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以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn(1-x)O纳米纤维及其光学性质研究 被引量:1
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作者 贾慧民 唐吉龙 +10 位作者 方铉 王双鹏 赵海峰 房丹 王晓华 方芳 李金华 楚学影 魏志鹏 马晓辉 徐莉 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3197-3200,共4页
采用静电纺丝方法制备聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纳米纤维,并以其为模板采用原子层沉积(ALD)方法制备不同Mg掺杂浓度的MgxZn1-xO纳米纤维。研究了不同Mg掺杂浓度对复合纳米纤维结构和光学性质的影响。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、光致发... 采用静电纺丝方法制备聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纳米纤维,并以其为模板采用原子层沉积(ALD)方法制备不同Mg掺杂浓度的MgxZn1-xO纳米纤维。研究了不同Mg掺杂浓度对复合纳米纤维结构和光学性质的影响。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、光致发光(PL)和紫外-可见光(UV-Vis)吸收谱对样品测试并进行表征分析。结果表明,Mg元素的掺入并没有改变ZnO纳米纤维的形貌,所有样品的表面形貌极其相似,只是掺杂后纤维直径有所增大;随着Mg掺杂浓度的增加吸收边逐渐发生蓝移,表明所制备MgxZn1-xO纤维的带隙具有可调节性。与此同时,在PL谱中可以观察到样品的紫外(UV)发光峰从377nm移动至362nm,且与不掺杂的样品相比,MgxZn1-xO纳米纤维的UV发光强度明显增强。通过这种方法可以合成组分可控的MgxZn1-xO纳米纤维。在ZnO中掺入Mg元素可以有效地提高ZnO-PVP纳米纤维的禁带宽度以及UV发射强度。 展开更多
关键词 Mg掺杂ZnO PVP 纳米纤维 静电纺丝 ALD
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扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究 被引量:1
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作者 陈芳 房丹 +11 位作者 王双鹏 方铉 唐吉龙 赵海峰 方芳 楚学影 李金华 王菲 王晓华 刘国军 马晓辉 魏志鹏 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1787-1790,共4页
采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响... 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。 展开更多
关键词 扩散掺杂 P型ZNO P掺杂 原子层沉积 光致发光
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氮掺杂发光碳纳米点的研究探索 被引量:8
3
作者 曲松楠 刘星元 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1019-1026,共8页
采用微波法制备了氮掺杂碳纳米点。通过调控碳纳米点中氮元素的掺杂含量和表面的化学环境,实现了对碳纳米点发光特性的调控。在此基础上,可实现完全基于氮掺杂碳纳米点的荧光墨水、比率型荧光探针及光泵浦激光。研究目的在于探索氮掺杂... 采用微波法制备了氮掺杂碳纳米点。通过调控碳纳米点中氮元素的掺杂含量和表面的化学环境,实现了对碳纳米点发光特性的调控。在此基础上,可实现完全基于氮掺杂碳纳米点的荧光墨水、比率型荧光探针及光泵浦激光。研究目的在于探索氮掺杂碳纳米点的发光机理,揭示影响碳纳米点荧光量子效率的因素及其在生物成像、传感、防伪、信息存储、激光等领域的应用。 展开更多
关键词 碳纳米点 氮掺杂 荧光墨水 荧光探针 激光
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M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5(M=Ca,Sr,Ba,Ln=La,Gd,Lu)红色荧光粉发光性质的研究 被引量:6
4
作者 孙晓园 王玉晓 +4 位作者 祁金刚 于立军 骆永石 张家骅 吴春雷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期138-143,共6页
用高温固相反应法合成了M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5(M=Ca,Sr,Ba,Ln=La,Lu,Gd)荧光粉,研究了荧光粉的发光性质。在紫外光和近紫外光激发下,样品的发射光谱由Eu^(3+)的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)特征发射组成。其中Eu3+离子位于590 nm附近的5D0→7F... 用高温固相反应法合成了M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5(M=Ca,Sr,Ba,Ln=La,Lu,Gd)荧光粉,研究了荧光粉的发光性质。在紫外光和近紫外光激发下,样品的发射光谱由Eu^(3+)的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)特征发射组成。其中Eu3+离子位于590 nm附近的5D0→7F1和位于620 nm附近的5D0→7F2跃迁发射的强度最强。荧光粉的激发光谱都是由O^(2-)-Eu^(3+)电荷迁移带和Eu^(3+)的f-f跃迁构成的。M_2Eu_xLa_(1-x)AlO_5(M=Ca,Sr,Ba)的O2--Eu^(3+)的电荷迁移带的峰位按Ca、Sr、Ba顺序向长波方向移动。研究了用La、Gd和Lu替代M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5中Ln的位置对样品发光的影响。给出了Eu^(3+)浓度对发光强度的影响。分析了M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5和M_2Eu_xLn_(1-x)AlO_5的荧光寿命。 展开更多
关键词 荧光粉 发光 白光LED
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微腔有机电致发光器件角度依赖性的模拟与实验验证 被引量:5
5
作者 张春玉 王庆凯 +1 位作者 秦莉 荣华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期454-458,共5页
为了分析微腔有机电致发光器件(MOLED)发光的角度依赖性,根据微腔计算公式,采用传输矩阵法进行了模拟计算,并进行了实验验证。所设计器件的结构为Glass/DBR/ITO(58 nm)/NPB(46 nm)/DPVBi(20 nm)/Alq3(56 nm)/Li F(1 nm)/Al(150 nm)。由... 为了分析微腔有机电致发光器件(MOLED)发光的角度依赖性,根据微腔计算公式,采用传输矩阵法进行了模拟计算,并进行了实验验证。所设计器件的结构为Glass/DBR/ITO(58 nm)/NPB(46 nm)/DPVBi(20 nm)/Alq3(56 nm)/Li F(1 nm)/Al(150 nm)。由实验得到的电致发光(EL)谱可以观察到:随着探测角度的加大,发光峰蓝移、强度减小。与模拟得出的不同观测角度下的反射谱进行比较,发现透射峰值与EL峰值相对应。模拟分析发现,这是由于观测角不同,微腔两个反射镜的S和P偏振的反射率及反射相移不同,同时腔内光学厚度发生变化,即微腔长度变化共同作用所导致。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 微腔 角度依赖性
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氧化光栅型垂直腔面发射激光器的研究 被引量:4
6
作者 张祥伟 宁永强 +2 位作者 秦莉 刘云 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1517-1520,共4页
通过分析矩形出光孔径和亚波长金属光栅结构,发现大孔径高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制的难点在于横模非常复杂。因此提出一种新型的氧化光栅型VCSEL结构,不仅能够很好地在有源区内引入各项异性的增益结构,并且最大的优势... 通过分析矩形出光孔径和亚波长金属光栅结构,发现大孔径高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振控制的难点在于横模非常复杂。因此提出一种新型的氧化光栅型VCSEL结构,不仅能够很好地在有源区内引入各项异性的增益结构,并且最大的优势还在于能够完美地控制大孔径VCSEL的横模。通过有限元软件对器件有源区的电流分布进行了模拟,发现当光栅脊的宽度为1.8μm时,载流子在光栅两端聚集的现象基本上可以消除,而且其电流密度分布差可以达到很高。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 氧化光栅 偏振控制
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海胆状ZnO纳米线阵列的制备及其光学性能 被引量:3
7
作者 徐志堃 赵东旭 +4 位作者 孙兰兰 鄂书林 张振中 秦杰明 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1001-1005,共5页
采用一种低成本的有效方法制备出了有序排列的海胆状ZnO纳米线阵列。首先利用自组装的方法得到了单层的聚苯乙烯(PS)小球,以其为模板用水热法在小球表面生长ZnO纳米线,得到了由PS小球和ZnO纳米线构成的海胆状结构。纳米线的直径均一,长... 采用一种低成本的有效方法制备出了有序排列的海胆状ZnO纳米线阵列。首先利用自组装的方法得到了单层的聚苯乙烯(PS)小球,以其为模板用水热法在小球表面生长ZnO纳米线,得到了由PS小球和ZnO纳米线构成的海胆状结构。纳米线的直径均一,长度可通过水热反应时间进行控制。利用这种方法制备的一维ZnO纳米结构在传感器、太阳能电池及光催化领域有潜在的应用价值。 展开更多
关键词 ZNO 聚苯乙烯小球 纳米线 水热法
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树形结构Si/ZnO纳米线阵列的制备及光学性能
8
作者 徐志堃 赵东旭 +4 位作者 孙兰兰 鄂书林 张振中 秦杰明 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期760-763,共4页
用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列。利用磁控溅射... 用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列。利用磁控溅射在Si纳米线表面制备一层ZnO薄膜,然后利用水热法在Si纳米线阵列上生长了ZnO纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)和光致发光(PL)测试对样品进行了表征。通过这种方法制备的Si/ZnO复合结构在太阳能电池、光催化等领域有潜在应用价值。 展开更多
关键词 ZNO SI 金属辅助化学腐蚀 水热法 纳米线阵列
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直立Zn_2GeO_4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究
9
作者 李婷 方芳 +7 位作者 周政 赵海峰 方铉 李金华 楚学影 魏志鹏 房丹 王晓华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期1188-1193,共6页
利用化学气相沉积法(CVD)在表面溅射Au和沉积ZnO籽晶的硅衬底上分别生长高度有序、垂直密布的直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)谱测试手段对所制备样品进行表征和发光特性的研究。... 利用化学气相沉积法(CVD)在表面溅射Au和沉积ZnO籽晶的硅衬底上分别生长高度有序、垂直密布的直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)谱测试手段对所制备样品进行表征和发光特性的研究。所制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒的直径为350~400 nm,高度为10~11μm;室温PL谱观察到3个来源于Zn2GeO4的典型发光峰。最后,对CVD法制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒生长机理进行了分析。该种直立性良好的一维纳米棒材料可以广泛地应用到纳米光电子器件中。 展开更多
关键词 CVD 直立 Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列 发光特性
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三维有序大孔ZrO_2的制备及其光学性质 被引量:1
10
作者 肖宇 丛妍 +4 位作者 赵宇飞 韩龙 董文昌 付悦 李斌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期406-410,共5页
以聚苯乙烯(PS)微球作为模板剂,采用溶胶-凝胶及煅烧处理等方法制备了三维有序大孔ZrO2材料。通过X射线衍射(XRD)以及扫描电镜(SEM)对其结构和形貌进行了表征。结果表明所制备的ZrO2材料为孔径约为180 nm的高度有序、堆叠紧密的三维有... 以聚苯乙烯(PS)微球作为模板剂,采用溶胶-凝胶及煅烧处理等方法制备了三维有序大孔ZrO2材料。通过X射线衍射(XRD)以及扫描电镜(SEM)对其结构和形貌进行了表征。结果表明所制备的ZrO2材料为孔径约为180 nm的高度有序、堆叠紧密的三维有序大孔结构(3DOM)。对3DOM ZrO2的光谱分析表明:在宽禁带的ZrO2材料中存在着本征缺陷发光(氧空位缺陷)和杂质缺陷(主要杂质为TiO2)发光,掺杂浓度与基质的晶相结构对两种发光起到了至关重要的作用。对发光过程提出了简单的机理模型。 展开更多
关键词 三维有序大孔材料 ZRO2 胶晶模板法 发光
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有机材料EnBOD的放大自发发射性能研究 被引量:2
11
作者 张镭 杨杨 +1 位作者 高劼超 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期661-665,共5页
在紫外脉冲激光泵浦条件下,研究了有机材料En BOD的放大自发发射(ASE)性能。En BOD的甲苯稀溶液样品具有较窄的吸收和荧光光谱,主峰分别位于508 nm和527 nm。其ASE效率随着溶液浓度而变化,浓度为0.008 mol·L-1的En BOD样品具有最高... 在紫外脉冲激光泵浦条件下,研究了有机材料En BOD的放大自发发射(ASE)性能。En BOD的甲苯稀溶液样品具有较窄的吸收和荧光光谱,主峰分别位于508 nm和527 nm。其ASE效率随着溶液浓度而变化,浓度为0.008 mol·L-1的En BOD样品具有最高的ASE效率,达到22.6%。其ASE主峰位于542 nm,阈值约为29.5 k W·cm-2。阈值后的ASE半宽约为12.4 nm。经紫外脉冲激光20万次泵浦后,ASE的光强衰减为初始强度的61.2%。结果表明En BOD是一种ASE阈值较低、光稳定性良好的激光材料。 展开更多
关键词 有机材料 放大自发发射 光稳定性
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石墨烯应用于GaN基材料的研究进展 被引量:3
12
作者 徐昌一 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期778-785,共8页
石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性,被视为新型材料的突破口;GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质,已经成为"继硅之后最重要的半导体材料"。将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合,发挥两种材料体系的... 石墨烯具有优异的光学、电学、机械等特性,被视为新型材料的突破口;GaN基材料具有直接宽禁带、热稳定性强、高功率等性质,已经成为"继硅之后最重要的半导体材料"。将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合,发挥两种材料体系的优势,将为光电子、微电子器件的发展带来新的契机。关于石墨烯与GaN基材料相结合的研究目前已经有所突破,本文简要概述了近年来石墨烯与GaN基材料接触机理方面和石墨烯应用于GaN基材料器件方面的进展状态。 展开更多
关键词 石墨烯 GAN材料 石墨烯GaN接触
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不对称卟啉共价固载于硅基介孔薄膜材料模拟RS触发器的研究
13
作者 李鹏 范镝 +2 位作者 高颉 李斌 韩光喜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期1480-1486,共7页
合成了5-(4-氨基苯基)-10,15,20-三苯基卟啉(ATPP),并成功将其以共价嫁接的形式固载于介孔二氧化硅薄膜。基于卟啉化合物对酸碱的特异性响应,实现了对RS触发器逻辑功能的模拟。卟啉化合物被共价固载于介孔薄膜材料使得该分子逻辑器件具... 合成了5-(4-氨基苯基)-10,15,20-三苯基卟啉(ATPP),并成功将其以共价嫁接的形式固载于介孔二氧化硅薄膜。基于卟啉化合物对酸碱的特异性响应,实现了对RS触发器逻辑功能的模拟。卟啉化合物被共价固载于介孔薄膜材料使得该分子逻辑器件具有相对较大的表面积、周期性排布的均一孔道结构以及高的光透过性等介孔薄膜材料的优异性质。这种混合多孔结构不但有利于嫁接于介孔材料中的卟啉与酸碱的更有效相互作用,而且还使酸碱输入能够被更加彻底地清除。 展开更多
关键词 卟啉 分子逻辑 介孔分子筛薄膜 共价接 RS触发器
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芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜放大自发辐射稳定性研究
14
作者 吕晨曦 张镭 +3 位作者 杨杨 张立功 林杰 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期499-506,共8页
对苯基、萘基和蒽基在中位取代的氟硼二吡咯(BODIPY)衍生物薄膜的放大自发辐射(ASE)性能进行了研究,探讨了影响材料ASE稳定性的因素。首先,将3种BODIPY衍生物材料PhBOD、NaBOD和EnBOD掺入聚苯乙烯经溶液旋涂法制备成薄膜,接下来测试了... 对苯基、萘基和蒽基在中位取代的氟硼二吡咯(BODIPY)衍生物薄膜的放大自发辐射(ASE)性能进行了研究,探讨了影响材料ASE稳定性的因素。首先,将3种BODIPY衍生物材料PhBOD、NaBOD和EnBOD掺入聚苯乙烯经溶液旋涂法制备成薄膜,接下来测试了吸收光谱和荧光光谱,然后在光泵浦条件下测量了3种样品的ASE性能,获得了材料的ASE阈值。进一步通过长时间泵浦、环境中长时间放置和高温环境下泵浦等方法研究了材料的光稳定性、ASE环境稳定性和热稳定性。最后使用Gaussian 09计算了分子基态性质。实验结果表明,PhBOD、NaBOD和EnBOD薄膜的初始阈值分别为12.4,4.55,3.4 k W/cm^2,其中PhBOD有较强的ASE稳定性。ASE稳定性差异可能与分子结构的共轭程度和化学稳定性相关。分子中各个基团的共轭程度较大、Mulliken电荷分布对称性较好的材料具有较好的ASE稳定性。 展开更多
关键词 氟硼二吡咯衍生物 放大自发辐射 稳定性 分子结构
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大功率半导体激光器研究进展 被引量:131
15
作者 王立军 宁永强 +2 位作者 秦莉 佟存柱 陈泳屹 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期1-19,共19页
对半导体激光器的发展历史和发展现状进行了综述,并具体介绍了长春光学精密机械与物理研究所近年来在大功率半导体激光器方面所取得的主要进展,特别是在大功率半导体激光器的激光光源、垂直腔面发射激光器和新型激光器芯片等方面。
关键词 大功率 半导体激光器 边发射激光器 垂直腔面发射激光器 芯片
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高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵 被引量:6
16
作者 张金胜 刘晓莉 +5 位作者 崔锦江 宁永强 朱洪波 张金龙 张星 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1098-1103,共6页
为了实现808 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的高功率输出,对808 nm VCSEL的分布式布拉格反射镜(DBR)结构材料进行了优化设计,分析了AlxGa1-xAs材料中Al组分对于折射率与吸收的影响,并最终确定了材料。采用非闭合环结构制备了2×2 VC... 为了实现808 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的高功率输出,对808 nm VCSEL的分布式布拉格反射镜(DBR)结构材料进行了优化设计,分析了AlxGa1-xAs材料中Al组分对于折射率与吸收的影响,并最终确定了材料。采用非闭合环结构制备了2×2 VCSEL列阵。通过波形分析法对VCSEL列阵的功率进行了测量:在脉冲宽度为20 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为110 A的条件下,最大峰值功率为30 W;在脉冲宽度为60 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为30 A的条件下,最大功率为9 W。对列阵的近场和远场进行了测量,激光器垂直发散角和水平发散角半高全宽分别为16.9°和17.6°。 展开更多
关键词 高峰值功率 808 NM 垂直腔面发射激光器 列阵
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MgO对Sr_2SiO_4∶Eu^(2+)荧光粉发光性质的影响 被引量:6
17
作者 孙晓园 李春杰 +4 位作者 贺小光 于立军 高允锋 骆永石 张家骅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期389-393,共5页
通过在Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉中加入MgO,提高了Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉的蓝光和黄光发射带的发射强度,研究了MgO浓度对Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉发光强度的影响。当Mg与Si的量比在1.0附近时,荧光粉的亮度较高,且发光颜色为白色。通过调节Sr2SiO4∶... 通过在Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉中加入MgO,提高了Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉的蓝光和黄光发射带的发射强度,研究了MgO浓度对Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉发光强度的影响。当Mg与Si的量比在1.0附近时,荧光粉的亮度较高,且发光颜色为白色。通过调节Sr2SiO4∶yEu2+,MgO荧光粉中Eu2+的掺杂浓度,可以调节荧光粉的发光颜色。用Sr2SiO4∶Eu2+,MgO和400 nm的InGaN管芯制备的白光LED,色坐标优于α'-Sr2SiO4∶Eu2+和β-Sr2SiO4∶Eu2+荧光粉制成的白光LED,显色指数和流明效率高于β-Sr2SiO4∶Eu2+和α'-Sr2SiO4∶Eu2+制成的白光LED。 展开更多
关键词 Sr2SO4∶Eu2+ 荧光粉 发光 白光LED
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载流子迁移率对有机太阳能电池性能影响的模拟研究 被引量:6
18
作者 朱键卓 杜会静 +2 位作者 苏子生 朱世敏 徐天赋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期463-468,共6页
通过器件模拟的方法研究了载流子迁移率对有机太阳能电池性能的影响。研究发现载流子迁移率同时影响光生电子-空穴对的解离和载流子的输运过程,电子和空穴的迁移率都有一个最佳值。大于最佳值会导致短路电流的微小上升和开路电压的大幅... 通过器件模拟的方法研究了载流子迁移率对有机太阳能电池性能的影响。研究发现载流子迁移率同时影响光生电子-空穴对的解离和载流子的输运过程,电子和空穴的迁移率都有一个最佳值。大于最佳值会导致短路电流的微小上升和开路电压的大幅下降;小于最佳值会降低光生电子-空穴对的解离效率,进而使短路电流和填充因子明显下降。 展开更多
关键词 有机太阳能电池 迁移率 短路电流 开路电压 填充因子
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高光束质量大功率垂直腔面发射激光 被引量:4
19
作者 宁永强 张星 +5 位作者 秦莉 刘云 王伟 张立森 王贞福 王立军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期3219-3225,共7页
大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)在激光泵浦、激光测距、激光雷达等领域有广泛的应用前景,但目前的常规激光器材料结构尚未针对大功率激光输出进行优化设计。特别是为获得大功率激光输出所采用的大出光窗口导致的激光光束质量劣化成为... 大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)在激光泵浦、激光测距、激光雷达等领域有广泛的应用前景,但目前的常规激光器材料结构尚未针对大功率激光输出进行优化设计。特别是为获得大功率激光输出所采用的大出光窗口导致的激光光束质量劣化成为限制其应用发展的核心问题之一。针对上述问题对激光器材料结构与器件结构进行了两方面的新结构设计和研制:(1)以实现大功率激光输出为目标,材料结构设计上对出光窗口一侧的N-DBR反射率进行了调整,以具有99.3%反射率的n-DBR替代常规结构中所采用的99.7%以上反射率。与常规材料结构相比,采用优化后的材料结构制备的直径500μm出光孔径的单管器件在注入电流110 A时激光输出功率达到102 W,而单元出光窗口直径100μm的5×5阵列在100 A电流下的激光输出功率为103 W,单元直径为140μm的8×8阵列在130 A注入电流下的激光输出功率达到115 W;(2)针对大出光窗口导致的光束质量劣化,通过湿法化学刻蚀研制了直接集成在出光窗口表面的微透镜结构,单元出光窗口直径为90μm的6×6阵列器件在4 A注入电流下的激光光束发散角压缩到6.6°,与未集成微透镜时的14.8°相比有了大幅改善。实验结果表明:降低n-DBR反射率及集成微透镜结构有效地改善提高了大功率垂直腔面发射激光的输出功率和激光光束质量。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 大功率 高光束质量 微透镜 窄脉冲
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新型红色磷光铱配合物的合成与电致发光性能 被引量:5
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作者 张丽英 李斌 +1 位作者 刘秀英 王建星 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期166-170,共5页
设计并合成了含羟基配体8-苯并噻唑基2-萘酚(HNBT),并以其为辅助配体、2-苯基吡啶(ppy)为第一配体合成了红色磷光铱配合物Ir(ppy)2(NBT)。采用真空蒸镀的方法,以Ir(ppy)2(NBT)为发光中心制备了红色有机电致磷光器件,详细研究了配合物Ir(... 设计并合成了含羟基配体8-苯并噻唑基2-萘酚(HNBT),并以其为辅助配体、2-苯基吡啶(ppy)为第一配体合成了红色磷光铱配合物Ir(ppy)2(NBT)。采用真空蒸镀的方法,以Ir(ppy)2(NBT)为发光中心制备了红色有机电致磷光器件,详细研究了配合物Ir(ppy)2(NBT)的热稳定性、光物理与电致发光性能。值得注意的是,配合物Ir(ppy)2(NBT)的发射谱图近似于高斯形状,只有一个位于614 nm的发射主峰,没有肩峰出现,且半峰宽仅为65 nm;此外,基于配合物Ir(ppy)2(NBT)的最佳器件的最大亮度和效率分别是6 400 cd/m2和4.53 cd/A。 展开更多
关键词 电致磷光 铱配合物 红光 有机电致发光
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