CMOS图像传感器及其研究 被引量：7

1

作者 尚玉全 曾云 +1 位作者 滕涛 高云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期19-24,共6页

介绍了CMOS图像传感器的工作原理,比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径,综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势。

关键词 CMOS 图像传感器 电荷耦合器件 工作原理

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用于CMOS图像器件的超分辨率算法研究

2

作者 颜永红 齐良颉 曾云 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期33-36,共4页

提出一种基于CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法,该方法将4幅沿水平、垂直及对角线方向错位获取的CMOS图像重新组合,得到一幅重建的新图像.对重建图像的像素灰度进行了理论分析和计算,求出了重建超分辨率图像的算法.结果表明,在不提高... 提出一种基于CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法,该方法将4幅沿水平、垂直及对角线方向错位获取的CMOS图像重新组合,得到一幅重建的新图像.对重建图像的像素灰度进行了理论分析和计算,求出了重建超分辨率图像的算法.结果表明,在不提高CMOS工艺水平的条件下,该算法能将重建的CMOS图像的分辨率提高到原图像的2×2倍.实现了CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法.对该算法进行了计算机仿真,结果同理论分析计算的结果完全一致,证明了所提出的CMOS图像器件超分辨率算法是正确的. 展开更多

关键词 图像重建 CMOS图像器件 超分辨率 算法

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基于0.25μm工艺的低压有源像素传感器研究 被引量：1

3

作者 李晓磊 曾云 +2 位作者 张国樑 彭琰 王太宏 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第6期15-17,共3页

提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动... 提出了用PMOSFET代替传统的有源像素传感器(APS)中的NMOSFET作为复位晶体管,优化设计CMOS有源像素图像传感器,用0.25μm CMOS工艺进行仿真,结果表明:在相同的条件下,这种器件比传统APS拥有更高的信噪比、更大的输出电压摆幅、更大的动态范围和更快的读出速度。 展开更多

关键词 阈值电压 信噪比 动态范围 有源像素传感器

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60 dB动态范围的自动增益控制电路设计 被引量：5

4

作者 颜永红 蒋金枝 +1 位作者 马成炎 莫太山 《电子器件》 CAS 2008年第3期875-878,共4页

设计了一种工作频率在15.42 MHz应用于GPS射频接收芯片中的自动增益控制(AGC)电路,该电路与传统AGC结构相比,不需要峰值检测电路,也不需要环路滤波器,大大简化了设计复杂度,同时也使电路性能受工艺及温度变化的影响大大减小了,因此适用... 设计了一种工作频率在15.42 MHz应用于GPS射频接收芯片中的自动增益控制(AGC)电路,该电路与传统AGC结构相比,不需要峰值检测电路,也不需要环路滤波器,大大简化了设计复杂度,同时也使电路性能受工艺及温度变化的影响大大减小了,因此适用于低功耗、高集成的GPS射频通信系统中。电路设计采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺,电源电压2.5 V,经过流片验证,其动态范围可达60 dB,工作频率范围为[3.8 MHz,40 MHz],总功耗5 mW. 展开更多

关键词 嵌入式系统 TINI DS80C400 无线通信 自动增益控制 可变增益放大器 全球定位系统

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BJMOSFET频率特性的模拟分析 被引量：2

5

作者 曾云 尚玉全 +3 位作者 晏敏 盛霞 滕涛 高云 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期33-36,共4页

提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法... 提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOS FET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性. 展开更多

关键词 双极MOS场效应晶体管 频率特性 模拟分析

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多芯片组件技术 被引量：2

6

作者 曾云 晏敏 魏晓云 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期38-40,44,共4页

概述了微电子封装技术的发展历史和多芯片组件MCM)技术的发展过程,介绍了MCM技术的特点、基本类型及其特性、三维多芯片组件和MCM的应用,并分析预测了未来微电子封装的发展趋势。

关键词 多芯片组件 微电子封装 MCM 三维多芯片组件

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新型光电探测器及其填充系数的确定 被引量：2

7

作者 曾云 金湘亮 +1 位作者 胡磊 王太宏 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期76-79,共4页

详细分析了用于CMOS图像传感器的新型半导体光电器件的工作原理和光电特性,建立解析模型确定由其构成的像素单元的填充系数,优化光电响应特性。由于引入PN注入结,新型光电器件沟道电流同时存在电子电流和空穴电流,提高了器件的响应灵敏... 详细分析了用于CMOS图像传感器的新型半导体光电器件的工作原理和光电特性,建立解析模型确定由其构成的像素单元的填充系数,优化光电响应特性。由于引入PN注入结,新型光电器件沟道电流同时存在电子电流和空穴电流,提高了器件的响应灵敏度,避免了大的寄生电容,提高了信噪比。 展开更多

关键词 光电探测器 CMOS图像传感器 填充系数

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基于FM接收机的可变带宽频率综合器设计 被引量：2

8

作者 胡锦 李湘春 +3 位作者 冯炳军 彭杰 于兴宝 李锦枝 《电子器件》 CAS 2007年第2期526-529,共4页

本文介绍了应用在单芯片FM接收系统中可变带宽频率综合器的设计.通过同时改变电荷泵电流和滤波器的结构使锁相环的带宽发生变化,这样在不影响噪声性能(phase jitter)的前提下,锁定时间显著减小.在大电流状态下,环路带宽比锁定状态下提高... 本文介绍了应用在单芯片FM接收系统中可变带宽频率综合器的设计.通过同时改变电荷泵电流和滤波器的结构使锁相环的带宽发生变化,这样在不影响噪声性能(phase jitter)的前提下,锁定时间显著减小.在大电流状态下,环路带宽比锁定状态下提高了4.6倍.电路设计是采用0.6μm BICMOS工艺,仿真结果显示,在3V的电源电压下,锁定时VCO纹波电压小于0.2mV,功耗大约12mW. 展开更多

关键词 频率综合器 带宽可变 FM

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双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器 被引量：1

9

作者 杨红官 周少华 +1 位作者 曾云 施毅 《湖南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期69-72,共4页

设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器.对存储器样品的C-V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能.数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年(约108s).... 设计了一种新型的存储器结构单元———锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器.对存储器样品的C-V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能.数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年(约108s).这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路. 展开更多

关键词 锗/硅 量子点阵列 纳米存储器 C—V测量

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热释电红外传感器专用控制芯片的设计 被引量：4

10

作者 曾宏博 胡锦 赵欢 《微计算机信息》 北大核心 2006年第04Z期203-205,共3页

文章阐明了一种采用0.6μm1P1MCMOS工艺的热释电红外传感器专用控制芯片的设计。该芯片在[4.0V,6.0V]内稳定工作,具有较高的电源抑制比和较低的温漂,并且作了抗噪声和抗交流电源干扰处理。这种控制芯片用于接收、放大、处理、控制热释... 文章阐明了一种采用0.6μm1P1MCMOS工艺的热释电红外传感器专用控制芯片的设计。该芯片在[4.0V,6.0V]内稳定工作,具有较高的电源抑制比和较低的温漂,并且作了抗噪声和抗交流电源干扰处理。这种控制芯片用于接收、放大、处理、控制热释电红外传感器信号,应用前景十分广阔。 展开更多

关键词 热释电红外传艰器 带隙基准电压源 带通滤波器 电压比较器 过零检测

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PCI总线目标控制器的设计 被引量：4

11

作者 胡锦 孙晓宁 +1 位作者 曾云 王晨旭 《微计算机信息》 北大核心 2008年第1期12-14,共3页

本文在PCI2.2总线规范的基础上,给出了一种PCI总线目标控制器的设计方案。重点从控制逻辑和数据通路的建立上阐述了目标控制器的设计:用状态机实现总线访问操作的复杂时序,通过FIFO型目标接口和寄存器型目标接口的建立实现了数据通路。... 本文在PCI2.2总线规范的基础上,给出了一种PCI总线目标控制器的设计方案。重点从控制逻辑和数据通路的建立上阐述了目标控制器的设计:用状态机实现总线访问操作的复杂时序,通过FIFO型目标接口和寄存器型目标接口的建立实现了数据通路。目前本设计已应用到光电器件CMOS图象传感器的数据传输并通过了FPGA原型验证。 展开更多

关键词 PCI 目标控制器 状态机

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一种热释电红外传感器控制芯片的设计 被引量：2

12

作者 胡锦 曾宏博 凡金湘 《宇航计测技术》 CSCD 2006年第4期47-51,共5页

阐述了一种采用0.6μm CMOS工艺的热释电红外传感器控制芯片的设计。该芯片在[4.0 V,6.0V]电源范围内稳定工作,具有较高的电源电压抑制比和较低的温漂,并且作了抗噪声和抗交流电源干扰处理。这种控制芯片用于接收、放大、处理、控制热... 阐述了一种采用0.6μm CMOS工艺的热释电红外传感器控制芯片的设计。该芯片在[4.0 V,6.0V]电源范围内稳定工作,具有较高的电源电压抑制比和较低的温漂,并且作了抗噪声和抗交流电源干扰处理。这种控制芯片用于接收、放大、处理、控制热释电红外传感器信号,应用前景广阔。 展开更多

关键词 ^+热释电红外传感器 控制器 芯片 设计

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BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟 被引量：1

13

作者 曾云 高云 +3 位作者 晏敏 盛霞 滕涛 尚玉全 《电子器件》 CAS 2004年第3期493-497,共5页

对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极 MOS场效应晶体管 ( BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析 ,推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立 BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路 ,... 对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极 MOS场效应晶体管 ( BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析 ,推导出它们随温度变化率的解析表达式。建立 BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路 ,采用通用电路仿真软件 PSpice9,对 BJMOSFET的输出特性、瞬态特性和幅频特性随温度的变化进行了计算机模拟 ,得到了随温度变化的特性曲线 ,并且理论分析与计算机模拟取得了一致的结果。相对传统 MOS-FET,证明了 BJMOSFET具有较好的温度特性。 展开更多

关键词 双极MOS场效应晶体管 温度特性 理论分析 计算机模拟

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一种高电流匹配精度电荷泵电路设计 被引量：4

14

作者 胡锦 龙晖 易锋 《宇航计测技术》 CSCD 2007年第2期45-49,共5页

文章提出了一种基于TSMC 0.35μm CMOS工艺的高电流匹配精度电荷泵电路。该电路采用了对称结构充放电流镜,自偏置高摆幅共源共栅镜像电流源和电流开关加速电路,提高了高速工作时电路的稳定性,消除了电压跳变现象,解决了充放电流不匹配... 文章提出了一种基于TSMC 0.35μm CMOS工艺的高电流匹配精度电荷泵电路。该电路采用了对称结构充放电流镜,自偏置高摆幅共源共栅镜像电流源和电流开关加速电路,提高了高速工作时电路的稳定性,消除了电压跳变现象,解决了充放电流不匹配的问题,且输出摆幅较大。仿真结果表明,该电路可很好的工作于高精度锁相环电路中。 展开更多

关键词 CMOS 电荷泵 锁相环 自偏置共源共栅电流镜

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线性补偿型带隙基准电压源设计 被引量：1

15

作者 曾健平 田涛 +2 位作者 李宇 谢海情 邹韦华 《宇航计测技术》 CSCD 2005年第4期49-53,共5页

设计了一种高准确度基准电压源电路,电路采用了电流镜技术,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路,双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得正温度系数的电流IPTAT;同理将电阻的压降和双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得负温度... 设计了一种高准确度基准电压源电路,电路采用了电流镜技术,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路,双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得正温度系数的电流IPTAT;同理将电阻的压降和双极晶体管EB结压降作运放的输入,获得负温度系数的电流ICTAT,通过电流的减法运算将在整个温度范围内分两段产生不同的补偿电流INL,进而产生不同的补偿电压,并完成对带隙基准电压的分段线性补偿.由此得到温度系数很小的带隙基准电压.采用TSMC 0.18μm 1.8/3.3 1P6M CMOS标准工艺,在1.8 V电源下,-40℃～130℃温度范围内,仿真结果显示输出电压的温度系数小于1.88 ppm/V,低频时电源电压抑制比为-86 dB,功耗为237.5μW. 展开更多

关键词 带隙基准 分段补偿 温度系数 电源电压抑制比

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基于SOI的双极场效应晶体管 被引量：1

16

作者 曾云 滕涛 +2 位作者 晏敏 高云 尚玉全 《微细加工技术》 2004年第4期16-21,共6页

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底... 在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件———双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件———基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理。与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 展开更多

关键词 双极MOS场效应晶体管 绝缘衬底上的硅 体硅 固体电子器件

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分段线性补偿型CMOS带隙基准电压源设计 被引量：4

17

作者 张红南 曾健平 田涛 《计测技术》 2006年第1期35-38,共4页

设计了一种高精度CMOS带隙基准电压源电路。电路采用了共源共栅电流镜和自偏置技术,通过运放的负反馈分别获得正温度系数的电流IPTAT和负温度系数的电流ICTAT,通过电流的减法运算将在整个温度范围内分两段产生不同的补偿电流INL,并完成... 设计了一种高精度CMOS带隙基准电压源电路。电路采用了共源共栅电流镜和自偏置技术,通过运放的负反馈分别获得正温度系数的电流IPTAT和负温度系数的电流ICTAT,通过电流的减法运算将在整个温度范围内分两段产生不同的补偿电流INL,并完成对带隙基准电压的分段线性补偿,由此得到温度系数很小的带隙基准电压。 展开更多

关键词 带隙基准 分段补偿 温度系数 电源电压抑制比

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一种高性能带隙基准源的设计与分析 被引量：3

18

作者 曾宏博 胡锦 陈迪平 《电子工程师》 2006年第2期9-12,共4页

提出了一种采用0．6μm 1PIM（单层Poly，单层Metal）CMOS工艺的高性能带隙基准电压源电路（BGR）设计。该电路能够在电压范围[4．0V，6．0V]内稳定工作，实现了一阶PTAT（与绝对温度成比例）温度补偿，并具有较好的电源抑制比和较低的... 提出了一种采用0．6μm 1PIM（单层Poly，单层Metal）CMOS工艺的高性能带隙基准电压源电路（BGR）设计。该电路能够在电压范围[4．0V，6．0V]内稳定工作，实现了一阶PTAT（与绝对温度成比例）温度补偿，并具有较好的电源抑制比和较低的温度系数，应用在热释电红外传感器专用控制芯片之中。HSPICE模拟和芯片测试结果表明，其电源抑制比可达到65dB，在0℃～70℃范围内精度可达到23×10^-6／℃，当VDD为5V时功耗仪为158．6945μW。 展开更多

关键词 带隙基准源 PTAT(与绝对温度成比例) 电源抑制比 温度系数

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量子器件与量子信息技术

19

作者 曾云 晏敏 王玉永 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期18-21,53,共5页

从信息社会的发展分析提出了量子器件及量子信息技术产生和发展的必然性,介绍了谐振隧穿器件、单电子器件、电子波导晶体管等纳米电子器件及其特点,对量子激光器和量子信息技术及其性能作了简要介绍,并给出了应用前景。

关键词 量子器件 谐振隧穿器件 单电子器件 电子波导晶体管 量子信息技术

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一种基于DSP的测量微弱光电信号的方法 被引量：2

20

作者 凡金湘 胡锦 +1 位作者 曾宏博 邓耀辉 《计量技术》 2006年第2期30-33,共4页

采用相关检测原理设计并基于DSP的双相位锁相放大技术,设计了一种光电信号检测的方法,特别是针对背景噪声比较大的微弱光电信号,它具有很高的灵敏度。从应用的角度研究了微弱光电信号的检测原理,讨论其应用于DSP技术的双重锁相结构的优... 采用相关检测原理设计并基于DSP的双相位锁相放大技术,设计了一种光电信号检测的方法,特别是针对背景噪声比较大的微弱光电信号,它具有很高的灵敏度。从应用的角度研究了微弱光电信号的检测原理,讨论其应用于DSP技术的双重锁相结构的优点,消除了参考信号和待测信号相位差不确定性的影响。实现了对微弱光电信号的实时在线检测。 展开更多

关键词 相关 DSP 微弱光电信号

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