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哌嗪对硅衬底CMP速率影响的机理
1
作者 刘文博 罗翀 +4 位作者 王辰伟 岳泽昊 栾晓东 邵祥清 李瑾 《微纳电子技术》 2025年第2期165-174,共10页
为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间... 为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间静电排斥力减小,吸附程度增加,增大了机械作用。接触角测试结果发现哌嗪的加入使抛光液在硅片表面的接触角更小,具有良好的润湿性能。抛光液可以更好地与晶圆表面接触,使去除速率加快。同时通过摩擦系数测试进一步证明了哌嗪提高了抛光过程中的摩擦力,从而提升了抛光速率。X射线光电子能谱(XPS)分析显示,哌嗪与硅片表面发生了化学反应,生成了新的Si—N键,对临近的Si—Si键产生极化,使其在磨料作用下更容易被去除。采用DFT的量子化学计算和分子动力学模拟更深入地表明了哌嗪和硅在分子水平上产生了化学吸附。结果显示,当磨料质量分数为0.5%、哌嗪质量分数为0.5%时,去除速率可达580 nm/min。此外,哌嗪作为一种相对绿色环保的添加剂,更适合实际生产应用。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 硅衬底 哌嗪 去除速率 密度泛函理论(DFT)计算
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面向天线跟踪系统的ADRC控制器设计及参数优化 被引量：1
2
作者 张越 范书瑞 郎利影 《微特电机》 2024年第3期41-47,共7页
针对传统自抗扰控制器存在参数整定困难及控制器效果有待改善的问题,提出了一种基于改进型Fal函数的永磁同步电机位置自抗扰控制器控制策略,旨在优化伺服系统的控制效果。设计了Le_fal函数以解决Fal函数在定义域区间的不连续性问题和拐... 针对传统自抗扰控制器存在参数整定困难及控制器效果有待改善的问题,提出了一种基于改进型Fal函数的永磁同步电机位置自抗扰控制器控制策略,旨在优化伺服系统的控制效果。设计了Le_fal函数以解决Fal函数在定义域区间的不连续性问题和拐点处输出增益的抖动问题,减少了控制器待整定参数。针对自抗扰控制器参数难以整定的问题,采用粒子群算法对控制器参数进行优化。仿真实验结果表明,基于粒子群的改进型自抗扰控制器参数优化算法将超调量从传统自抗扰控制器的3.1016%降低至0.3375%,将调节时间从3.08 s降低到0.47 s,将稳态误差从0.0633降低至0.0162。结果表明,改进后的自抗扰控制器具有更好的快速性和鲁棒性。 展开更多
关键词 永磁同步电机 粒子群算法 自抗扰控制器 稳定性
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融合双注意力的小样本辐射源个体识别网络
3
作者 刘佳乐 郭志涛 +1 位作者 王宏 张森 《电子测量技术》 北大核心 2024年第19期70-78,共9页
特定辐射源识别在军事和民用领域中发挥着越来越重要的作用。随着深度学习技术的飞速发展,SEI方法的识别性能得到了显著提升。然而这些方法往往依赖于大量的辐射源样本数据,在样本数量有限的实际应用场景中表现不佳。针对这一问题,本研... 特定辐射源识别在军事和民用领域中发挥着越来越重要的作用。随着深度学习技术的飞速发展,SEI方法的识别性能得到了显著提升。然而这些方法往往依赖于大量的辐射源样本数据,在样本数量有限的实际应用场景中表现不佳。针对这一问题,本研究提出了一种新颖的深度学习网络模型CRCPA-GCN用于实现小样本场景下的SEI。该模型在多层复数卷积神经网络中融合了CPCA和GCNet注意力模块,采用类重建和对抗训练的方法显著提升了小样本场景下的识别性能。本研究在公开数据集上进行了一系列实验验证,并与当前主流的SEI网络模型进行了比较。实验结果表明,在20 shot的学习条件下,所提出的CRCPA-GCN网络模型达到了95.81%的准确率,优于其他主流SEI网络,并且在鲁棒性方面表现出色。 展开更多
关键词 特定辐射源识别 小样本学习 注意力模块 类重建 对抗训练
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一种用于低剂量CT的微小细节保护CNN与Transformer融合去噪方法
4
作者 李晓增 王宝珠 +1 位作者 郭志涛 Shanaz Sharmin Jui 《中国医学物理学杂志》 CSCD 2024年第7期842-850,共9页
为解决低剂量CT图像因辐射剂量降低而引入大量噪声,导致图像质量下降,从而影响临床诊断准确性问题,构建一种结合卷积神经网络(CNN)与Transformer的网络模型,并在此模型中引入一种内部块特征提取模块,以更好地保护图像中的微小细节。此外... 为解决低剂量CT图像因辐射剂量降低而引入大量噪声,导致图像质量下降,从而影响临床诊断准确性问题,构建一种结合卷积神经网络(CNN)与Transformer的网络模型,并在此模型中引入一种内部块特征提取模块,以更好地保护图像中的微小细节。此外,为了解决应用Swin Transformer去噪时出现恢复错误纹理细节的问题,在自注意力部分并入一个多输入通道注意力模块,进而构建一种双重注意力Transformer。本研究在AAPM数据集上进行测试,实验结果表明,与现有的去噪算法相比,本文提出的算法在去噪方面表现出色,可以更好地保护图像的微小细节。 展开更多
关键词 低剂量CT 图像去噪 深度学习 微小细节保护
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SHA和TT-LYK在钴基阻挡层集成电路CMP中的协同作用
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作者 方淇 潘国峰 +1 位作者 杨雪妍 胡连军 《应用化工》 CSCD 北大核心 2024年第11期2546-2550,2561,共6页
针对集成电路铜(Cu)互连Co阻挡层在化学机械抛光(CMP)过程中存在Cu/Co去除速率(RR)选择性差、易发生腐蚀等问题,采用CMP等实验方法,研究了新型络合剂水杨羟肟酸(SHA)以及抑制剂2,2′-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT-L... 针对集成电路铜(Cu)互连Co阻挡层在化学机械抛光(CMP)过程中存在Cu/Co去除速率(RR)选择性差、易发生腐蚀等问题,采用CMP等实验方法,研究了新型络合剂水杨羟肟酸(SHA)以及抑制剂2,2′-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT-LTK)在Co基阻挡层CMP中的作用效果及作用机理。结果显示,在抛光条件下,SHA对Cu和Co均具有络合效果,TT-LTK对Co无抑制效果,但对Cu有显著抑制作用;在静态条件下,SHA对Co仍表现出络合特性,对Cu则表现出抑制效果,TT-LTK对Cu和Co均具有良好的缓蚀作用。同时,SHA和TT-LYK协同使用可以实现理想的Cu/Co RR和选择比,并将Cu/Co腐蚀电位差抑制至13 mV。本研究为SHA和TT-LYK在Cu互连Co基阻挡层集成电路CMP中的应用开辟了新的思路。 展开更多
关键词 化学机械平坦化 络合剂 腐蚀 SHA TT-LYK
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纳米二氧化锰磨料对集成电路钨化学机械抛光的影响
6
作者 赵悦琦 王胜利 +2 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 《电镀与涂饰》 2025年第4期53-62,共10页
[目的]采用传统磨料对集成电路钨(W)化学机械抛光(CMP)时往往难以兼顾高去除速率与良好的表面品质,故提出一种基于纳米二氧化锰(MnO_(2))磨料的酸性抛光液。[方法]通过实验与理论计算相结合,研究了MnO_(2)在钨CMP中的多重作用机制──... [目的]采用传统磨料对集成电路钨(W)化学机械抛光(CMP)时往往难以兼顾高去除速率与良好的表面品质,故提出一种基于纳米二氧化锰(MnO_(2))磨料的酸性抛光液。[方法]通过实验与理论计算相结合,研究了MnO_(2)在钨CMP中的多重作用机制──作为磨料、氧化剂及类芬顿反应催化剂。通过X射线光电子能谱(XPS)、电化学测试及热力学计算,验证了MnO_(2)与W之间发生氧化还原反应的可能性。此外,还通过密度泛函理论(DFT)和Fukui函数计算分析了MnO_(2)的反应活性位点及电子转移特性。[结果]抛光液中仅添加0.8%(质量分数)MnO_(2)就可使W的去除速率达到4753Å/min,与采用高浓度硅溶胶(SiO_(2))磨料时的去除速率相当,同时表面粗糙度(Sq=0.806 nm)比后者低27.7%。理论计算显示,MnO_(2)的LUMO(最低未占据分子轨道)能级(-6.057 eV)和电子转移分数(Δn=-3.97)赋予其优于H_(2)O_(2)和羟基自由基的氧化能力。[结论]MnO_(2)磨料在钨CMP中实现了化学作用与机械作用间的良好协同,这为高性能抛光液的开发提供了新思路。 展开更多
关键词 钨 化学机械抛光 二氧化锰 去除速率 表面品质
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水溶性聚合物提高多晶硅CMP表面质量的机理
7
作者 张潇 周建伟 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《微纳电子技术》 2025年第4期99-107,共9页
通过实验探究了在抛光液中加入羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)两种水溶性聚合物对多晶硅表面的影响机理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氢键,并形成一层保护层,改变多晶硅表面的润湿性,减少抛光液中碱性物质和多晶硅的化学... 通过实验探究了在抛光液中加入羟丙基甲基纤维素(HPMC)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)两种水溶性聚合物对多晶硅表面的影响机理。HPMC的加入在多晶硅表面形成氢键,并形成一层保护层,改变多晶硅表面的润湿性,减少抛光液中碱性物质和多晶硅的化学反应,减少磨料与多晶硅表面/抛光垫的直接接触,减小了摩擦。加入的PVP与SiO_(2)颗粒之间通过氢键吸附形成软磨料,提高了抛光液的分散性,减少了SiO_(2)颗粒与多晶硅表面/抛光垫的摩擦。两种水溶性聚合物的协同作用,使得表面缺陷数量减少了94.5%,粗糙度降低至0.2 nm,提高了多晶硅表面质量。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 多晶硅 羟丙基甲基纤维素(HPMC) 聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 表面质量
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