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双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照加速实验 被引量:5
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作者 刘敏波 陈伟 +5 位作者 姚志斌 黄绍艳 何宝平 盛江坤 肖志刚 王祖军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期214-218,共5页
选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存... 选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温辐照能够给出空间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计,且存在最佳辐照温度,最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂移,随剂量率的增大向高温区漂移,在相同剂量率和总剂量下,输入级为NPN晶体管的双极集成电路比输入级为PNP晶体管的最佳辐照温度低。 展开更多
关键词 双极集成电路 低剂量率 高温辐照 界面态
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CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法 被引量:4
2
作者 王祖军 薛院院 +5 位作者 刘敏波 唐本奇 何宝平 姚志斌 盛江坤 马武英 《现代应用物理》 2016年第4期30-36,共7页
针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面... 针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面,研究了CCD空间总剂量效应、位移效应和单粒子瞬态效应地面模拟试验方法,为开展CCD空间辐射损伤效应研究和加固性能考核提供了试验技术支持。 展开更多
关键词 CCD 空间辐射效应 总剂量效应 位移效应 单粒子瞬态效应 地面模拟试验方法
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商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验 被引量:1
3
作者 齐超 杨善潮 +4 位作者 刘岩 陈伟 林东生 金晓明 王晨辉 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第5期800-804,共5页
为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理,对SRAM翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下SRAM翻转是单粒子翻转的叠加的假设,计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比... 为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理,对SRAM翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下SRAM翻转是单粒子翻转的叠加的假设,计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比。在西安脉冲反应堆上对3种特征尺寸商用SRAM开展了脉冲工况实验研究,得到了单位翻转和伪2位翻转数据,结合模拟结果分析了SRAM在脉冲中子作用下的翻转机制。 展开更多
关键词 脉冲中子 单粒子翻转 伪多位翻转 静态随机存储器
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西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台辐射场参数测量 被引量:9
4
作者 李达 张文首 +10 位作者 江新标 仲云红 于青玉 长孙永刚 苗亮亮 马燕 朱广宁 张强 苏春磊 余小任 宋晓靓 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1243-1249,共7页
西安脉冲堆于2010年建成了大空间中子辐照实验平台。本文介绍了该实验平台辐射场设计参数、辐射场测量方法和实测结果。采用蒙特卡罗方法计算了实验平台内中子初始谱。利用多箔活化法测量了中子能谱,解谱方法采用遗传算法,并与SAND-Ⅱ... 西安脉冲堆于2010年建成了大空间中子辐照实验平台。本文介绍了该实验平台辐射场设计参数、辐射场测量方法和实测结果。采用蒙特卡罗方法计算了实验平台内中子初始谱。利用多箔活化法测量了中子能谱,解谱方法采用遗传算法,并与SAND-Ⅱ解谱方法进行了对比,对比结果较为一致,证明了遗传算法解谱的有效性。应用热释光剂量计测量了γ射线吸收剂量率。测量结果表明,该实验平台辐射场参数符合设计要求。 展开更多
关键词 西安脉冲堆 中子能谱 SAND-Ⅱ方法 遗传算法
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空间辐射效应地面模拟等效的关键基础问题 被引量:28
5
作者 陈伟 郭晓强 +7 位作者 姚志斌 罗尹虹 丁李利 何宝平 王祖军 王晨辉 王忠明 丛培天 《现代应用物理》 2017年第2期1-12,共12页
空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素,必须在地面利用模拟试验方法评价航天器在轨抗辐射性能。但由于地面模拟试验环境与空间真实辐射环境在能谱、粒子种类、辐照时间等方面存在较大差异,为此国内外已开展了大量的空间... 空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素,必须在地面利用模拟试验方法评价航天器在轨抗辐射性能。但由于地面模拟试验环境与空间真实辐射环境在能谱、粒子种类、辐照时间等方面存在较大差异,为此国内外已开展了大量的空间辐射损伤地面模拟试验方法研究。但在空间低剂量率辐射损伤增强效应的地面模拟试验方法、重离子能量与入射角度对单粒子效应试验方法和预估方法的影响、质子和反应堆中子位移损伤等效方法等方面还面临着诸多尚未解决的问题。本文从空间辐射环境和地面模拟试验环境的差异性出发,着重阐述了低剂量率辐射损伤增强效应、粒子能量与入射角度对单粒子效应的影响、空间位移效应地面模拟试验方法3个方面的研究现状和存在的问题,梳理给出辐射损伤天地等效试验需要解决的关键基础问题,为空间辐射效应地面模拟试验方法研究和完善提供参考。 展开更多
关键词 空间辐射 总剂量效应 单粒子效应 位移损伤效应 空间辐射损伤等效
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基于平面波叠加的混响室场环境模拟与测试仿真 被引量:8
6
作者 刘逸飞 陈永光 程二威 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期3029-3035,共7页
针对电磁混响室难以仿真的问题,分析了平面波叠加模拟混响室场分布的合理性,根据理想混响室特征给出了叠加平面波的幅值、极化角度等参数设置的细节信息。在此基础上,利用Matlab调用FEKO的混合编程方法进行了场环境模拟,检验结果表明,... 针对电磁混响室难以仿真的问题,分析了平面波叠加模拟混响室场分布的合理性,根据理想混响室特征给出了叠加平面波的幅值、极化角度等参数设置的细节信息。在此基础上,利用Matlab调用FEKO的混合编程方法进行了场环境模拟,检验结果表明,叠加场环境特性与混响室场分布特性保持了一致。利用该方法,对某开缝矩形腔体的屏蔽效能进行了仿真测试,并取得了与实测数据相符的结果,其屏蔽效能约为15 d B。该方法有效避免了对混响室的精确建模,大大降低了混响室条件下相关测试仿真的难度与计算量,同时为深入分析混响室场环境特性提供了一条捷径。 展开更多
关键词 混响室 平面波谱理论 平面波叠加 FEKO 场均匀性 统计特性 屏蔽效能
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宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范体系 被引量:10
7
作者 陈伟 唐民 +10 位作者 郭晓强 于庆奎 罗尹虹 梅博 姚志斌 丁李利 李瑞宾 王桂珍 杨善潮 王祖军 马武英 《现代应用物理》 2020年第2期61-70,共10页
宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准... 宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范的发展现状,研究了器件发展给辐射效应试验方法带来的挑战,提出了满足空间抗辐射性能要求的宇航器件地面模拟试验与评估标准规范体系建设建议,对规范宇航器件抗辐射性能地面模拟试验方法具有参考价值。 展开更多
关键词 宇航器件 空间辐射效应 试验与评估 标准 规范
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9.5 m高水平极化有界波电磁脉冲模拟器内场分布特性的初步实验研究 被引量:2
8
作者 吴伟 王海洋 +3 位作者 吴刚 朱湘琴 肖晶 程乐 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期45-50,共6页
测量了9.5 m高的水平极化有界波电磁脉冲模拟器的内部场,并根据实验测量结果分析了该模拟器内场分布特性,包括一定区域内场均匀性的定量分析及模拟器内部有效测试空间的确定方法,进而对最低位置为距离地面2 m的有效测试空间进行了预估... 测量了9.5 m高的水平极化有界波电磁脉冲模拟器的内部场,并根据实验测量结果分析了该模拟器内场分布特性,包括一定区域内场均匀性的定量分析及模拟器内部有效测试空间的确定方法,进而对最低位置为距离地面2 m的有效测试空间进行了预估。实验结果表明:位于该模拟器双锥中心正下方且距离该中心5.5~7.5 m的测点场的峰值基本按照测点与双锥中心间距的倒数衰减,且随着测点与双锥中心间距的增大,因锥与极板不连续结构导致的波形变化在时间轴上滞后,而因地面影响导致的波形变化在时间轴上提前;在距离地面比较高的水平面上,两极板之间场的外泄方向场的衰减比双锥中轴线方向场的衰减更慢;该模拟器内部距离地面2 m的水平面上12 m×12 m的区域内所取测点的归一化场平均峰值约为0.678,归一化场平均峰值的标准偏差约为0.0689,场的均匀性约为2.039 dB。 展开更多
关键词 水平极化 有界波 模拟器 电磁脉冲 场分布
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OP07运算放大器电磁脉冲效应实验研究 被引量:5
9
作者 冯寒亮 周辉 +3 位作者 石跃武 王伟 相辉 朱志臻 《现代应用物理》 2016年第2期55-58,76,共5页
以BJT型OP07号运算放大器为研究对象,建立了一套适合集成运算放大器电磁脉冲损伤效应实验的系统和方法。通过方波脉冲直接注入,研究了电磁脉冲对运算放大器的瞬态干扰和损伤。观察OP07运放的实时工作状态,捕获到增益减小、直流输出、输... 以BJT型OP07号运算放大器为研究对象,建立了一套适合集成运算放大器电磁脉冲损伤效应实验的系统和方法。通过方波脉冲直接注入,研究了电磁脉冲对运算放大器的瞬态干扰和损伤。观察OP07运放的实时工作状态,捕获到增益减小、直流输出、输出信号Y向偏移和输出信号波形失真四种典型的现象。 展开更多
关键词 电磁脉冲 损伤效应 BJT 运算放大器
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半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势 被引量:7
10
作者 陈伟 丁李利 郭晓强 《现代应用物理》 2018年第1期1-7,共7页
半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电... 半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。 展开更多
关键词 辐射效应 粒子输运模拟 器件模拟 电路模拟 发展趋势
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一种兆伏级有界波电磁脉冲模拟器峰化单元设计与等效实验 被引量:1
11
作者 张国伟 陈维青 +3 位作者 王海洋 谢霖燊 何小平 杨天 《现代应用物理》 2015年第4期264-268,共5页
介绍了兆伏级有界波电磁脉冲模拟器脉)中源的组成及特点。通过数值模拟分析了模拟装置等效电路,给出了峰化电容及输出开关对装置输出波形的影响,总结了峰化单元的设计特点,提出了一种低气压、低电压短间隙放电等效高气压、高电压长间隙... 介绍了兆伏级有界波电磁脉冲模拟器脉)中源的组成及特点。通过数值模拟分析了模拟装置等效电路,给出了峰化电容及输出开关对装置输出波形的影响,总结了峰化单元的设计特点,提出了一种低气压、低电压短间隙放电等效高气压、高电压长间隙放电的方法。同时,基于等效方法设计了结构尺寸为1:1验证实验,实测了实验电路输出电场波形。实验结果表明,采用电容、开关、天线一体化的结构设计,能够最大限度地减小峰化回路的电感,输出双指数波上升沿可达到1.8 ns。该实验为兆伏级有界波电磁脉冲模拟器峰化段的设计提供了参考。 展开更多
关键词 垂直极化 有界波模拟器 峰化单元 上升沿
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中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究
12
作者 刘岩 陈伟 +5 位作者 杨善潮 齐超 王桂珍 林东生 郭晓强 金军山 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期723-726,共4页
对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照... 对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。 展开更多
关键词 翻转效应 翻转阈值 中子辐照 SRAM
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基于电流组分分离模型的钒SPND伽玛效应计算方法和实验验证
13
作者 周遥 曹良志 +4 位作者 刘宙宇 王立鹏 邵睿智 贺清明 吴宏春 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期85-92,共8页
钒自给能中子探测器(Self-Powered Neutron Detector,SPND)在核反应堆混合辐射场中会产生显著的γ噪声电流,从而影响中子通量测量和堆芯在线监测的准确性。针对钒SPND的γ效应,根据探测器响应机理建立了电流组分分离模型,并构建了脉冲... 钒自给能中子探测器(Self-Powered Neutron Detector,SPND)在核反应堆混合辐射场中会产生显著的γ噪声电流,从而影响中子通量测量和堆芯在线监测的准确性。针对钒SPND的γ效应,根据探测器响应机理建立了电流组分分离模型,并构建了脉冲研究堆堆内SPND电流计算方法。基于不同电流组分的时间特性,利用200 kW辐照腔的停堆衰减测量实验量化了瞬发γ电流分量,电流组分分离模型在计算钒探测器稳态电流和稳态电流瞬发分量方面与实验数据吻合良好。通过对商用压水堆甩负荷瞬态试验过程的钒SPND模拟,进一步验证了探测器数值模型的动态响应跟踪和瞬发γ电流模拟能力。研究表明:在理论计算和测量分析中均需要考虑钒SPND的γ效应,在实际堆芯中,γ响应存在不同电流组分之间的相互补偿作用。 展开更多
关键词 钒自给能中子探测器 γ响应 电流组分分离模型 研究堆验证
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短波天线端口脉冲电流注入方法实验
14
作者 董亚运 崔志同 +4 位作者 杜传报 聂鑫 刘逸飞 王文卓 郑生全 《太赫兹科学与电子信息学报》 2024年第12期1364-1369,共6页
脉冲电流注入是研究电子设备高空电磁脉冲(HEMP)效应的重要手段。本文设计了短波天线端口接触式脉冲电流注入实验平台,研究了短波设备接收和发射两种不同工作状态,以及低、中、高3种不同工作频率对注入电流的影响,探索了天线端口防护器... 脉冲电流注入是研究电子设备高空电磁脉冲(HEMP)效应的重要手段。本文设计了短波天线端口接触式脉冲电流注入实验平台,研究了短波设备接收和发射两种不同工作状态,以及低、中、高3种不同工作频率对注入电流的影响,探索了天线端口防护器分立状态和在线状态下的性能差异,为后续短波天线端口的抗电磁脉冲干扰的性能试验提供了可靠依据。 展开更多
关键词 脉冲电流注入 短波天线 防护器 高空电磁脉冲
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电磁脉冲辐射波模拟器双锥-平面线栅天线场分布规律 被引量:1
15
作者 肖晶 吴刚 +3 位作者 王海洋 谢霖燊 程乐 郭景海 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2684-2692,共9页
双锥-平面线栅结构的水平极化辐射波天线对辐射场半宽影响较小且架设方便、易于维护,掌握该型天线场分布规律是确定模拟器场均匀区、开展电磁脉冲效应实验的前提。利用天线理论研究双锥-平面线栅天线的场分布规律,结合数值模拟和实际天... 双锥-平面线栅结构的水平极化辐射波天线对辐射场半宽影响较小且架设方便、易于维护,掌握该型天线场分布规律是确定模拟器场均匀区、开展电磁脉冲效应实验的前提。利用天线理论研究双锥-平面线栅天线的场分布规律,结合数值模拟和实际天线试验对理论分析结果进行验证。结果表明:在天线结构和激励电压确定的条件下,双锥中心正下方辐射电场极化分量仅与测点到源的距离相关,二者呈反比;Oxz平面内以双锥中心为圆心的圆弧上任意一点辐射电场极化分量的幅值相等,并在同一时刻达到峰值;Oxz平面内同一水平线上的测点总辐射场幅值相等,方向沿测点所在圆弧的切线方向;各辐射场分量关于Oxz平面和Oyz平面对称分布;对于实际模拟器,地面反射会使辐射场波形下降沿陡降,导致地面附近辐射场半宽变小;线栅极板会影响附近的场分布,且极板外侧4个角点处的反射相对较强,其他位置辐射场分布与理论分析一致。 展开更多
关键词 辐射波模拟器 电磁脉冲 双锥-平面线栅天线 电磁场 数值模拟
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电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟 被引量:1
16
作者 谭鹏飞 李波 +3 位作者 王金斌 钟向丽 郭红霞 王芳 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第4期30-39,共10页
运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴... 运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO3(BTO)铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量. 展开更多
关键词 电离辐射 铁电存储器 相场法 90°畴结构
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二氧化硅气凝胶光学性能及辐射探测性能研究
17
作者 燕奕宏 张美 +5 位作者 盛亮 唐灵芝 纪富 何佳洋 胡光 胡华四 《西安交通大学学报》 北大核心 2025年第2期127-133,共7页
针对惯性约束聚变中高能γ射线探测存在的X射线影响,以及气体切伦科夫辐射体调控阈值复杂或部分切伦科夫辐射体不可调控阈值的问题,提出了使用硅气凝胶作为切伦科夫辐射体对γ射线进行探测的方法。首先,搭建透过率测量平台,测量了厚度为... 针对惯性约束聚变中高能γ射线探测存在的X射线影响,以及气体切伦科夫辐射体调控阈值复杂或部分切伦科夫辐射体不可调控阈值的问题,提出了使用硅气凝胶作为切伦科夫辐射体对γ射线进行探测的方法。首先,搭建透过率测量平台,测量了厚度为1 cm的410 mg/cm^(3)硅气凝胶在250~800 nm波长范围内的透过率,得到了硅气凝胶的吸收散射系数;然后,使用最小偏差角的方法对硅气凝胶的折射率进行了测量,并对全波段折射率进行拟合;进而,将得到的吸收散射系数与折射率写入Geant4软件,在硅气凝胶探测系统中,对不同能量γ射线的能量响应进行了模拟计算;最后,在西北核技术研究院的^(60)Co源上搭建系统,分别对硅气凝胶及石英玻璃的发光强度进行了测量。结果表明:硅气凝胶净信号达到了11.67 nA,不确定度为3.8%;石英玻璃的净信号达到了373.67 nA,不确定度为3.2%。研究结果证实了硅气凝胶切伦科夫探测系统对γ射线探测的可行性,说明了硅气凝胶可作为切伦科夫辐射体应用于惯性约束聚变中的高能γ射线诊断。 展开更多
关键词 惯性约束聚变 γ射线探测 切伦科夫辐射体 硅气凝胶
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大型水平极化电磁脉冲有界波模拟器的辐射场分布特性分析 被引量:3
18
作者 朱湘琴 吴伟 王海洋 《现代应用物理》 2020年第4期89-97,共9页
基于并行时域有限差分(FDTD)方法,并采用法拉第电磁感应定理和FDTD细线算法,模拟了同轴馈电的大型水平极化电磁脉冲有界波模拟器的辐射场,给出了模拟器锥底半径、半锥角及模拟器架高等参数对辐射电场强度及其峰值分布的影响。结果表明,... 基于并行时域有限差分(FDTD)方法,并采用法拉第电磁感应定理和FDTD细线算法,模拟了同轴馈电的大型水平极化电磁脉冲有界波模拟器的辐射场,给出了模拟器锥底半径、半锥角及模拟器架高等参数对辐射电场强度及其峰值分布的影响。结果表明,位于模拟器双锥中心正下方且距离地面超过1 m的测点,电场强度峰值主要由模拟器的双锥辐射所决定;构成模拟器的双锥锥底半径越大,则沿锥高方向靠近两侧极板的电场强度峰值越大,模拟器内部的场分布更接近无限长双锥的场分布;半锥角越大,则模拟器内部沿锥高方向的辐射能力越弱;模拟器架高越高,则与地面距离相同的水平面上的电场强度峰值越小,但场分布更加均匀;当激励源的上升沿从1.67 ns增加到5 ns时,距离地面1 m的测试水平面上满足6 dB场均匀性要求的区域范围减小,但该区域范围基本不受地面参数的影响。 展开更多
关键词 水平极化 有界波 电磁脉冲 模拟器 峰值分布
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基于像质分析的强脉冲辐射源焦斑图像分割 被引量:1
19
作者 刘皓挺 郑娜 +4 位作者 杨少华 严明 李刚 刘璐 段宝军 《现代应用物理》 2020年第3期103-109,共7页
为研究强脉冲辐射源的辐射变化规律,针对辐射源焦斑图像,设计了一种基于像质分析的强脉冲辐射源焦斑图像分割方法。首先,在分析辐射源焦斑图像一般特点并总结常见图像分割方法的基础上,提出了适合于焦斑的图像分割方法。其次,采用图像... 为研究强脉冲辐射源的辐射变化规律,针对辐射源焦斑图像,设计了一种基于像质分析的强脉冲辐射源焦斑图像分割方法。首先,在分析辐射源焦斑图像一般特点并总结常见图像分割方法的基础上,提出了适合于焦斑的图像分割方法。其次,采用图像信噪比、图像灰度最大值及图像模糊度3个图像质量评价参数对辐射源焦斑图像进行了定量化像质分析。最后,在经典OTSU阈值分割方法的基础上,提出了根据像质分析结果动态调节分割算法的计算策略。仿真实验结果表明,本文算法显著提高了图像的分割效果和计算的稳定性,证明了该方法的正确和有效。 展开更多
关键词 图像分割 焦斑 强脉冲辐射 图像质量 几何特征
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低能质子辐射对铁电场效应晶体管性能影响模拟
20
作者 黄景 谭鹏飞 +1 位作者 刘怡廷 李波 《现代应用物理》 2021年第4期121-127,共7页
基于铁电材料极化模拟的相场模型,结合半导体器件方程建立了金属-铁电-绝缘层-半导体结构铁电场效应晶体管(FeFET)性能研究的理论模型,利用蒙特卡方法模拟分析质子辐照产生的缺陷对FeFET性能的影响.计算结果表明,当入射角度为0,能量为10... 基于铁电材料极化模拟的相场模型,结合半导体器件方程建立了金属-铁电-绝缘层-半导体结构铁电场效应晶体管(FeFET)性能研究的理论模型,利用蒙特卡方法模拟分析质子辐照产生的缺陷对FeFET性能的影响.计算结果表明,当入射角度为0,能量为10~100 KeV的质子入射FeFET时,FeFET中铁电层的矫顽场和剩余极化强度随质子辐射产生氧空位数密度的增加而减小,这是由于位移损伤会产生氧空位,氧空位产生缺陷偶极子,进而导致铁电层的畴结构发生变化,最终导致BaTiO_(3)薄膜的极化发生变化;随着入射质子能量的增加,质子诱导产生的氧空位数密度增大,FeFET的剩余极化强度、矫顽场的绝对值和存储窗口均减小,开态电流稍减小,关态电流增加.研究表明,辐射会导致FeFET器件性能发生退化. 展开更多
关键词 质子辐射 FEFET 相场方法
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