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超高纯银的制备研究 被引量:11
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作者 刘丹 李轶轁 +1 位作者 贺昕 熊晓东 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期37-41,共5页
采用电解精炼法制备6N超高纯银,考察了银浓度、电流密度、电流分布、反应温度等因素对银粉颗粒大小及纯度的影响,并通过理论分析选择了201、D301弱碱性阴离子树脂进行电解液净化除杂。采用SEM对银粉形貌进行了表征,并用GDMS对银粉杂质... 采用电解精炼法制备6N超高纯银,考察了银浓度、电流密度、电流分布、反应温度等因素对银粉颗粒大小及纯度的影响,并通过理论分析选择了201、D301弱碱性阴离子树脂进行电解液净化除杂。采用SEM对银粉形貌进行了表征,并用GDMS对银粉杂质成分进行了分析。结果表明,控制电解液中的银含量在500-540 g/L,电流密度600-1000 A/m^2,温度为30-40℃,同极极间距为10 cm,多孔钛网作阴极,可以得到总杂质含量小于1×10^-6的6N超高纯银。 展开更多
关键词 有色金属冶金 高纯银 电解精炼 离子交换 辉光放电质谱法
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超高纯CuMn合金材料微观组织和织构演变研究 被引量:6
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作者 关冲 何金江 +2 位作者 曾浩 万小勇 李勇军 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期120-125,共6页
当前超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸已经步入纳米范围,随着特征尺寸的减小,铜互连面临着严重的可靠性问题,采用合金化手段可有效抑制晶界附近的电迁移。因而本文主要研究超高纯铜锰合金材料,通过金相(OM)、电子背散射衍射(EBSD)等分... 当前超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸已经步入纳米范围,随着特征尺寸的减小,铜互连面临着严重的可靠性问题,采用合金化手段可有效抑制晶界附近的电迁移。因而本文主要研究超高纯铜锰合金材料,通过金相(OM)、电子背散射衍射(EBSD)等分析手段研究超高纯铜锰合金材料塑性形变过程和热处理过程中铜锰合金试样的微观组织变化和轧制、再结晶织构变化。实验结果表明:经过对塑性变形试样的分析后发现,试样微观组织主要由许多破碎的小晶粒及亚晶组成,同时试样中存在典型的轧制织构并且存在大量的小角度晶界。经过退火热处理后,试样的微观组织比较均匀,晶粒细小,晶粒尺寸大约为10.7μm;典型轧制织构组分下降比较明显,典型再结晶织构组分上升,但大部分晶粒处于随机取向,试样退火热处理后几乎全部为大角度晶界。 展开更多
关键词 铜锰合金 溅射靶材 织构 微观组织
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贵金属微接点复合带的工艺优化设计及分析
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作者 罗俊锋 刘红宾 +4 位作者 章程 吕保国 王永明 孙秀霖 董亭义 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2015年第2期341-344,共4页
采用正交实验设计对Ag/CuNi20贵金属微接点复合带进行研究,分析了微接点复合带热轧复合及热处理过程中加热温度、速度、变形量及轧辊温度对复合带的影响。实验结果表明,在材料软化温度以上热轧复合过程中,影响Ag/CuNi20复合微接点带厚... 采用正交实验设计对Ag/CuNi20贵金属微接点复合带进行研究,分析了微接点复合带热轧复合及热处理过程中加热温度、速度、变形量及轧辊温度对复合带的影响。实验结果表明,在材料软化温度以上热轧复合过程中,影响Ag/CuNi20复合微接点带厚度的主要因素是变形量,而加热温度和轧辊温度是影响复合带材硬度的主要因素。从外观质量分析看出,Ag/CuNi20复合带的热轧复合最佳温度为850℃,变形量为25%。Ag/CuNi20复合带经过热处理可调整材料硬度,其中加热温度及轧辊速度对材料硬度的影响比较显著。 展开更多
关键词 微接点复合带 电接触材料 微观结构 正交实验
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高纯致密氧化镁陶瓷的常压和真空烧结 被引量:9
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作者 陈淼琴 何金江 +2 位作者 张玉利 丁照崇 贺昕 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期402-407,共6页
MgO为重要的功能型材料,磁隧道结(MTJ)以MgO薄膜作为势垒层时在室温下具有巨大的隧穿电阻效应。实验采用冷等静压(CIP)工艺将高纯MgO粉末(纯度〉99.99%)压制成相对密度为60%左右的坯体,再在500℃充分煅烧后分别进行常压烧结和真... MgO为重要的功能型材料,磁隧道结(MTJ)以MgO薄膜作为势垒层时在室温下具有巨大的隧穿电阻效应。实验采用冷等静压(CIP)工艺将高纯MgO粉末(纯度〉99.99%)压制成相对密度为60%左右的坯体,再在500℃充分煅烧后分别进行常压烧结和真空烧结。通过优化烧结工艺参数,可制备得到用于溅射沉积MgO薄膜的高纯高致密MgO陶瓷靶。为了探讨烧结温度、保温时间、烧结气氛对MgO陶瓷致密化和晶粒生长的影响,对烧结后的MgO陶瓷进行取样,并对试样进行金相(OM)观察、X射线衍射(XRD)测试、断面扫描电镜(SEM)观察。结果表明:与常压烧结气氛相比,真空烧结气氛能明显提高MgO陶瓷的致密度,且在烧结中后期封闭气孔形成后真空烧结的作用更显著;在真空气氛进行1500℃保温4 h烧结,可得到相对密度为99.12%,平均晶粒尺寸11.71μm的高纯MgO陶瓷;真空烧结的MgO陶瓷晶粒尺寸更均匀,尺寸标准差低于4.8μm,晶粒沿(200)方向择优生长的趋势更明显,而常压烧结的MgO陶瓷晶粒尺寸分布范围较广,晶粒的择优生长趋势不明显。 展开更多
关键词 MgO陶瓷 常压烧结 真空烧结 致密化
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