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薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究 被引量:5
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作者 陈新亮 王斐 +6 位作者 闫聪博 李林娜 林泉 倪牮 张晓丹 耿新华 赵颖 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第18期73-77,共5页
阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构... 阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。 展开更多
关键词 镀膜技术 TCO薄膜 绒面结构 高迁移率 缓冲层 梯度掺杂 薄膜太阳电池
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磁控溅射技术室温生长氢化ZnO:Ga薄膜及其特性研究 被引量:1
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作者 王斐 陈新亮 +6 位作者 张翅 张德坤 魏长春 黄茜 张晓丹 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1404-1409,共6页
采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入... 采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度。当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8×10-4Ω.cm,Hall迁移率达34.2 cm2/V.s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85%。此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 氧化锌 镓掺杂 H2流量 绒面结构
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中国薄膜电池技术与发展概况(下) 被引量:5
3
作者 孙云 《太阳能》 2011年第4期52-55,共4页
3铜铟镓硒太阳电池(1)国内CIGS电池技术我国CIGS电池的研究自20世纪80年代开始起步,早期研究单位有内蒙古大学、云南师范大学、中国地质大学和南开大学。但由于国家投入经费少,电池技术难度大,
关键词 中国地质大学 电池技术 发展概况 薄膜 云南师范大学 CIGS 内蒙古大学 太阳电池
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微球组装技术在三维电池衬底中的应用研究
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作者 高海波 张晓丹 +6 位作者 梁雪娇 赵慧旭 刘伯飞 白立沙 陈泽 梁俊辉 赵颖 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2213-2217,共5页
以非晶硅薄膜和聚苯乙烯微球为原材料,采用自组装方法和反应离子刻蚀技术制作非晶硅微米结构,以期应用于三维电池银背电极的制备当中。实验表明,对微球的刻蚀时间进行控制、对非晶硅的刻蚀气压、刻蚀时间进行控制,可获得不同的三维微米... 以非晶硅薄膜和聚苯乙烯微球为原材料,采用自组装方法和反应离子刻蚀技术制作非晶硅微米结构,以期应用于三维电池银背电极的制备当中。实验表明,对微球的刻蚀时间进行控制、对非晶硅的刻蚀气压、刻蚀时间进行控制,可获得不同的三维微米结构。采用合适的工艺条件可获得梯形结构、三角形结构,蒸镀银薄膜后能获得约95%的可见光、近红外光散射比率,为三维电池制备提供一种新的实现方法。 展开更多
关键词 微球自组装 微米结构 非晶硅薄膜 三维电池
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中国薄膜电池技术与发展概况(上) 被引量:2
5
作者 孙云 《太阳能》 2011年第3期17-19,共3页
一前言 光伏发电是未来能源体系的重要组成部分,高效率、高稳定性、低成本是太阳电池发展的基本原则。提高光电转换效率、太阳电池薄膜化、生产制造低能耗、组件生产规模化连续化、缩短产业链均是降低电池成本的有效途径。
关键词 电池技术 薄膜化 发展概况 中国 光电转换效率 太阳电池 生产规模化 组成部分
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CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究 被引量:25
6
作者 孙云 王俊清 +7 位作者 杜兆峰 舒保健 于刚 温国忠 周祯华 孙健 李长健 张丽珠 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期192-195,共4页
采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ... 采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 转换效率 CIS
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薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究 被引量:22
7
作者 薛俊明 麦耀华 +6 位作者 赵颖 张德坤 韩建超 侯国付 朱锋 张晓丹 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期166-169,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅顶电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备微晶硅底电池,初步优化研究了薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术制备非晶硅顶电池,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备微晶硅底电池,初步优化研究了薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流匹配,以及氧化锌/金属复合背反射电极对电池的作用。研制出了面积为1.0 cm2效率达9.83%的薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池。 展开更多
关键词 叠层电池 微晶硅 非晶硅
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ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响 被引量:15
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作者 李林娜 薛俊明 +3 位作者 赵亚洲 李养贤 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期147-150,共4页
氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载... 氧化铟锡(indium-tin oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上。本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响。实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1。将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%。 展开更多
关键词 ITO薄膜 电阻蒸发法 载流子浓度 霍尔迁移率
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SVPWM技术在Z源逆变器中的应用 被引量:8
9
作者 赵二刚 程如岐 +4 位作者 郭天勇 梁凯 赵耀 王庆章 赵庚申 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期76-79,共4页
利用空间矢量脉宽调制(SVPWM)技术,对DSP-TMS320f2812的通用定时计数器进行配置,生成4路PWM波来驱动Z源逆变器的开关管,将输入的直流电逆变成输出电压波形为正弦波的交流电.
关键词 SVPWM Z源逆变器 正弦波
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孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究 被引量:10
10
作者 李微 孙云 +2 位作者 何青 刘芳芳 李凤岩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期761-764,815,共5页
本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制... 本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点。ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω.cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(C IS)薄膜太阳电池窗口层。 展开更多
关键词 孪生对靶 磁控溅射 ZNO:AL
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微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究 被引量:5
11
作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 吴春亚 高艳涛 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期960-964,共5页
本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就... 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出 展开更多
关键词 衬底 微晶硅薄膜 VHF-PECVD AFM 厚度 不均匀性 显示 RAMAN光谱 晶化 测试结果
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CIGS薄膜材料研究进展 被引量:10
12
作者 肖健平 何青 +1 位作者 陈亦鲜 夏明 《西南民族大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第1期189-193,共5页
CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中... CIGS薄膜太阳电池具有低成本、高效率、性能稳定等优点,是最有发展前途的太阳能电池之一,受到了广泛关注.阐述了CI(G)S材料特性,分别介绍了多种制备方法,其中着重介绍共蒸发三步法这一制备小面积高效率电池的通用方法和在产业化生产中更理想的溅射后硒化法. 展开更多
关键词 CIGS薄膜 共蒸发三步法 溅射后硒化
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化学水浴沉积CIGS太阳电池缓冲层ZnS薄膜的研究 被引量:5
13
作者 刘琪 冒国兵 +7 位作者 敖建平 孙云 孙国忠 刘芳芳 何青 李凤岩 周志强 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期155-159,共5页
在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有... 在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有ZnS和Zn(OH)2,SEM测试表明薄膜颗粒大小相近,但不致密。随着沉积时间的增加,薄膜厚度增加,透过率减小。当前采用CBD-ZnS薄膜制备的无镉CIGS太阳电池转换效率达到8.54%。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(CBD) ZNS薄膜 CIGS太阳电池
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薄膜太阳电池的研究现状与发展趋势 被引量:8
14
作者 赵颖 戴松元 +1 位作者 孙云 冯良桓 《自然杂志》 北大核心 2010年第3期156-160,142,共6页
笔者主要对目前薄膜电池研究和产业化的主流技术进行论述,包括硅基薄膜太阳电池、碲化镉与铜铟镓硒等化合物薄膜太阳电池、以及染料敏化电池等,对每种技术分别从国内外研究现状以及产业化状况进行介绍。
关键词 硅基薄膜太阳电池 碲化镉薄膜太阳电池 铜铟镓硒薄膜太阳电池 染料敏化太阳电池
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RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究 被引量:3
15
作者 蔡宏琨 张德贤 +4 位作者 何青 赵飞 陶科 席强 孙云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期545-549,共5页
采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的... 采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究。改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的。根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大。 展开更多
关键词 X射线衍射(XRD) 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜 氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜 晶粒尺寸
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VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其微结构表征研究 被引量:6
16
作者 张晓丹 高艳涛 +5 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期475-478,共4页
采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析。MicroRaman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大。XRD的结... 采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析。MicroRaman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大。XRD的结果显示样品的择优取向随衬底温度的升高而变化,(220)方向计算得出样品的晶粒尺寸逐渐变大。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 微晶硅 衬底温度
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本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究 被引量:3
17
作者 张晓丹 高艳涛 +5 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期297-300,共4页
本文对VHF PECVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0. 51eV,符合电池对材料的电学参数要求;拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63%;X射线衍射结果也... 本文对VHF PECVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0. 51eV,符合电池对材料的电学参数要求;拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63%;X射线衍射结果也证明材料晶化,同时(220)方向择优;首次在国内用VHF PECVD方法制备出效率为5%的微晶硅电池(Jsc=21mA/cm2, Voc=0. 46V, FF=51%, Area=0. 253cm2 )。 展开更多
关键词 化学气相沉积法 微晶硅 太阳能电池 微晶硅薄膜
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微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究 被引量:3
18
作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1030-1033,共4页
对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适... 对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度. 展开更多
关键词 微晶硅薄膜太阳电池 孵化层 喇曼光谱
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Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池研究进展(I) 被引量:4
19
作者 李长健 乔在祥 张力 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期77-80,共4页
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是Ⅰ—Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有黄铜矿晶体结构,以它为吸收层的太阳电池称为CIGS薄膜太阳电池。此电池具有如下特点:(1)光电转换效率高。2008年美国国家可再生能源实验室(NREL)研制的小面积CIGS薄... Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是Ⅰ—Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有黄铜矿晶体结构,以它为吸收层的太阳电池称为CIGS薄膜太阳电池。此电池具有如下特点:(1)光电转换效率高。2008年美国国家可再生能源实验室(NREL)研制的小面积CIGS薄膜太阳电池光电转换效率已达到19.9%,是当前各类薄膜太阳电池的最高记录。(2)电池稳定性好,使用过程中性能基本无衰降。(3)抗辐照能力强,用作空间电源有很强的竞争力。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 美国国家可再生能源实验室 化合物半导体材料 光电转换效率 CIGS 晶体结构 空间电源 黄铜矿
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CdS薄膜中“白斑”的研究 被引量:3
20
作者 薛玉明 孙云 +4 位作者 周志强 孟广保 汲明亮 郑贵波 李长键 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期620-623,共4页
本论文对CdS薄膜中的“白斑”进行了研究。化学水浴沉积法(CBD)制备CdS薄膜所需要的化学反应物包括硫脲、氨水、镉盐和铵盐等。文中采用两种镉盐和铵盐来沉积CdS薄膜:氯化镉和氯化铵,乙酸镉和乙酸铵。所沉积的CdS薄膜的表观形貌由SEM表... 本论文对CdS薄膜中的“白斑”进行了研究。化学水浴沉积法(CBD)制备CdS薄膜所需要的化学反应物包括硫脲、氨水、镉盐和铵盐等。文中采用两种镉盐和铵盐来沉积CdS薄膜:氯化镉和氯化铵,乙酸镉和乙酸铵。所沉积的CdS薄膜的表观形貌由SEM表征,成分由EDX表征。当镉盐和铵盐分别采用氯化镉和氯化铵时,生成的薄膜中存在大量的“白斑”。这些“白斑”的成分不是CdS,而是(CdCl)2S。增加氨水的浓度可以大大减少这些“白斑”,但是不能彻底消除这些“白斑”。当镉盐和铵盐分别采用乙酸镉和乙酸铵时,生成的薄膜均匀、平整,薄膜中根本就不存在所谓的“白斑”。因此,沉积CdS薄膜时,镉盐和铵盐不宜采用氯化镉和氯化铵,应该采用乙酸镉和乙酸铵。 展开更多
关键词 化学水浴沉积法 CDS 白斑
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