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3D NoC映射问题的动态蚁群算法 被引量:10
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作者 王佳文 李丽 +4 位作者 易伟 潘红兵 张宇昂 侯宁 张荣 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第9期1614-1620,共7页
3D NoC映射通常涉及大量IP核及节点,使传统映射算法效率较低.为减少映射算法的执行时间,提高其优化能力,在传统蚁群算法(ACA)的基础上,提出一种动态蚁群算法(DACA).该算法采用逻辑斯蒂S形函数的变化形式,在每轮迭代开始前,依据当前... 3D NoC映射通常涉及大量IP核及节点,使传统映射算法效率较低.为减少映射算法的执行时间,提高其优化能力,在传统蚁群算法(ACA)的基础上,提出一种动态蚁群算法(DACA).该算法采用逻辑斯蒂S形函数的变化形式,在每轮迭代开始前,依据当前迭代次数动态调整参数α,β及蚂蚁总数M.实验结果表明,与ACA相比,DACA可以缩短执行时间,提高算法性能;在面向随机任务时,其单位时间优化能力可以提升38.2%~65.9%;而当面向多媒体系统的真实应用时,其单位时间优化能力可以提升25.3%~32.7%. 展开更多
关键词 3D片上网络 映射 动态蚁群算法
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一种低电压、高增益电荷泵 被引量:4
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作者 杨盛光 何书专 +2 位作者 高明伦 李伟 周松明 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第8期2001-2005,共5页
电荷泵在低压电路中扮演着重要的角色。作为片上电荷泵,其面临的主要问题是:电压增益、电压纹波和面积效率。该文提出了一种新型的电荷泵电路,它采用辅助电荷泵、电平转移电路结构来产生不同摆幅的时钟,该时钟被用来驱动开关管的栅极,... 电荷泵在低压电路中扮演着重要的角色。作为片上电荷泵,其面临的主要问题是:电压增益、电压纹波和面积效率。该文提出了一种新型的电荷泵电路,它采用辅助电荷泵、电平转移电路结构来产生不同摆幅的时钟,该时钟被用来驱动开关管的栅极,以有效控制开关管的电导,提高电压增益。由于采用PMOS管作为开关管,传输过程中避免了阈值电压损失。仿真结果显示,与以往文献中提到的电荷泵结构相比,该电荷泵具有更高的电压增益,开启时间短,纹波小,在低压应用环境优势更为突出。 展开更多
关键词 电荷泵 电压增益 开关管 阈值电压 电导
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基于QEMU的可重构专用处理器模拟器实现 被引量:5
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作者 李可生 杨博 +3 位作者 徐天伟 李丽 何书专 潘红兵 《计算机工程与设计》 北大核心 2016年第5期1335-1339,共5页
针对基于SystemC的可重构专用处理器模拟器在整个系统的仿真时(包括操作系统、驱动、API及应用程序)耗时久、影响开发进度的问题,提出一种基于QEMU的模拟器设计方法。根据可重构专用处理器的功能特点和系统架构,对可重构专用处理器进行... 针对基于SystemC的可重构专用处理器模拟器在整个系统的仿真时(包括操作系统、驱动、API及应用程序)耗时久、影响开发进度的问题,提出一种基于QEMU的模拟器设计方法。根据可重构专用处理器的功能特点和系统架构,对可重构专用处理器进行抽象,利用在仿真速度上优势明显的QEMU,设计并实现一个在功能和内部存储上精确的模拟器。实验测试结果表明,该模拟器提高了全系统仿真时的速度,在硬件开发板尚未就位前,为软件开发人员提供了一个可以进行软件开发和测试的平台,提高了开发效率。 展开更多
关键词 QEMU 虚拟机 可重构专用处理器 模拟器 全系统仿真
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基于总线共享架构的片上多处理器系统性能探索 被引量:3
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作者 杨盛光 李丽 +2 位作者 徐懿 张宇昂 张冰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第12期16-19,共4页
采用SystemC建立了一个基于共享总线的MPSoC仿真平台,设计了3个实验分别用于建模3种典型应用(低计算/通讯比、高计算/通讯比和非独立任务),对系统性能进行了详细的调研。实验结果显示:处理器数≤6时,总线架构MPSoC体现出很高的效率,而... 采用SystemC建立了一个基于共享总线的MPSoC仿真平台,设计了3个实验分别用于建模3种典型应用(低计算/通讯比、高计算/通讯比和非独立任务),对系统性能进行了详细的调研。实验结果显示:处理器数≤6时,总线架构MPSoC体现出很高的效率,而处理器数=16几乎达到了总线架构MPSoC适用规模的极限;计算/通讯比对性能和规模有重要影响;流水线方案能略微缓解通讯状况。建议:处理器数≤6时,推荐采用总线方案;6<处理器数≤16时,总线方案是否合适由任务计算/通讯比决定;处理器数>16时,需要采用更高级的通讯方案。 展开更多
关键词 片上多处理器系统 总线 加速比 单核效率 总线占用率
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基于i.MX6的LED异步控制系统软件设计 被引量:3
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作者 杨博 李可生 +3 位作者 何书专 李伟 李丽 潘红兵 《计算机工程与设计》 北大核心 2016年第6期1478-1484,共7页
为满足户外LED屏幕对异步控制的需求,利用面向对象的设计方法,设计实现一款基于i.MX6处理器的LED全彩异步控制系统嵌入式软件。提出基于多线程的事件队列和基于插件的GStreamer流媒体播放系统等技术方案;利用嵌入式Linux环境下可移植库... 为满足户外LED屏幕对异步控制的需求,利用面向对象的设计方法,设计实现一款基于i.MX6处理器的LED全彩异步控制系统嵌入式软件。提出基于多线程的事件队列和基于插件的GStreamer流媒体播放系统等技术方案;利用嵌入式Linux环境下可移植库的特性,实现对上位机发送的数据进行灵活的动态化处理,以及对多种格式的多媒体节目播放的异步控制;在性能上优化开机时间和播放策略。测试结果表明,该方案拥有较好用户体验,满足了设计需求。 展开更多
关键词 面向对象 多线程 流媒体播放 异步控制 嵌入式软件
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基于拥塞预测的NoC自适应仲裁方法 被引量:2
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作者 杨盛光 李丽 +3 位作者 徐懿 张宇昂 娄孝祥 高明伦 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2009年第2期652-654,659,共4页
传统用于总线系统或互联网的仲裁方法已不能很好地适应NoC应用环境。围绕NoC系统性能的关键影响因素——拥塞状态,提出了一种基于全局和本地拥塞预测的仲裁策略(GLCA),以改善NoC网络延迟。实验结果表明,相对于RR方法,新仲裁算法使得网... 传统用于总线系统或互联网的仲裁方法已不能很好地适应NoC应用环境。围绕NoC系统性能的关键影响因素——拥塞状态,提出了一种基于全局和本地拥塞预测的仲裁策略(GLCA),以改善NoC网络延迟。实验结果表明,相对于RR方法,新仲裁算法使得网络平均包延迟和平均吞吐量最大分别可改善20.5%和8%,并且在不同负载条件下都保持了其优势。综合结果显示,GLCA与RR方法相比,路由器仅在组合逻辑上有少许增加(25.7%)。 展开更多
关键词 片上网络 仲裁方法 拥塞 延迟 拥塞区域
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基于总线的片上多处理器SoC仲裁算法研究 被引量:3
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作者 徐懿 杜高明 +3 位作者 李丽 蒋召宇 张冰 高明伦 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z3期2415-2418,共4页
为了探寻在不同的系统负载和系统约束下选择最佳的仲裁算法方案,本文以固定优先级、轮转优先级、混合优先级、加权随机算法4种仲裁算法为载体,在一个包括操作系统在内的软件支持的可配置的片上多处理器系统平台中,研究不同类型通讯任务... 为了探寻在不同的系统负载和系统约束下选择最佳的仲裁算法方案,本文以固定优先级、轮转优先级、混合优先级、加权随机算法4种仲裁算法为载体,在一个包括操作系统在内的软件支持的可配置的片上多处理器系统平台中,研究不同类型通讯任务要求下对系统性能的影响。以任务完成时间为标准得出以下结论:(1)独立任务下带OS的MPSoC采用可调的加权随机仲裁算法性能最好;(2)流水线任务下不带OS的MPSoC采用轮转优先级仲裁算法性能较佳;(3)在不同类型的通讯任务下轮转优先级算法表现稳定;(4)总线负载较重的情况下混合优先级算法表现出色。另外,本文还对仲裁算法对系统实时性的影响进行了阐述。 展开更多
关键词 多处理器SoC 仲裁算法 通讯任务
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基于统计时分复用技术的三维片上网络 被引量:2
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作者 王佳文 李丽 +2 位作者 潘红兵 李伟 张荣 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第10期2501-2507,共7页
在片上网络(Network on Chip,NoC)系统中,本地子系统通常基于总线结构,而全局通信则由基于包交换的网络构成。然而,由于总线和网络之间通讯机制的差异,当本地子系统内各核访问全局资源的时候,系统整体性能将下降。在3D NoC中,由于全局... 在片上网络(Network on Chip,NoC)系统中,本地子系统通常基于总线结构,而全局通信则由基于包交换的网络构成。然而,由于总线和网络之间通讯机制的差异,当本地子系统内各核访问全局资源的时候,系统整体性能将下降。在3D NoC中,由于全局网络规模的扩大,该问题将越发显著。对此,该文提出一种基于统计时分复用(Statistical Time Division Multiplex,STDM)技术的3D NoC架构。该架构首先在本地子系统引入STMD控制单元,然后在网络接口设计中增加了计数及等待机制,并对路由节点针对STDM技术进行了优化设计,以增强对STDM的支持,减小总线、网络间的差异。同时,该文还充分利用STDM帧的特点,设计了一种新的数据包格式,以进一步降低全局通信的网络负荷。为证明新方案的高效,该文采用SystemC语言进行系统级建模,仿真结果表明:该方案在降低网络负荷、减小通信延时方面有着显著效果。最佳情况下,两者可以分别降低为传统方案的45%和20.5%。而实际应用中,尤其对于通信密集型应用而言,该方法的改善效果也同样明显。 展开更多
关键词 3D片上网络 统计时分复用 层次化存储架构
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基于SystemC的时钟周期精确交易级建模及通信细化 被引量:2
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作者 张宇昂 李丽 +2 位作者 杨盛光 徐懿 张冰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第12期187-190,共4页
交易级建模通过提高建模抽象层次,加快了系统建模和仿真的速度。针对AMBA AHB协议,采用Sys-temC语言,进行了交易级建模及通信细化。结果表明,由于抽象层次部分结合了BCA(bus cycle-accurate)级描述,使得到的交易级模型包含了更多时间/... 交易级建模通过提高建模抽象层次,加快了系统建模和仿真的速度。针对AMBA AHB协议,采用Sys-temC语言,进行了交易级建模及通信细化。结果表明,由于抽象层次部分结合了BCA(bus cycle-accurate)级描述,使得到的交易级模型包含了更多时间/协议信息,同时保留了速度优势,有利于前期验证和系统开发。而之后进行的通信细化,将抽象通道转化为模块实体和端口,对于最终RTL级实现具有重要意义。 展开更多
关键词 交易级建模 SYSTEMC AMBA AHB:通信细化
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NoC架构片上多处理器系统性能探索 被引量:1
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作者 杨盛光 李丽 +2 位作者 张宇昂 董岚 娄孝祥 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第1期63-66,共4页
采用SystemC建模和仿真环境建立了一款NoC系统级仿真平台,设计了3个实验分别用于建模3种典型应用(低计算/通信比、高计算/通信比和非独立任务),以定量模拟的方法对NoC架构MPSoC性能进行了详细的调研,并将其结果与总线架构MPSoC进行了对... 采用SystemC建模和仿真环境建立了一款NoC系统级仿真平台,设计了3个实验分别用于建模3种典型应用(低计算/通信比、高计算/通信比和非独立任务),以定量模拟的方法对NoC架构MPSoC性能进行了详细的调研,并将其结果与总线架构MPSoC进行了对比分析.实验结果显示:NoC系统加速比与处理器数目呈线性关系,不受规模的影响,而总线系统则明显受到处理器数目的限制;共享存储资源成为NoC系统性能提升的限制,但可以通过采用分布式存储策略得到解决,而总线系统却无法克服其共享总线通信瓶颈.因此,在系统规模较大(N>12)时推荐采用NoC体系结构. 展开更多
关键词 NOC 总线 片上多处理器系统 加速比 单核效率
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氮气载气流量和系统温度对GaN膜质量的影响
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作者 刘战辉 张李骊 +3 位作者 李庆芳 修向前 张荣 谢自力 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期857-862,868,共7页
系统研究了HCl的载气、NH3的载气、总N2载气流量以及镓源反应温度和外延生长温度对氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长的GaN膜晶体质量的影响,并利用高分辨X射线衍射技术,喇曼光谱和光致发光谱对生长的外延膜进行表征。结构表征发现,... 系统研究了HCl的载气、NH3的载气、总N2载气流量以及镓源反应温度和外延生长温度对氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长的GaN膜晶体质量的影响,并利用高分辨X射线衍射技术,喇曼光谱和光致发光谱对生长的外延膜进行表征。结构表征发现,优化的N2载气流量、镓源反应温度和外延生长温度生长得到的GaN膜具有优良的晶体质量和光电特性。测试结果表明,载气流量的改变影响生长系统中的寄生沉积、GaN膜生长表面过饱和度与Ga和N源气体原子团的气体输运;优化的生长温度可以增强GaN膜的横向外延并促进其二维模式生长,进而有利于生长高质量并具有光滑平面的GaN外延膜。 展开更多
关键词 氮化镓 氢化物气相外延(HVPE) 氮气载气 生长温度 镓源反应温度
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一种可重用MCU核测试平台的设计
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作者 许盛 高明伦 +1 位作者 李伟 娄孝祥 《电子测量技术》 2008年第1期97-100,共4页
随着IP核的规模日益增大,测试的复杂度也越来越大,本文针对MCU核的特点,介绍一种可重用测试平台的结构,并且设计了测试平台实例以完成对8051 IP核的测试。
关键词 测试平台(testbench) MCU IP 可重用
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IEEE802.1AE中GCM的高速硬件实现 被引量:4
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作者 赵晶晶 李丽 +3 位作者 潘红兵 许俊 吴志刚 林军 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2010年第6期1515-1519,共5页
该文设计了一种适用于IEEE802.1AE协议的GCM高速硬件结构。GCM的核心模块包括AES和Ghash两部分。该文中Ghash模块采用了一种新型的并行乘加器,可以同时处理多组数据,而不需要预先确定等待处理的分组数据总数;为了支持密钥每个时钟周期... 该文设计了一种适用于IEEE802.1AE协议的GCM高速硬件结构。GCM的核心模块包括AES和Ghash两部分。该文中Ghash模块采用了一种新型的并行乘加器,可以同时处理多组数据,而不需要预先确定等待处理的分组数据总数;为了支持密钥每个时钟周期不断变化,AES中密钥扩展模块采用了循环展开结构。该文采用二度并行的Ghash模块实现了GCM高速加密电路,使用Fujitsu 0.13μm 1.2V 1P8M CMOS工艺进行逻辑综合,得到吞吐率为97.9Gbps,面积为547k门,时钟频率达到764.5MHz。 展开更多
关键词 IEEE802.1AE协议 GCM算法 AES算法 密钥扩展 Ghash函数 硬件实现
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3D NoC网络架构设计 被引量:2
14
作者 谢林 潘红兵 +3 位作者 张宇昂 韩峰 李丽 何书专 《计算机工程》 CAS CSCD 2013年第9期150-152,共3页
在三维片上网络(3D NoC)设计中,层与层之间通信机制的优劣将影响整个3D NoC系统的性能。为此,在GEMS仿真平台基础上,提出一种低硬件资源消耗、高性能的总线架构,改进路由设计,构造基于总线的3D NoC的路由器。实验结果表明,该架构可提高... 在三维片上网络(3D NoC)设计中,层与层之间通信机制的优劣将影响整个3D NoC系统的性能。为此,在GEMS仿真平台基础上,提出一种低硬件资源消耗、高性能的总线架构,改进路由设计,构造基于总线的3D NoC的路由器。实验结果表明,该架构可提高常见算法的加速比,改善系统的整体性能。 展开更多
关键词 三维片上网络 架构 GEMS多核仿真平台 总线 路由器
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pLEDMOS导通电阻及阈值电压的热载流子退化 被引量:2
15
作者 郑维山 孙虎 +1 位作者 刘斯扬 孙伟锋 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期522-525,共4页
研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同... 研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通电阻的退化,但加速了阈值电压的退化;增加栅场极板长度可以同时改善导通电阻和阈值电压的退化.借助TCAD仿真软件,模拟分析了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的pLEDMOS器件的离子产生率和纵向电场,模拟结果解释了各种退化现象的机理,同时表明碰撞电离率和纵向电场的优化是改善器件参数退化的有效手段. 展开更多
关键词 pLEDMOS 热载流子注入 导通电阻 阈值电压 退化
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一种面向脉宽调制器的电压基准电路 被引量:1
16
作者 陆明华 郎君 +3 位作者 杨盛光 周松明 何书专 高明伦 《电子测量技术》 2006年第6期42-43,50,共3页
本文讨论了一种面向DC/DC脉宽调制器(PWM)的能隙基准电压电路,电路采用两级高增益运放的结构。基于Hynix0.5mCMOS工艺模型的模拟结果表明电路输出基准电压为1.188V;在-20100℃温度变化范围内,温度系数仅为16.7ppm/K;在25V工作电压范围内... 本文讨论了一种面向DC/DC脉宽调制器(PWM)的能隙基准电压电路,电路采用两级高增益运放的结构。基于Hynix0.5mCMOS工艺模型的模拟结果表明电路输出基准电压为1.188V;在-20100℃温度变化范围内,温度系数仅为16.7ppm/K;在25V工作电压范围内,电源灵敏度仅为0.047mV/V。此外,电路软启动的特点很好地解决了芯片上电时的电流浪涌问题。 展开更多
关键词 脉宽调制器 电压基准 软启动
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片上TCAM的研究和应用 被引量:1
17
作者 许俊 龚源泉 李丽 《微型机与应用》 2013年第19期69-71,75,共4页
为了提高片上TCAM的摆放密度和降低功耗,基于IBM 32 nm工艺库提供的TCAM的特性和优先编码器硬核,设计出同时满足多个查找宽度的外围控制电路。相比于之前的设计和实现,该设计可以减少TCAM的块数和相关寄存器的数量,减少片上TCAM的摆放面... 为了提高片上TCAM的摆放密度和降低功耗,基于IBM 32 nm工艺库提供的TCAM的特性和优先编码器硬核,设计出同时满足多个查找宽度的外围控制电路。相比于之前的设计和实现,该设计可以减少TCAM的块数和相关寄存器的数量,减少片上TCAM的摆放面积,降低芯片的整体功耗。该设计已经成功应用于公司第4代路由交换ASIC芯片上。 展开更多
关键词 片上TCAM 优先级编码器 ASIC
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采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
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作者 宋黎红 谢自力 +9 位作者 张荣 刘斌 李弋 傅德颐 张曾 崔影超 修向前 韩平 施毅 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期175-178,共4页
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度... 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性,将〈0001〉晶向定义为0°方向,与之垂直的方向为90°方向,分别按0°和90°两个不同方向进行X射线衍射的研究。0°方向和90°方向螺位错密度分别为1.97×1010、7.193×109cm-2,0°方向螺位错密度较大;0°和90°方向刃位错密度分别为3.23999×1010、7.35068×1010cm-2,90°方向刃位错密度较大,显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。 展开更多
关键词 GAN 位错 X射线衍射 有机化学气相淀积 各向异性
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a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
19
作者 崔影超 谢自力 +5 位作者 赵红 李弋 刘斌 宋黎红 张荣 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期167-170,共4页
对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝I0B.46,IYL∝I... 对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝I0B.46,IYL∝I0B.45,这主要是由于饱和效应引起的,与以往c面GaN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制;改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收、自由载流子和应力的综合作用引起的。 展开更多
关键词 a面GaN 阴极荧光 激发强度
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Si(100)上Ge_(1-x)C_x合金薄膜的CVD外延生长
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作者 李志兵 韩平 +2 位作者 王荣华 秦臻 韩甜甜 《江苏工业学院学报》 2005年第2期30-33,共4页
用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格... 用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小,这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在。红外吸收谱的测量结果显示Ge1-xCx合金的禁带宽度随着C组分的增加而线性增加,从0 67eV到0 87eV,与理论相符,说明碳的掺入有效地调节了禁带宽度。另外拉曼光谱显示Ge1-xCx合金在387cm-1出现一新峰,该峰是Ge1-xCx薄膜中的Ge在K点的双声子振动引起的。 展开更多
关键词 Ge1-xCx合金薄膜 化学气相淀积 拉曼光谱
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