随着器件沟道尺寸的减小,为了获得更好的性能参数,器件工艺窗口变得越来越窄。与此同时,单MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)封装缺少静电保护电路。对于敏感器件的封装,异常的电气参数时有出现。通过使用FMEA...随着器件沟道尺寸的减小,为了获得更好的性能参数,器件工艺窗口变得越来越窄。与此同时,单MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)封装缺少静电保护电路。对于敏感器件的封装,异常的电气参数时有出现。通过使用FMEA(failure mode and effects analysts)和DOE(design of experiments)等质量工具,确认该问题与封装键合顺序和黏合剂有关。通过调整键合顺序和更换所使用的黏合剂,有效地解决了敏感器件封装低良的问题。该案例为同行业提供了借鉴。展开更多
文摘随着器件沟道尺寸的减小,为了获得更好的性能参数,器件工艺窗口变得越来越窄。与此同时,单MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)封装缺少静电保护电路。对于敏感器件的封装,异常的电气参数时有出现。通过使用FMEA(failure mode and effects analysts)和DOE(design of experiments)等质量工具,确认该问题与封装键合顺序和黏合剂有关。通过调整键合顺序和更换所使用的黏合剂,有效地解决了敏感器件封装低良的问题。该案例为同行业提供了借鉴。
