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含风电场电力系统动态优化潮流的混合蛙跳算法 被引量:30
1
作者 陈功贵 李智欢 +1 位作者 陈金富 段献忠 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2009年第4期25-30,共6页
根据无功补偿就近的原则,风电场尽量不从系统吸收无功,风电场所需无功主要由风电场无功补偿装置提供。考虑发电机的阀点效应和异步风力发电机组无功补偿装置投切的离散性,含风电场的电力系统动态优化潮流属于复杂的多约束混合整数非凸... 根据无功补偿就近的原则,风电场尽量不从系统吸收无功,风电场所需无功主要由风电场无功补偿装置提供。考虑发电机的阀点效应和异步风力发电机组无功补偿装置投切的离散性,含风电场的电力系统动态优化潮流属于复杂的多约束混合整数非凸非线性规划问题。计及各个时间断面的耦合性,将所有时段统一进行优化,以整个时段所有常规机组费用最小为目标函数,建立了含风电场电力系统动态优化潮流的数学模型。提出将混合蛙跳(SFL)算法应用到统一考虑所有时段的动态优化潮流计算中,给出了具体实现方法。在改进的IEEE30节点系统中分别采用SFL算法和粒子群优化算法进行了仿真计算,结果表明所提出的方法是有效的。 展开更多
关键词 风力发电 动态优化潮流 SFL算法 无功补偿
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考虑备用约束和阀点效应的电力系统环境经济优化调度 被引量:23
2
作者 陈功贵 陈金富 段献忠 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2009年第8期18-22,共5页
综合考虑环境经济优化调度(CEED)是一个多目标优化问题,提出改进的平均价格罚因子将环境经济双目标优化调度问题转化为单目标优化问题。考虑发电机的出力限制区、爬坡约束及备用约束,提出局部搜索扰动的混合进化规划(HEP)法求解CEED问题... 综合考虑环境经济优化调度(CEED)是一个多目标优化问题,提出改进的平均价格罚因子将环境经济双目标优化调度问题转化为单目标优化问题。考虑发电机的出力限制区、爬坡约束及备用约束,提出局部搜索扰动的混合进化规划(HEP)法求解CEED问题,在保留进化规划(EP)全局寻优能力的同时,引入局部搜索扰动提高计算精度,加快后期收敛速度。在调用局部搜索算子的策略上,采用优胜调用策略调用局部搜索算子,并动态自适应改变扰动次数进行局部寻优。在15机系统中分别采用平均价格罚因子EP、平均价格罚因子HEP和改进的平均价格罚因子HEP算法求解CEED问题。结果验证了所提方法的有效性。 展开更多
关键词 环境经济优化调度 混合进化规划算法 进化规划 平均价格罚因子 局部搜索
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Boost变换器的非线性最优控制系统 被引量:5
3
作者 钟建伟 杨永超 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2011年第9期75-77,共3页
在Boost变换器状态空间平均模型的基础上,利用基于微分几何的非线性最优控制策略,建立了非线性仿射模型,且推导出了非线性状态反馈表达式,得到了Boost变换器状态反馈精确线性化模型,并对其控制器进行了设计,实现了系统在工作点大范围内... 在Boost变换器状态空间平均模型的基础上,利用基于微分几何的非线性最优控制策略,建立了非线性仿射模型,且推导出了非线性状态反馈表达式,得到了Boost变换器状态反馈精确线性化模型,并对其控制器进行了设计,实现了系统在工作点大范围内变化时的稳定运行,有效提高了系统的动、静态性能。Matlab/Simulink仿真结果表明,系统能稳定运行在目标工作点,对电源电压的变化和负载突变具有较强的鲁棒性。 展开更多
关键词 变换器 非线性控制 BOOST 反馈线性化 负载突变 仿真
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蔬菜大棚多点温度测控系统的设计与实现 被引量:7
4
作者 杨庆 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2008年第2期187-189,共3页
系统采用单片机和DS18B20温度传感器,构成温度的多点检测和控制系统.DS18B20通过单总线进行通信,即仅需要一条数据线(和地线)就能与中央微处理器进行通信.现场温度直接以One-wire(一线总线)的数字方式传输.适合于恶劣环境的现场温度测量... 系统采用单片机和DS18B20温度传感器,构成温度的多点检测和控制系统.DS18B20通过单总线进行通信,即仅需要一条数据线(和地线)就能与中央微处理器进行通信.现场温度直接以One-wire(一线总线)的数字方式传输.适合于恶劣环境的现场温度测量,如:环境控制、设备或过程控制、测温类消费电子产品等.将DS18B20应用在蔬菜大棚的多点温度测控系统中,系统的各项技术指标均达到或超过了设计要求. 展开更多
关键词 单片机 DS181320 温度测控 设计 实现
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烤烟房光伏系统的设计与实现 被引量:3
5
作者 钟建伟 《安徽农业科学》 CAS 北大核心 2011年第8期5031-5032,共2页
烟叶烘烤是烤烟生产中的一个重要环节,需要对烘烤房的温度按照烤烟工艺进行严格的监控。传统烘烤过程主要依靠操作人员的烘烤经验控制,存在操作误差大、反应不灵敏、预期结果滞后的不足。结合目前能源发展的现状,提出构建光伏系统供电... 烟叶烘烤是烤烟生产中的一个重要环节,需要对烘烤房的温度按照烤烟工艺进行严格的监控。传统烘烤过程主要依靠操作人员的烘烤经验控制,存在操作误差大、反应不灵敏、预期结果滞后的不足。结合目前能源发展的现状,提出构建光伏系统供电的烘烤系统,该系统与电网并联,可以单独给住宅供电,烤烟季节给烤烟房供电,并能实现烤烟房的温度控制。 展开更多
关键词 光伏发电 逆变器 温度控制
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红外遥控输液报警系统的设计及应用 被引量:2
6
作者 杨庆 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2007年第4期408-410,共3页
基于PT2262/2272通用编解码电路的性能特点,将PT2262IR/2272IR应用在输液报警装置中,当液体完成可及时遥控呼叫值班护士,取得了很好的效果:遥控半径可达9.5 m,且可靠性高.
关键词 PT2262/2272 红外线遥控 输液 报警
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基于Atmega16L的无刷同步电机转子绕组接地检测系统
7
作者 高仕红 黄勇 陈功贵 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2010年第10期100-103,共4页
针对无刷同步电机的特殊结构,文献[1]提出了一种无刷同步电机转子绕组接地检测的新方法,即有源电阻电桥法。该方法具有无检测死区、接地检测灵敏度不受励磁电压的影响等优点。在此针对该方法进行了接地检测系统详细的软硬件设计,仿真和... 针对无刷同步电机的特殊结构,文献[1]提出了一种无刷同步电机转子绕组接地检测的新方法,即有源电阻电桥法。该方法具有无检测死区、接地检测灵敏度不受励磁电压的影响等优点。在此针对该方法进行了接地检测系统详细的软硬件设计,仿真和实验验证了该系统设计的正确性。另外,还考虑了电网突然发生短路时对接地监测的影响,仿真结果证明接地监测不会发生误动作,说明该接地检测系统具有较高的可靠性。 展开更多
关键词 无刷同步电机 转子绕组 接地检测 软硬件系统
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基于PT2262/2272的输液报警系统 被引量:3
8
作者 杨庆 《山西电子技术》 2007年第6期13-14,17,共3页
PT2262/2272是台湾普城公司生产的一种CMOS工艺制造的低功耗低价位通用编、解码电路,PT2262/2272最多可有12位(A0-A11)三态地址端管脚(悬空,接高电平,接低电平),任意组合可提供531441地址码,PT2262最多可有6位(D0-D5)数据端管脚,设定的... PT2262/2272是台湾普城公司生产的一种CMOS工艺制造的低功耗低价位通用编、解码电路,PT2262/2272最多可有12位(A0-A11)三态地址端管脚(悬空,接高电平,接低电平),任意组合可提供531441地址码,PT2262最多可有6位(D0-D5)数据端管脚,设定的地址码和数据码从17脚串行输出。解码芯片PT2272接收到信号后,其地址码经过两次比较核对后,VT脚才输出高电平,与此同时相应的数据脚也输出高电平。可用于无线遥控发射接收电路。将PT2262/2272应用在输液报警装置中,完成液体将尽时遥控呼叫值班护士,取得了很好的效果。 展开更多
关键词 PT2262/2272 遥控 输液 报警
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基于WEB的实时答疑系统的设计与实现
9
作者 李时东 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2003年第2期81-84,共4页
随着网络化技术的发展 ,基于网络的教学活动及教学系统逐渐成为学校教育的有效辅助手段 .从开发环境的选择、系统功能的设计 ,技术实现和测试等几个方面阐述了设计思想和系统的开发过程以及系统运行的基本情况 .
关键词 网络教学 远程教学 实时答疑系统 WEB 系统设计 系统功能 数据库
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高等函授教育学生信息管理系统的设计与实现 被引量:1
10
作者 张劲松 《西安航空技术高等专科学校学报》 2007年第3期45-46,共2页
结合高等函授教育的特点,对函授生信息管理系统进行了规划,阐述了研究生信息管理系统的功能、开发模型设计、数据库设计和应用程序开发。
关键词 函授生信息 管理系统 VB SQL SERVER
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Te掺杂单层MoS_2的电子结构与光电性质 被引量:19
11
作者 张昌华 余志强 廖红华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期785-790,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明,本征单层MoS2属于直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.64 eV。本征单层MoS2的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明,本征单层MoS2属于直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.64 eV。本征单层MoS2的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;Te掺杂单层MoS2为间接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.47 eV。同时通过Te掺杂,使单层MoS2的静态介电常数增大,禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为单层MoS2在光电器件方面的应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 单层MoS2 电子结构 光电性质
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无刷同步电机转子绕组接地检测新原理的研究 被引量:5
12
作者 高仕红 黄勇 +1 位作者 钟建伟 杨庆 《电力系统保护与控制》 EI CSCD 北大核心 2009年第13期32-37,共6页
同步电机采用无刷励磁是同步电机结构上的重大改革,取消了滑环和炭刷,但使转子接地故障检测变得较困难。目前无刷同步电机转子绕组接地检测主要采用传统的方式,没有考虑到无刷同步电机的特殊结构。针对这一情况,提出了一种无刷同步电机... 同步电机采用无刷励磁是同步电机结构上的重大改革,取消了滑环和炭刷,但使转子接地故障检测变得较困难。目前无刷同步电机转子绕组接地检测主要采用传统的方式,没有考虑到无刷同步电机的特殊结构。针对这一情况,提出了一种无刷同步电机转子绕组接地检测的新原理,详细地分析了它的接地检测原理。提出了消除接地检测死区的条件和接地检测的灵敏度不受励磁电压影响的方法。另外,还考虑了电网突然发生短路故障对接地监测的影响,仿真结果证明,在突然短路的过渡过程中,接地监测不会发生误动作,说明了该无刷同步电机接地监测具有较高的可靠性。该接地检测新原理为无刷同步电机接地检测的工程应用提供了一定的理论参考依据。 展开更多
关键词 无刷同步电机 转子绕组 接地检测 死区
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碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响 被引量:5
13
作者 余志强 张昌华 +1 位作者 李时东 廖红华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期233-239,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了C/Ge掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态和C/Ge掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体,其价带顶主要由Si-3p态电子构成,而导带底则主要由Si-3p态电子决定。... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了C/Ge掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态和C/Ge掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体,其价带顶主要由Si-3p态电子构成,而导带底则主要由Si-3p态电子决定。通过C掺杂,可使硅纳米管的禁带宽度减小,静态介电常数增大,吸收光谱产生红移;而通过Ge掺杂,可使硅纳米管的禁带宽度增大,静态介电常数减小,吸收光谱产生蓝移。研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 硅纳米管 电子结构 光电性质
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铝掺杂单壁扶手型(6,6)硅纳米管电子结构和光电性质的第一性原理研究 被引量:5
14
作者 张昌华 余志强 +1 位作者 郎建勋 廖红华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第22期147-151,共5页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了铝掺杂对单壁扶手型(6,6)硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态硅纳米管属于直接带隙半导体,其禁带宽度为0.42eV,而铝掺杂硅纳米管为间接带隙半导体,其禁带宽度为0.02eV。单... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了铝掺杂对单壁扶手型(6,6)硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态硅纳米管属于直接带隙半导体,其禁带宽度为0.42eV,而铝掺杂硅纳米管为间接带隙半导体,其禁带宽度为0.02eV。单壁扶手型(6,6)硅纳米管的价带顶主要由Si-3p态电子构成,而其导带底则主要由Si-3p态电子决定。同时通过铝掺杂,使硅纳米管的禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 硅纳米管 电子结构 光电性质
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氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响 被引量:3
15
作者 来国红 余志强 +1 位作者 张昌华 廖红华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第18期152-155,159,共5页
基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响。结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64eV。单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则... 基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响。结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64eV。单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;同时通过氧和硒掺杂,使单层二硫化钼的禁带宽度变窄,光吸收特性增强,研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 单层二硫化钼 电子结构 光电性质
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Mg掺杂ZnSe电子结构与光学性质的第一性原理研究 被引量:2
16
作者 张昌华 余志强 +2 位作者 郎建勋 来国红 李时东 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2015年第1期38-42,共5页
采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,结合广义梯度近似,对Mg掺杂闪锌矿Zn Se的MgxZn1-xSe电子结构和光学性质进行了研究.结果表明:MgxZn1-xSe是一种直接带隙半导体,其价带顶主要由Se-4p态电子构成,位置基本保持不变;导带底... 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,结合广义梯度近似,对Mg掺杂闪锌矿Zn Se的MgxZn1-xSe电子结构和光学性质进行了研究.结果表明:MgxZn1-xSe是一种直接带隙半导体,其价带顶主要由Se-4p态电子构成,位置基本保持不变;导带底主要由Se-4s态电子和Zn-4s态电子共同决定,并且随着掺杂浓度的增大向高能区方向移动,其能隙宽度随掺杂量的增大而变宽,吸收光谱出现蓝移,计算结果与现有文献符合得很好. 展开更多
关键词 第一性原理 硒化锌 电子结构 光学性质
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考虑主磁路饱和的隐极同步电机V形曲线 被引量:1
17
作者 高仕红 黄勇 陈功贵 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期41-44,共4页
从隐极同步电机的线性模型分析入手,导出其V形曲线的解析式。利用同步电机空载实验数据通过多项式拟合得到磁化曲线,提出隐极同步电机V形曲线的精确分析法,即基于稳态线性模型而激磁电抗参数随主磁路饱和程度不同而相应变化的分析方法... 从隐极同步电机的线性模型分析入手,导出其V形曲线的解析式。利用同步电机空载实验数据通过多项式拟合得到磁化曲线,提出隐极同步电机V形曲线的精确分析法,即基于稳态线性模型而激磁电抗参数随主磁路饱和程度不同而相应变化的分析方法。考虑主磁路饱和的同步电机激磁参数的估计值由最小二乘法参数辨识得到,实验数据与仿真结果基本吻合。仿真结果表明,考虑主磁路饱和后,消除了线性模型下隐极同步电机V形曲线过励时相对密集的现象。 展开更多
关键词 隐极同步电机 V形曲线 线性模型 主磁路饱和
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基于Atmega16L的无刷同步电机转子绕组接地检测新原理 被引量:1
18
作者 高仕红 杨庆 陈功贵 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2008年第12期72-77,共6页
目前,无刷同步电机转子绕组接地检测主要采用传统的方式,没有考虑到无刷同步电机的特殊结构。针对这一情况,提出了一种无刷同步电机转子绕组接地检测的新原理,详细地分析了它的接地检测原理。提出了消除接地检测死区的条件和接地检测的... 目前,无刷同步电机转子绕组接地检测主要采用传统的方式,没有考虑到无刷同步电机的特殊结构。针对这一情况,提出了一种无刷同步电机转子绕组接地检测的新原理,详细地分析了它的接地检测原理。提出了消除接地检测死区的条件和接地检测的灵敏度不受励磁电压影响的方法。并通过仿真和实验分析验证它的正确性,仿真和实验结果与原理分析相吻合。另外,还考虑了电网突然发生短路故障对接地检测的影响,仿真结果证明,在突然短路的过渡过程中,接地检测不会发生误动作,说明了该无刷同步电机接地检测具有较高的可靠性。 展开更多
关键词 无刷同步电机 转子绕组接地检测 灵敏度 死区
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Cu_2O电子结构与光学性质的第一性原理研究 被引量:3
19
作者 张昌华 余志强 《湖北民族学院学报(自然科学版)》 CAS 2016年第1期50-53,共4页
采用基于第一性原理的密度泛函理论计算,系统研究了块体Cu_2O的电子结构和光学性质.结果表明,块体Cu_2O为直接带隙半导体,最小禁带宽度为0.52e V;其价带顶主要Cu-3d态电子和O-2p态电子构成,而导带底则主要由Cu-4p态电子和O-2p态电子共... 采用基于第一性原理的密度泛函理论计算,系统研究了块体Cu_2O的电子结构和光学性质.结果表明,块体Cu_2O为直接带隙半导体,最小禁带宽度为0.52e V;其价带顶主要Cu-3d态电子和O-2p态电子构成,而导带底则主要由Cu-4p态电子和O-2p态电子共同决定;块体Cu_2O的静态介电常数为8.27,光吸收系数最大峰值1.83×105cm-1,研究结果为Cu_2O在光电器件方面的应用提供了理论基础. 展开更多
关键词 第一性原理 CU2O 电子结构 光学性质
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功率参数对光电薄膜Mg_2Si择优取向的影响 被引量:2
20
作者 余志强 谢泉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第3期438-440,共3页
采用射频磁控溅射设备,在硅(111)衬底上制备了光电半导体薄膜Mg2Si。通过X线衍射仪(XRD)和场致发射扫描电子显微镜(FESEM)对Mg2Si的晶体结构和微观形貌进行了表征,研究了功率参数对光电半导体薄膜Mg2Si外延择优取向的影响。结果表明,在6... 采用射频磁控溅射设备,在硅(111)衬底上制备了光电半导体薄膜Mg2Si。通过X线衍射仪(XRD)和场致发射扫描电子显微镜(FESEM)对Mg2Si的晶体结构和微观形貌进行了表征,研究了功率参数对光电半导体薄膜Mg2Si外延择优取向的影响。结果表明,在6090W的溅射功率范围内,硅基外延Mg2Si具有Mg2Si(220)的外延择优生长特性,且随着溅射功率的增加Mg2Si(220)晶面的衍射峰强度先增大后减小,在70 W溅射功率下Mg2Si(220)晶面的衍射峰强度最强。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 硅化二镁 功率参数 择优取向
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