期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
超细电纺纳米纤维的直接制备(英文) 被引量：1
1
作者 李文望 郑高峰 +4 位作者 王翔 左文佳 张玉龙 李磊 孙道恒 《纳米技术与精密工程》 EI CAS CSCD 2011年第6期471-476,共6页
采用装配有疏水铜网的新型喷头研究了超细纳米纤维的制备.静电纺丝实现之前,首先对铜网进行了疏水处理,并将其安装于喷头前端.静电纺丝过程中,聚合物溶液由精密注射泵输送至喷头处.安装于喷头的铜网可将管道内的聚合物溶液分成多股细流... 采用装配有疏水铜网的新型喷头研究了超细纳米纤维的制备.静电纺丝实现之前,首先对铜网进行了疏水处理,并将其安装于喷头前端.静电纺丝过程中,聚合物溶液由精密注射泵输送至喷头处.安装于喷头的铜网可将管道内的聚合物溶液分成多股细流从铜网网孔中流出.从铜网网孔流出的溶液细流受电场力作用被拉伸成多股独立射流,并从喷头携带走聚集的正电荷.受铜网表面疏水性和射流间电荷排斥力的影响,从铜网喷射出的多股射流都将保持其独立的轨迹而不会产生聚集.疏水铜网有利于减小纺丝射流的初始直径,并获得均匀的超细纳米纤维.利用新型的电纺丝喷头成功制备了直径20～80 nm的聚氧化乙烯(PEO)和聚乙烯醇(PVA)超细纳米纤维.实验结果表明,超细纳米纤维的直径随着电纺丝溶液浓度的增加而变大. 展开更多
关键词 超细纳米纤维 静电纺丝 喷丝头 铜网 疏水处理
在线阅读 下载PDF
双相层流微流控芯片快速提取人参皂苷 被引量：4
2
作者 萧金仪 曾家健 +2 位作者 卢啟贤 孙悦 陈宏 《中药材》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期1070-1072,共3页
目的:建立基于微流控芯片液-液萃取技术进行人参药材样品前处理的方法。方法:注射泵引入药材初提液及萃取剂于芯片中进行萃取,收集样品溶液进行HPLC检测。对芯片的前处理;药液与萃取剂的流速、流速比;萃取通道的宽度等因素进行考察。结... 目的:建立基于微流控芯片液-液萃取技术进行人参药材样品前处理的方法。方法:注射泵引入药材初提液及萃取剂于芯片中进行萃取,收集样品溶液进行HPLC检测。对芯片的前处理;药液与萃取剂的流速、流速比;萃取通道的宽度等因素进行考察。结果:纯水清洗后风干的芯片,药液与萃取剂的流速与流速比为v(水饱和正丁醇)∶v(药材初提液)=6(μL/min)∶12(μL/min),萃取通道宽度为200μm的情况下萃取效果更理想。在优化条件下平行试验6次,RSD小于1.2%。芯片萃取所得人参皂苷Rg1、Re、Rb1含量分别为1.05、0.54、1.30 mg/m L,萃取时间仅需2 min,与传统液液萃取相比,芯片萃取的萃取率分别提高了12%、13%、15%。结论:该方法简单、快速、萃取效率高。 展开更多
关键词 微流控芯片 液-液萃取 人参皂苷
在线阅读 下载PDF
4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
3
作者 郑云哲 林冰金 +3 位作者 张明昆 蔡加法 陈厦平 吴正云 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期737-741,共5页
利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随... 利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,后向长波方向移动,在60 K时移至282 nm附近;同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小。此外,我们对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论,提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应。 展开更多
关键词 光电子学 4H—SiC p—i—n紫外光电探测器 温度特性 光电特性
在线阅读 下载PDF
电纺中电流行为及其在形貌控制中的应用
4
作者 谷丹丹 王凌云 +1 位作者 孙道恒 席文明 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第5期305-310,共6页
根据质量守恒和电荷守恒定律,在分析溶液中电荷形成及电流传导的理论基础上推导了电纺电流与纺丝电压以及溶液流量之间所存在的幂指数数学关系,并通过实验验证了该结果的正确性。利用I-V转换电路所记录的实时纺丝电流和纺丝结果的形貌对... 根据质量守恒和电荷守恒定律,在分析溶液中电荷形成及电流传导的理论基础上推导了电纺电流与纺丝电压以及溶液流量之间所存在的幂指数数学关系,并通过实验验证了该结果的正确性。利用I-V转换电路所记录的实时纺丝电流和纺丝结果的形貌对比,得出了四种电流波动状况下的不同电纺形貌特征,并对其产生机制进行了定性分析。基于电纺电流与纺丝结果和电纺工艺参数之间的内在关系,提出了一种基于电纺电流的静电纺丝反馈控制装置,试图通过对电纺电压和溶液流量的反馈控制,实现对静电纺丝电流即纺丝形貌的一致控制,进一步达到稳定电纺质量的目的。 展开更多
关键词 静电纺丝 电纺电流 电纺电压 形貌 反馈控制
在线阅读 下载PDF
气相输运法制备ZnO薄膜(英文) 被引量：3
5
作者 林秀珠 李静 吴启辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期189-193,共5页
运用气相输运技术在不同的衬底上制备ZnO薄膜,同时对这些ZnO薄膜的表面形貌、晶体结构和光学特性进行表征。在扫描电子显微镜图像上可以看到,相比没有镀金的Si衬底,ZnO纳米颗粒在镀金的Si衬底上的生长尺寸较大。X射线衍射测试结果表明,... 运用气相输运技术在不同的衬底上制备ZnO薄膜,同时对这些ZnO薄膜的表面形貌、晶体结构和光学特性进行表征。在扫描电子显微镜图像上可以看到,相比没有镀金的Si衬底,ZnO纳米颗粒在镀金的Si衬底上的生长尺寸较大。X射线衍射测试结果表明,在Si(111)和Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜显示出不同的六角纤锌矿结构的衍射峰,但没有出现立方闪锌矿ZnO结构的衍射峰。在镀金的Si衬底上,ZnO薄膜生长取向主要为c轴方向。此外,所有ZnO样品的光致发光谱上均只出现一个狭窄且强的紫外峰,约在389 nm(3.19 eV)波长处。 展开更多
关键词 ZNO 薄膜 气相输运 水蒸气
在线阅读 下载PDF
4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
6
作者 钟林瑛 洪荣墩 +3 位作者 林伯金 蔡加法 陈厦平 吴正云 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期742-747,共6页
应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^... 应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3)。模拟分析了该APD的反向Ⅳ特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子10~5;在0 V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58%;临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×10~3;其归一化探测率最大可达1.5×10^(16)cmHz^(1/2)W^(-1)。结果显示该APD具有较好的紫外探测性能。 展开更多
关键词 光电子学 4H—SiC APD 光谱响应 探测率
在线阅读 下载PDF
用于能量传输的生物体植入式MEMS电感线圈的设计
7
作者 骆明辉 卢露 郭航 《生命科学仪器》 2009年第10期45-48,共4页
为了能得到植入在生物体内,用于体内微型电子系统与体外设备信号和能量传输的高品质因数Q值和高电感量L值的MEMS电感线圈,本文首先对MEMS电感模型做了理论分析,然后在充分考虑功率传输要求、植入器件体积的限制以及制作工艺的可实现性... 为了能得到植入在生物体内,用于体内微型电子系统与体外设备信号和能量传输的高品质因数Q值和高电感量L值的MEMS电感线圈,本文首先对MEMS电感模型做了理论分析,然后在充分考虑功率传输要求、植入器件体积的限制以及制作工艺的可实现性的情况下,用高精度的3D电磁仿真软件HFSS,对电感的主要参数如圈数N、线宽W、导线间隙S、导线厚度H、导线材料M和衬底电导率σ作了优化设计。最终确定N=10、W=25μm、S=50μm、H=48μm、M为Cu、σ=0.1S/m。数值仿真的结果显示Q=17.6,L=55nH,=240MHz,=1.2GHz,它们能很好地符合能量传输的功率要求和信号传输的带宽要求。 展开更多
关键词 集成电感 可植入式微器件 MEMS 能量耦合 SU-8 电镀
在线阅读 下载PDF
基于微流控芯片的微阵列分析 被引量：4
8
作者 瞿祥猛 林荣生 陈宏 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第1期221-230,共10页
微阵列芯片具有高通量、微量化和自动化等特点,已经在很多领域得到广泛应用。但是微阵列芯片仍然具有不足之处,如所需设备昂贵、分析时间较长、灵敏度不高、多样品平行分析能力不足等。微流控芯片微米级的通道具有相对较大的比表面积和... 微阵列芯片具有高通量、微量化和自动化等特点,已经在很多领域得到广泛应用。但是微阵列芯片仍然具有不足之处,如所需设备昂贵、分析时间较长、灵敏度不高、多样品平行分析能力不足等。微流控芯片微米级的通道具有相对较大的比表面积和较短的扩散距离,能够显著加快分析速度、提高检测效率、增强分析性能,并且能够加工大量的平行通道用于多样品分析。目前已经有大量文献报道将微流控芯片和微阵列芯片相结合,发展了独特的杂交方式并在实验和理论上分别证明了两者相结合的优势,本文综述了将微流控芯片技术应用于微阵列分析的研究进展,着重介绍了在微流控芯片上进行微阵列分析时的杂交方式、促进杂交的措施以及杂交过程的数学建模,同时也介绍了其他分析步骤方面的进展。最后分析了目前微流控芯片技术在进行微阵列杂交应用方面的不足及其原因,并指出这两项技术相结合的优势和未来。 展开更多
关键词 微流控芯片 微阵列芯片 核酸 杂交
原文传递
染料敏化太阳能电池中电子复合的抑制
9
作者 林红 刘传杰 +2 位作者 李鑫 申何萍 李建保 《世界科技研究与发展》 CSCD 2009年第6期993-996,1010,共5页
简述了染料敏化太阳能电池中电子的传递和复合的机制,以及抑制电子复合的二种方法:包覆改性和共吸附剂小分子改性,分别对包覆改性和共吸附剂小分子改性的基本作用原理和研究现状进行了介绍。
关键词 染料敏化 太阳能电池 电子复合 包覆 共吸附剂
原文传递
InGaN单结太阳电池中的浅能级杂质的理论计算和模拟 被引量：4
10
作者 林硕 沈晓明 +3 位作者 张保平 李福宾 李建功 孟祥海 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第15期1446-1452,共7页
通过氢有效质量理论(HEMT)对In0.65Ga0.35N(高In组分,Eg=1.31eV)太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能:ΔED～10.8meV,ΔEA～90meV.在此基础上得到了室温条件下In0.65Ga0.35N的浅能级施主和受主强电离时... 通过氢有效质量理论(HEMT)对In0.65Ga0.35N(高In组分,Eg=1.31eV)太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能:ΔED～10.8meV,ΔEA～90meV.在此基础上得到了室温条件下In0.65Ga0.35N的浅能级施主和受主强电离时的杂质浓度范围:施主9.56×108～4.57×1016cm-3,受主9.56×108～7.84×1016cm-3;并估算了产生杂质能带的最低杂质浓度:施主～1×1018cm-3,受主～5.79×1020cm-3.然后借助AMPS-1D软件对含有部分电离的浅能级施主、受主In0.65Ga0.35N单结太阳电池进行模拟,详细讨论了施主能级和受主能级对载流子的俘获对太阳电池效率的影响.本文结果为InGaN单结和多结太阳电池的掺杂(尤其是p型掺杂)和制备提供了理论参考和帮助。 展开更多
关键词 INGAN 单结太阳电池 浅能级杂质 理论计算 AMPS
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部