对骨水泥组成、结构与性能的影响。结果表明,庆大霉素/磷酸钙骨水泥体系具有良好的药物缓释效果;随着庆大霉素的载入,骨水泥的凝结时间延长,但当载入量达到5%时,骨水泥的凝结时间又缩短至15min,继续增大药物含量,凝结时间又略有延长。低载药量(1%)时骨水泥的抗压强度有所提高,但再继续增大载药量,体系的抗压强度又逐渐下降。庆大霉素的加入对骨水泥的最终水化产物没有明显影响,水化产物都是弱结晶的羟基磷灰石。庆大霉素的载入量为3%～5%时,庆大霉素/磷酸钙骨水泥缓释体系具有最佳的综合性能。 展开更多

关键词 磷酸钙骨水泥 庆大霉素 药物载体 药物释放

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铅/钡摩尔比对铅酸钡陶瓷薄膜电阻率的影响(英文) 被引量：2

9

作者 陆裕东 王歆 庄志强 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期696-700,共5页

铅酸钡(BaPbO3)导电薄膜是目前最有潜力的锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)铁电器件底电极替代材料之一。用溶胶-凝胶法在氧化铝(Al2O3)基片上旋涂成型BaPbO3薄膜。由于氧化铅(PbO)的高温挥发性,因此有必要研究薄膜中的铅/钡摩尔... 铅酸钡(BaPbO3)导电薄膜是目前最有潜力的锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)铁电器件底电极替代材料之一。用溶胶-凝胶法在氧化铝(Al2O3)基片上旋涂成型BaPbO3薄膜。由于氧化铅(PbO)的高温挥发性,因此有必要研究薄膜中的铅/钡摩尔比与薄膜电阻率之间的关系。实验比较了常规热处理(conventional thermal annealing,CTA)和快速热处理(rapid thermal annealing,RTA)方式,用X射线衍射和能量散射X射线能谱研究了热处理方式和热处理制度对薄膜方阻的影响,分别得到了CTA和RTA热处理条件下BaPbO3薄膜的最低方阻性能,与CTA热处理相比,RTA热处理技术需要更高的热处理温度,因此,CTA热处理技术更为适合BaPbO3薄膜的合成。 展开更多

关键词 铅酸钡 薄膜 溶胶-凝胶 旋涂 热处理 薄膜方阻

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BaPbO_3与BaTiO_3多晶态陶瓷缺陷结构对比 被引量：2

10

作者 陆裕东 王歆 +1 位作者 庄志强 刘勇 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1234-1237,共4页

BaPbO，是具有类金属导电特性的钙钛矿结构导电陶瓷，其晶体结构由Ba2＋和O^2-离子紧密堆积形成，pb^4＋离子占据由O^2-离子形成的八面体空隙。BaTiO3同为钙钛矿结构的陶瓷材料，由Ba^2＋和O^2-离子紧密堆积形成，Ti^4＋离子占据由O^2-... BaPbO，是具有类金属导电特性的钙钛矿结构导电陶瓷，其晶体结构由Ba2＋和O^2-离子紧密堆积形成，pb^4＋离子占据由O^2-离子形成的八面体空隙。BaTiO3同为钙钛矿结构的陶瓷材料，由Ba^2＋和O^2-离子紧密堆积形成，Ti^4＋离子占据由O^2-离子形成的八面体空隙。BaPbO3和BaTiO3的A位离子相同,B位离子都为可变价离子。 展开更多

关键词 BAPBO3 BATIO3 缺陷化学 平衡电导率

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三维封装中引线键合技术的实现与可靠性 被引量：3

11

作者 陆裕东 何小琦 恩云飞 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期710-713,共4页

结合半导体封装的发展,研究了低线弧、叠层键合、引线上芯片、外悬芯片、长距离键合和双面键合6种引线互连封装技术;分析了各种引线键合的技术特点和可靠性。传统的引线键合技术通过不断地改进,成为三维高密度封装中的通用互连技术,新... 结合半导体封装的发展,研究了低线弧、叠层键合、引线上芯片、外悬芯片、长距离键合和双面键合6种引线互连封装技术;分析了各种引线键合的技术特点和可靠性。传统的引线键合技术通过不断地改进,成为三维高密度封装中的通用互连技术,新技术的出现随之会产生一些新的可靠性问题;同时,对相应的失效分析技术也提出了更高的要求。多种互连引线键合技术的综合应用,满足了半导体封装的发展需求;可靠性是技术应用后的首要技术问题。 展开更多

关键词 引线键合 集成电路封装 可靠性 失效分析

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挠性电路板引脚嵌合部无铅镀层的锡须生长 被引量：1

12

作者 陆裕东 何小琦 +2 位作者 恩云飞 王歆 庄志强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期61-63,共3页

以民用挠性印制电路板(FPC)引脚和连接器嵌合部无铅镀层为对象,通过研究引脚上的Ni/Sn无铅镀层的显微形貌和锡须尺寸,探讨了Ni/Sn无铅镀层的长期可靠性。结果表明,在25℃,RH为45%～55%的条件下,挠性印制电路板引脚和连接器嵌合部无铅镀... 以民用挠性印制电路板(FPC)引脚和连接器嵌合部无铅镀层为对象,通过研究引脚上的Ni/Sn无铅镀层的显微形貌和锡须尺寸,探讨了Ni/Sn无铅镀层的长期可靠性。结果表明,在25℃,RH为45%～55%的条件下,挠性印制电路板引脚和连接器嵌合部无铅镀层上生长的锡须呈现针状、柱状等多种不同的显微形貌,其中大部分是针状锡须,少量针状锡须的长度已超过了50μm临界值,很可能因锡须桥接引起电流泄漏和短路,对FPC互连可靠性产生威胁。抑制少量超长的针状晶须的生长,是防止风险的关键。 展开更多

关键词 电子技术 挠性印制电路板 连接器 锡须 可靠性

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电迁移引起的倒装芯片互连失效 被引量：2

13

作者 陆裕东 何小琦 恩云飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期313-316,共4页

采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用... 采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用下,Al原子沿电子流方向扩散进入Al互连层下方的焊料中。同时,随着电流加载时间的延长,化学位梯度和内部应力的作用致使焊料成分向Al互连金属扩散,Al互连金属层形成空洞的同时其成分发生变化。 展开更多

关键词 倒装芯片 电迁移 互连 失效

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粉煤灰硬化体中Cr(Ⅵ)的渗滤溶出行为(英文) 被引量：1

14

作者 白瑞英 余其俊 韦江雄 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期88-93,共6页

模拟雨水通过土壤的渗滤过程,进行了粉煤灰硬化体渗滤溶出试验。研究了外界水渗透通过粉煤灰硬化体时,其中可溶性Cr(Ⅵ)在硬化体、土壤、渗滤液中的迁移转换规律,评估了粉煤灰硬化体中Cr(Ⅵ)的溶出及其对土壤和地下水可能产生的影响。... 模拟雨水通过土壤的渗滤过程,进行了粉煤灰硬化体渗滤溶出试验。研究了外界水渗透通过粉煤灰硬化体时,其中可溶性Cr(Ⅵ)在硬化体、土壤、渗滤液中的迁移转换规律,评估了粉煤灰硬化体中Cr(Ⅵ)的溶出及其对土壤和地下水可能产生的影响。结果表明:水渗透通过粉煤灰硬化体时,会将其中部分的Cr(Ⅵ)带出,转移到土壤和渗滤液中;渗滤液中Cr(Ⅵ)的累计量与时间的对数呈线性增加关系,Cr(Ⅵ)的溶出过程主要受扩散控制;渗滤后体系中可溶性Cr(Ⅵ)总量显著减少,说明Cr(Ⅵ)在从硬化体向土壤和渗滤液中的迁移过程中还存在着形态的变化。灰色关联分析表明:溶出过程中,Cr(Ⅵ)的溶出与Ca2+和Na+的溶出有较密切的相关性。 展开更多

关键词 粉煤灰 硬化体 六价铬 渗滤 溶出

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以PHBV-PLGA为载体的硫酸庆大霉素缓释微球 被引量：1

15

作者 谭红香 叶建东 柯渔 《功能高分子学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期12-16,共5页

以生物可降解聚羟基丁酸酯和羟基戊酸酯的共聚物（PHBV）、乙交酯和丙交酯的无规共聚物（PLGA）两种高分子作为壁材，采用复乳溶剂挥发法，制备了包裹硫酸庆大霉素（GS）的载药微球。在扫描电镜下观察到所得微球表面呈多孔状，为球形或... 以生物可降解聚羟基丁酸酯和羟基戊酸酯的共聚物（PHBV）、乙交酯和丙交酯的无规共聚物（PLGA）两种高分子作为壁材，采用复乳溶剂挥发法，制备了包裹硫酸庆大霉素（GS）的载药微球。在扫描电镜下观察到所得微球表面呈多孔状，为球形或椭圆形，粒径在20-80μm。分析结果表明，包封率在60％以上，在体外16-20d内药物全部释放，90d微球体外降解50％左右。 展开更多

关键词 PHBV PLGA 硫酸庆大霉素 药物缓释微球

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无铅镀层表面的锡须形貌、测量和风险评估

16

作者 陆裕东 何小琦 +2 位作者 恩云飞 王歆 庄志强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期110-112,共3页

在25℃、RH50%的常温常湿条件下,对纯Sn镀层引脚的锡须生长进行了评估。无铅化纯锡镀层表面的锡须呈现针状、圆柱状、小丘状、束状等多种不同显微形貌。外界环境与锡须的生长形貌无关,锡须生长部位特定的材料内部应力条件和晶体缺陷环... 在25℃、RH50%的常温常湿条件下,对纯Sn镀层引脚的锡须生长进行了评估。无铅化纯锡镀层表面的锡须呈现针状、圆柱状、小丘状、束状等多种不同显微形貌。外界环境与锡须的生长形貌无关,锡须生长部位特定的材料内部应力条件和晶体缺陷环境是决定晶须形貌的主要因素。经过500 h的常态老化,镀层上短晶须占多数,只发现了极少量长度超过50μm的锡须,而正是这少量的长晶须是造成铜互连引线间锡须桥连短路的主要因素。抑制少量超长的针状晶须的生长是防止晶须生长风险的关键。 展开更多

关键词 锡须 镀层 互连 可靠性

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受主掺杂BaPbO_3陶瓷的缺陷结构

17

作者 王歆 陆裕东 庄志强 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第16期1600-1604,共5页

采用高温平衡电导法测定高温平衡电导率随氧分压(10-12～105Pa)的变化曲线,阐明了受主掺杂BaPbO3的缺陷结构,解释了材料的导电机理.高氧分压下,Pb离子空位缺陷占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷占主导向杂质... 采用高温平衡电导法测定高温平衡电导率随氧分压(10-12～105Pa)的变化曲线,阐明了受主掺杂BaPbO3的缺陷结构,解释了材料的导电机理.高氧分压下,Pb离子空位缺陷占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷占主导向杂质缺陷占主导转变,受主杂质成为主导缺陷,电荷补偿缺陷为空穴;在低氧分压下,电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位.受主掺杂浓度的下降,导致高温电导率下降,并引起本征缺陷占主导向非本征缺陷占主导的转变点向低氧分压方向移动,同时低氧分压区域的电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位的转变点也向更低的氧分压方向移动. 展开更多

关键词 BAPBO3 缺陷化学 补偿缺陷 受主 平衡电导率

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等静压处理对磷酸钙骨水泥结构和性能的影响

18

作者 罗方聪 叶建东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第22期45-47,51,共4页

采用冷等静压技术,在150MPa的压力下对磷酸钙骨水泥粉体进行等静压处理,然后使其在一定的条件下进行水化。采用扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)、红外光谱(Fourier transform infrared spectrometry,FTIR)、X射线衍射(X-ray... 采用冷等静压技术,在150MPa的压力下对磷酸钙骨水泥粉体进行等静压处理,然后使其在一定的条件下进行水化。采用扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)、红外光谱(Fourier transform infrared spectrometry,FTIR)、X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和压汞仪等测试手段对其水化产物的结构和性能进行研究。结果表明,经过等静压处理,磷酸钙骨水泥粉体水化环境被改变,部分水化产物的晶体形貌由细小的短棒状变为六棱柱状,但主要物相仍为羟基磷灰石;水化固化体的孔隙率由未经等静压处理时的(46.32±2.70)%降到(24.75±1.15)%,抗压强度由(12.62±2.70)MPa提高到(43.05±2.08)MPa。 展开更多

关键词 磷酸钙骨水泥 冷等静压处理 孔隙率 抗压强度

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BaPbO3导电厚膜的制备与性能研究

19

作者 刘保岭 王歆 +1 位作者 庄志强 陆裕东 《陶瓷学报》 CAS 2008年第2期82-85,共4页

以氢氧化钡、硝酸铅为原料,己二胺四乙酸、柠檬酸和酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂制备铅酸钡前驱液,采用改进的Sol-Gel技术,成功的在PZT基片上制备出0-3型铅酸钡厚膜。SEM电镜照片显示,铅酸钡厚膜均匀一致,无裂痕,晶粒大小为1-2μm。厚... 以氢氧化钡、硝酸铅为原料,己二胺四乙酸、柠檬酸和酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂制备铅酸钡前驱液,采用改进的Sol-Gel技术,成功的在PZT基片上制备出0-3型铅酸钡厚膜。SEM电镜照片显示,铅酸钡厚膜均匀一致,无裂痕,晶粒大小为1-2μm。厚膜的方阻值随着浆料中固相质量含量的增加而减小,并且随着厚膜厚度的增加,粉体固相含量的影响逐渐减小,不同固相含量的厚膜方阻逐渐趋于一致。以厚膜为上下电极的PZT具有较好的介电性能。 展开更多

关键词 铅酸钡 厚膜 溶胶凝胶 旋涂 介电

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Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点中的电迁移 被引量：7

20

作者 陆裕东 何小琦 +2 位作者 恩云飞 王歆 庄志强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期1942-1947,共6页

采用104A/cm2数量级的电流密度对Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点中的电迁移机理作了研究.电迁移引起的原子(或空位)的迁移以及在此过程中形成的焦耳热,使Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点的显微形貌发生变化.电迁移作用下,由于空位的定向迁移和局部的电流聚... 采用104A/cm2数量级的电流密度对Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点中的电迁移机理作了研究.电迁移引起的原子(或空位)的迁移以及在此过程中形成的焦耳热,使Sn3.0Ag0.5Cu倒装焊点的显微形貌发生变化.电迁移作用下,由于空位的定向迁移和局部的电流聚集效应使阴极芯片端焊料与金属间化合物界面形成薄层状空洞.处于阴极的Cu焊盘的Ni(P)镀层与焊料间也产生了连续性空洞,但空洞面积明显小于处于阴极的芯片端焊料与金属间化合物界面.焊盘中的Cu原子在电迁移作用下形成与电子流方向一致的通量,最终导致焊点高电流密度区域出现连续性的金属间化合物且金属间化合物量由阴极向阳极逐渐增多. 展开更多

关键词 Sn3.0Ag0.5Cu 倒装 焊点 电迁移

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