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聚焦离子束(Focused Ion Beam)原理与其在半导体工业之应用
被引量:
2
1
作者
余维斌
黄坤火
柯大华
《电子工业专用设备》
2003年第5期70-72,共3页
聚焦离子束被广泛应用于芯片电路修改、研磨、沉积和二次电子/离子成像。FIB对于新原型电路设计的修改以及离子间交互作用的基础研究具有独特之性能。使用极细的聚焦离子束,FIB技术可以进行比从前更加精确的产品失效分析。操作者可以快...
聚焦离子束被广泛应用于芯片电路修改、研磨、沉积和二次电子/离子成像。FIB对于新原型电路设计的修改以及离子间交互作用的基础研究具有独特之性能。使用极细的聚焦离子束,FIB技术可以进行比从前更加精确的产品失效分析。操作者可以快速地、选择性地去除绝缘层或金属层,以便进行集成电路下层信号的点针探测或材质分析。集成电路的断面切割还可以达到亚微米的精度。
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关键词
聚焦离子束
植入
点针
材质分析
断面
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职称材料
题名
聚焦离子束(Focused Ion Beam)原理与其在半导体工业之应用
被引量:
2
1
作者
余维斌
黄坤火
柯大华
机构
宜硕
科技
(
上海
)
有限公司
IECQ认证实验室
出处
《电子工业专用设备》
2003年第5期70-72,共3页
文摘
聚焦离子束被广泛应用于芯片电路修改、研磨、沉积和二次电子/离子成像。FIB对于新原型电路设计的修改以及离子间交互作用的基础研究具有独特之性能。使用极细的聚焦离子束,FIB技术可以进行比从前更加精确的产品失效分析。操作者可以快速地、选择性地去除绝缘层或金属层,以便进行集成电路下层信号的点针探测或材质分析。集成电路的断面切割还可以达到亚微米的精度。
关键词
聚焦离子束
植入
点针
材质分析
断面
Keywords
Focused ion beams
Implantation
Probing
Material analysis
Cross-sections
分类号
TN606 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚焦离子束(Focused Ion Beam)原理与其在半导体工业之应用
余维斌
黄坤火
柯大华
《电子工业专用设备》
2003
2
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