碳污染对钛膜吸氢能力影响的研究 被引量：2

1

作者 张强基 漆其鸿 +3 位作者 曹昭 赵鹏骥 翟国良 牟方明 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第1期45-50,共6页

在钼基底上蒸镀钛膜，用乙炔（C2H2）在钛膜表面引入碳污染，用X射线光电子谱和俄歇电子谱研究钛膜表面的碳的化学状态，以及表面的碳污染对钛膜吸氢能力的影响。实验发现，碳在钛表面以两种到三种化学状态存在。碳在钛表面将使钛膜的... 在钼基底上蒸镀钛膜，用乙炔（C2H2）在钛膜表面引入碳污染，用X射线光电子谱和俄歇电子谱研究钛膜表面的碳的化学状态，以及表面的碳污染对钛膜吸氢能力的影响。实验发现，碳在钛表面以两种到三种化学状态存在。碳在钛表面将使钛膜的吸氢能力下降，而且不同化学状态的碳对钛膜吸氢能力的影响也不同。实验结果表明，呈TiC状态的碳是降低钛膜吸氢能力的主要因素，其原因是它使解离吸附位置减少。 展开更多

关键词 钛膜 碳污染 薄膜 俄歇电子谱 吸氢量

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钯对钛膜吸氢能力的抗污染作用的研究 被引量：2

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作者 张强基 傅希涌 +3 位作者 漆其鸿 赵鹏骥 翟国良 牟方明 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第6期394-399,共6页

为寻求一种防止因表面污染而导致钛膜吸氢能力下降的途径，用表面分析方法检测样品表面状态，用质谱仪测量样品吸氧能力，研究了表面状态和吸氢能力的相互关系。采用在钛膜上淀积钯膜（蒸发或溅射）的方法，可使受碳、氧污染的钛膜吸氢... 为寻求一种防止因表面污染而导致钛膜吸氢能力下降的途径，用表面分析方法检测样品表面状态，用质谱仪测量样品吸氧能力，研究了表面状态和吸氢能力的相互关系。采用在钛膜上淀积钯膜（蒸发或溅射）的方法，可使受碳、氧污染的钛膜吸氢能力得以恢复。这种钯／钛复合结构在吸氢能力上对碳、氧污染并不灵敏。对样品的近费米能级处的占有电子态密度（densityofstate，DOS）的测量证明，凡吸氢能力良好的样品，DOS呈峰形结构。具有抗污染能力的钯／钛结构，其DOS因污染而导致的变化很小，而无抗污染能力的钛膜，其峰形结构受污染作用而消失。这种峰形结构能提供氢分子解离吸附过程中所需的电子。 展开更多

关键词 钯钛复合结构 表面污染 吸氢量 钯 钛

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GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法 被引量：1

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作者 陈溪滢 曹华 +7 位作者 徐前江 王杰 朱炜 曹先安 张甫龙 丁训民 侯晓远 陆明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期476-480,共5页

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用... 本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜． 展开更多

关键词 砷化镓表面 硫钝化法 辉光放电法

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钛和氘化钛的电子谱特征 被引量：1

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作者 张勇 丁力 +3 位作者 张强基 牟方明 翟国良 赵鹏骥 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第3期152-156,共5页

在SKL－12型多功能谱仪上进行了纯钛和氘化钛（TiD1.7）能量损失谱（ELS）和X射线光电子谱（XPS）的研究。实验发现，氘化钛的等离激元的能量增加，并且其Ti2p1/2，2p3/2能级的结合能增大。氘化钛较之纯钛其费米能级以下5～11eV出现一... 在SKL－12型多功能谱仪上进行了纯钛和氘化钛（TiD1.7）能量损失谱（ELS）和X射线光电子谱（XPS）的研究。实验发现，氘化钛的等离激元的能量增加，并且其Ti2p1/2，2p3/2能级的结合能增大。氘化钛较之纯钛其费米能级以下5～11eV出现一新的能态。以上结果表明：氘原子的电子在氘化钛中的行为类似自由电子，同时，钛与氘之间发生电荷转移，电子转移的方向为Ti→D。 展开更多

关键词 钛 氘化钛 X光电子谱 能量损失谱 特征 电子谱

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表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理 被引量：1

5

作者 张强基 张勇 +3 位作者 丁力 赵鹏骥 翟国良 牟方明 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第6期397-400,共4页

表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多。在厚度d为40nm，表面氧污染的钛膜表面上，重新蒸镀一层极薄的（约1．2nm）清洁钛膜，吸氢、释氢的测量表明其吸氢能力得到恢复。另外，还对其他四块不同厚度的钛膜，在表面清... 表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多。在厚度d为40nm，表面氧污染的钛膜表面上，重新蒸镀一层极薄的（约1．2nm）清洁钛膜，吸氢、释氢的测量表明其吸氢能力得到恢复。另外，还对其他四块不同厚度的钛膜，在表面清洁及氧污染的条件下，分别进行了吸氢能力实验。实验结果证实：氧污染降低钛膜吸氢能力的原因是使钛膜上氢分子解离的位置减少，而不是扩散阻挡层的作用。 展开更多

关键词 钛膜 氧污染 吸氢能力 扩散阻挡层 吸气材料

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因子分析法在Ta_2O_5/Ta俄歇深度剖析上的应用 被引量：2

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作者 李敏 张强基 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第1期13-20,共8页

将一种基于多元统计方法的因子分析法用于俄歇深度剖面分析,采用Ar^+离子轰击Ta_2O_5/Ta样品,俄歇峰采用具有高表面灵敏度和化学态灵敏的NOO俄歇跃迁,用因子分析可得到Ta的三种可区别的不同化学态即Ta、Ta_2O_5和Ta_xO_y,并且能提高探... 将一种基于多元统计方法的因子分析法用于俄歇深度剖面分析,采用Ar^+离子轰击Ta_2O_5/Ta样品,俄歇峰采用具有高表面灵敏度和化学态灵敏的NOO俄歇跃迁,用因子分析可得到Ta的三种可区别的不同化学态即Ta、Ta_2O_5和Ta_xO_y,并且能提高探测灵敏度。 展开更多

关键词 俄歇电子谱法 氧化钽 钽 因子分析

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薄膜淀积过程中的电荷转移 被引量：1

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作者 张强基 金万春 陆明 《真空》 CAS 北大核心 1996年第4期18-22,共5页

本文介绍了一种用满足一定条件的俄歇谱线的峰－峰幅度值来研究局域电子态密度的方法。并用此方法研究了成膜原子与衬底原子间的电荷交换行为。结果表明当Ｃｕ（Ｎｉ）淀积到衬底Ｎｉ（Ｃｕ）的初期阶段，Ｎｉ的部分价带电子转移到Ｃｕ... 本文介绍了一种用满足一定条件的俄歇谱线的峰－峰幅度值来研究局域电子态密度的方法。并用此方法研究了成膜原子与衬底原子间的电荷交换行为。结果表明当Ｃｕ（Ｎｉ）淀积到衬底Ｎｉ（Ｃｕ）的初期阶段，Ｎｉ的部分价带电子转移到Ｃｕ中。同样结果也发生在Ｃｕ淀积到Ｍｏ衬底上的情况。本研究表明，薄膜的一些宏观性质（如膜层和衬底的粘附）可以和微观的现象相联系。 展开更多

关键词 俄歇信号 电荷转移 薄膜 淀积

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钛膜吸氢与释氢特性的研究

8

作者 张勇 丁力 +3 位作者 张强基 牟方明 翟国良 赵鹏骥 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第3期201-206,共6页

在SKL－12型多功能谱仪的预处理室中，采用超高真空镀膜的方法，得到了表面清洁的钛膜。对表面清洁及有一定量氧污染的钛膜进行了吸氢、释氢实验，并用理论模型拟合实验数据。结果表明：表面氧污染使钛膜吸氢能力降低，其原因在于氧原... 在SKL－12型多功能谱仪的预处理室中，采用超高真空镀膜的方法，得到了表面清洁的钛膜。对表面清洁及有一定量氧污染的钛膜进行了吸氢、释氢实验，并用理论模型拟合实验数据。结果表明：表面氧污染使钛膜吸氢能力降低，其原因在于氧原子占据了钛膜表面的吸附位置，使氢解离为原子的几率降低。 展开更多

关键词 吸附 解吸 污染 解离位置 真空镀膜 钛膜 氢

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荷能束辐照致使Cu/Ag表面偏析的研究

9

作者 杨新菊 陆明 张强基 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第4期263-267,共5页

本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面的偏析,且淀积Cu原子能量越大,Ag原子偏析程度越大,即观察到了淀积Cu原子10^(-1)～1eV量级的平均能量差... 本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面的偏析,且淀积Cu原子能量越大,Ag原子偏析程度越大,即观察到了淀积Cu原子10^(-1)～1eV量级的平均能量差异对膜层表面偏析行为的影响。对溅射淀积所得膜层进行keV量级的离子束辐照,Ag原子的表面偏析程度更甚。 展开更多

关键词 表面偏析 辐照 铜 银 溅射 薄膜

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出现电势谱元素灵敏度的比较测定

10

作者 张强基 陆明 华中一 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第2期91-93,共3页

对一些元素的出现电势谱（APS）进行了比较测定，给出了8种元素的APS相对灵敏度因子，那些具有较高空态密度的元素，如镧系元素、锕系元素和3d过渡金属中的大部分，其APS灵敏度较大。

关键词 出现电势谱 元素灵敏度 元素鉴定

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俄歇定量分析基体效应校正因子的获得

11

作者 杨新菊 陆明 张强基 《真空科学与技术》 CSCD 1993年第3期180-185,共6页

本文探试了一种俄歇定量分析基体效应校正因子获取的新方法。通过测量淀积过程中的俄歇强度——时间曲线,并对此进行拟合,得到定量分析所需的相对背散射因子和相对非弹性碰撞平均自由程。将它们用于合金样品的定量分析,得到了较好的结... 本文探试了一种俄歇定量分析基体效应校正因子获取的新方法。通过测量淀积过程中的俄歇强度——时间曲线,并对此进行拟合,得到定量分析所需的相对背散射因子和相对非弹性碰撞平均自由程。将它们用于合金样品的定量分析,得到了较好的结果。实验表明,非弹性碰撞平均自由程效应的校正和背散射因子的校正对定量分析是同样重要的。 展开更多

关键词 俄歇电子谱法 定量分析 合金 表面

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钛膜吸氢与释氢特性的研究

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作者 牟方明 张勇 《四川真空》 1996年第1期6-12,共7页

在ＳＫＬ－１２型多功能谱仪的预处理室中，采用超高真空镀膜的方法，得到了表面清洁的钛膜。对表面清洁及表面一定量氧污染的钛膜进行了吸氢，释氢实验，并用理论模型拟合实验数据。结果表明：表面氧污染使钛膜吸氢能力降低，其原因在... 在ＳＫＬ－１２型多功能谱仪的预处理室中，采用超高真空镀膜的方法，得到了表面清洁的钛膜。对表面清洁及表面一定量氧污染的钛膜进行了吸氢，释氢实验，并用理论模型拟合实验数据。结果表明：表面氧污染使钛膜吸氢能力降低，其原因在于氧原子占据了钛膜表面的吸附位置，使Ｈ２解离为原子的几率降低。 展开更多

关键词 吸氢 释氢 污染 真空镀膜 钛膜 薄膜

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表面氧污染影响钛膜吸氢量的机理

13

作者 牟方明 张勇 《四川真空》 1996年第2期7-12,共6页

表面氧污染的钛膜，其吸氢能力比清洁钛膜降低达数倍之多。在厚度ｄ＝４００Ａ，表面氧污染的钛膜上重新蒸镀，使其表面再生一层极薄的清洁钛膜。吸氢，释氢测量表明其吸氢能力得到恢复。

关键词 钛膜 氧污染 吸氢 扩散阻挡层

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一种控制电流微商的微针尖制备仪

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作者 陈虞峰 许卫 黄金林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1989年第2期128-131,共4页

本文介绍了我们根据电流微商控制原理研制成的微针尖制备仪。它可对金属细丝的直流电解腐蚀过程进行自动控制,在选取适当的参数后能方便地制得曲率半径约500(?)、纵横比在0.75～1.5之间的钨微针尖,可供FEM、FIM及SFM使用。

关键词 微商 控制原理 纵横比 电解腐蚀 原子级 曲率半径 腐蚀过程 场发射 电化学腐蚀方法 扫描隧道显微镜

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多道能量分析器电子轨迹分析

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作者 漆其鸿 丁力 张强基 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第1期53-58,共6页

用数值计算方法研究多道探测XPS的半球形能量分析器的性质，得到边缘场的电位分布和电子轨迹。作为计算模型的EA－11型分析器，被证明适合于多道探测的应用。

关键词 电子轨迹 半球形能量分析器 X光电子谱 多道探测

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铬在晶界的选择性氧化

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作者 陈乃群 张强基 华中一 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第1期28-32,共5页

利用扫描俄歇微探针研究了氧化过程中Ni—Cr合金的表面氧化行为。经过600℃、20min的氧化后,作为选择性氧化的结果,Cr和Ni分别在晶界和晶面上以它们的氧化物形式产生富集。较小的氧化铬生成热使铬在晶界区的氧化竞争中得以占先;而晶界... 利用扫描俄歇微探针研究了氧化过程中Ni—Cr合金的表面氧化行为。经过600℃、20min的氧化后,作为选择性氧化的结果,Cr和Ni分别在晶界和晶面上以它们的氧化物形式产生富集。较小的氧化铬生成热使铬在晶界区的氧化竞争中得以占先;而晶界为铬的向表面扩散提供了通道;氧化铬的生成,使可扩散铬原子浓度梯度增加,它有利于这种扩散过程的加快。本研究为Ni—Cr合金表面形成抗氧化防腐蚀的氧化铬层提供了理论依据。 展开更多

关键词 选择性氧化 铬层 生成热 高温氧化 扩散过程 氧化层 活性区 外来原子 氧化过程 原子层

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强电场下Cs_3Sb光电阴极的激光诱导等离子体发射

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作者 丁力 陈莹 +1 位作者 黄人慧 徐辉 《云南大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第S1期173-175,共3页

激光诱导等离子体发射是光电阴极在大电流脉冲发射时的伴随现象,它不仅破坏了阴极的高亮度、窄脉宽发射特性,也使阴极材料遭到破坏.以各种实验手段对Cs_3Sb光电阴极在氙离子激光器照射下的等离子体形成机理进行了研究,证实构成这种等离... 激光诱导等离子体发射是光电阴极在大电流脉冲发射时的伴随现象,它不仅破坏了阴极的高亮度、窄脉宽发射特性,也使阴极材料遭到破坏.以各种实验手段对Cs_3Sb光电阴极在氙离子激光器照射下的等离子体形成机理进行了研究,证实构成这种等离子体的是阴极本身的锑、铯原子,而非解吸的气体. 展开更多

关键词 Cs₃Sb 激光诱导 等离子体 光电阴极

原文传递

一种新颖的小型脉冲超高压发生器

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作者 丁力 陈莹 《物理》 CAS 北大核心 1991年第10期637-639,共3页

我们设计了一种构造简单的小型超高压脉冲电源，该装置由一个采用新颖电路与器件装成的３０ｋＶ直流充电电源和一个同轴马克斯发生器构成，可输出１２０ｋＶ超高压脉冲．

关键词 脉冲 超高压 发生器 高压电源

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