Mn基二元合金L1_(0)-MnAl具有垂直磁各向异性强、自旋极化率高和磁阻尼因子低等特点,是研制高密度、高性能和低功耗磁随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)的重要材料体系,而B2-CoGa合金则同时为外延生长在主流半导体GaAs上...Mn基二元合金L1_(0)-MnAl具有垂直磁各向异性强、自旋极化率高和磁阻尼因子低等特点,是研制高密度、高性能和低功耗磁随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)的重要材料体系,而B2-CoGa合金则同时为外延生长在主流半导体GaAs上垂直磁各向异性L1_(0)-MnAl薄膜提供了理想的缓冲层和自旋流来源.本文报道了在B2-CoGa缓冲层中掺杂重金属Pt可以显著提高L1_(0)-MnAl/(CoGa)_(1-x)Pt_(x)双层膜中的自旋轨道矩(spin-orbit torque,SOT)效率.该双层膜在高达x=0.1的掺杂范围内仍然保持着良好的垂直磁各向异性,其磁矩实现翻转的临界电流密度可从4.63×10^(7)A/cm^(2)降低到2.59×10^(7)A/cm^(2),同时SOT效率从0.042提高到0.080.这种增强归因于在保持(CoGa)_(1-x)Pt_(x)有效自旋霍尔电导率不变的情况下其电阻率的增加.其中,x=0.075样品能够支持横向尺寸8.09 nm的磁性隧道结单元,同时功耗可降低至原来的0.63.这些结果为基于Mn基二元合金的MRAM研发提供了参考.展开更多