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应用同步辐射光源的表面物理研究—现状与展望 被引量：1
1
作者 丁训民 侯晓远 王迅 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1992年第2期168-197,共30页
本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较... 本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍射(GIXD)等。对每种技术的原理、应用实例和最新进展都作了较详细的介绍。 展开更多
关键词 表面物理 同步辐射 SRPES
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用于物理研究的分子束外延模拟实验装置
2
作者 董国胜 侯晓远 +3 位作者 丁训民 陈平 张恩善 谢琪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第2期95-98,共4页
本文报道了一台用于物理研究的分子束外延模拟实验装置的设计和调试。这一模拟实验装置和商业化的大型测试仪器相连接,允许在不破坏超高真空状态时测试用分子束外延方法制备的样品,提供了开展应用研究和在线检测的手段。
关键词 分子束外延 物理研究 模拟实验装置 在线检测 测试仪器 束源 样品架 物理测试 准备室 应用研究
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μSR实验进展与缪子源发展趋势
3
作者 王颖 殳蕾 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第19期58-64,共7页
缪子自旋弛豫/旋转技术(muon spin relaxation/rotation,μSR)是一种高度灵敏的原子尺度磁性探测手段.随着μSR技术的不断发展,其在凝聚态物理研究中愈加重要.本文简要介绍μSR技术的优越性和独特性,概述近期μSR技术在凝聚态领域的几... 缪子自旋弛豫/旋转技术(muon spin relaxation/rotation,μSR)是一种高度灵敏的原子尺度磁性探测手段.随着μSR技术的不断发展,其在凝聚态物理研究中愈加重要.本文简要介绍μSR技术的优越性和独特性,概述近期μSR技术在凝聚态领域的几项重要进展和挑战,包括镍基超导体La_(3)Ni_(2)O_(7)和(R,Sr)NiO_(2)的磁性基态研究、笼目晶格超导体AV_(3)Sb_(5) (A=K,Rb)的电荷密度波研究、NaYbSe_(2)量子自旋液体“海洋”中沉浸的自旋“磁滴”和Cr_(2)O_(3)磁电表面附近磁单极子的研究,并简单阐述了国际上缪子源的建设情况和升级进展. 展开更多
关键词 缪子自旋弛豫/旋转 磁性 超导 量子自旋液体
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狭义相对论中量子泊松括号的变换及其物理意义
4
作者 黄忠梅 黄伟其 《贵州大学学报（自然科学版）》 2024年第4期15-18,共4页
将泊松括号从分析力学过渡到量子力学,其物理意义是很深刻的;进一步变换到狭义相对论四维时空中,其四维的量子力学泊松括号所具有的对称性和洛伦兹不变性是非常有趣的,由此给出时空光锥上四维量子力学矢量的非对易泊松括号,推导出新的... 将泊松括号从分析力学过渡到量子力学,其物理意义是很深刻的;进一步变换到狭义相对论四维时空中,其四维的量子力学泊松括号所具有的对称性和洛伦兹不变性是非常有趣的,由此给出时空光锥上四维量子力学矢量的非对易泊松括号,推导出新的物理创意和结果,探索物理量之间新的量子非对易关系。以此将量子力学与狭义相对论力学结合起来,思考近代物理中的对称性与守恒量问题,并通过非对易关系沟通物质与时空的物理图像及其联系,这些创新性工作在物理层面上具有重要的意义。 展开更多
关键词 狭义相对论 量子泊松括号 四维量子力学矢量 量子非对易关系
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二氧化钛表面包覆氧化硅纳米膜的热力学研究 被引量：46
5
作者 崔爱莉 王亭杰 +1 位作者 金涌 孙牧 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1543-1545,共3页
热力学计算结果表明 ,氧化硅的临界成核半径为 2 .8nm.由起伏引起的核胚如果小于 2 .8nm则不会形成晶核而继续生长 .上述热力学分析虽然是半理想化的 ,但是非常有效 .可以找到这样一个体系 ,其溶液条件不发生均匀成核 ,而是异相表面成核 .
关键词 二氧化钛 氧化硅 热力学 表面包覆 纳米膜 表面处理 钛白粉
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同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究 被引量：14
6
作者 来冰 丁训民 +8 位作者 袁泽亮 周翔 廖良生 张胜坤 袁帅 侯晓远 陆尔东 徐彭寿 张新夷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第7期543-547,共5页
首次利用同步辐射光电子能谱（ＳＲＰＥＳ）研究了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜表面的化学状态．发现ＩＴＯ表面的铟和锡分别具有多种价态．对比真空退火前后ＩＴＯ样品的电阻率与透射率，结合对ＩＴＯ导电机理的分析讨论。
关键词 铟锡氧化物 ITO SRPES 实验
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ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理 被引量：6
7
作者 孙剑 吴嘉达 +3 位作者 钟晓霞 来冰 丁训民 李富铭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期1019-1023,共5页
利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .... 利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 . 展开更多
关键词 硅 表面处理 ECR等离子体 单晶硅
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Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质 被引量：4
8
作者 危书义 马丽 +2 位作者 杨宗献 戴宪起 张开明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1040-1043,共4页
用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电... 用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究 . 展开更多
关键词 化学吸附 钴 硅 低指数单晶面 金属薄膜
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S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究 被引量：2
9
作者 胡海天 丁训民 +7 位作者 袁泽亮 李哲深 曹先安 侯晓远 陆尔东 徐世红 徐彭寿 张新夷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期316-320,共5页
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合... 前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量。 展开更多
关键词 砷化镓 SRPES 钝化
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电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用 被引量：2
10
作者 陈维德 李秀琼 +1 位作者 段俐宏 谢小龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期518-521,共4页
采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍．利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫... 采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍．利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫钝化的影响．结果表明，硫钝化ＩｎＰ表面经电子束辐照可以促使Ｓ与ＩｎＰ中的Ｉｎ更好的化合． 展开更多
关键词 电子束辐照 磷化铟 硫钝化 表面处理
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半导体异质结界面能带排列的实验研究 被引量：5
11
作者 卢学坤 王迅 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1991年第4期456-482,共27页
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研... 本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。 展开更多
关键词 半导体 异质结 界面 能带
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用STM研究HF,O_2和H_2O混合气体对Si(100)表面的作用 被引量：2
12
作者 梁励芬 董树忠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期81-84,共4页
用STM观测了Si（100）表面被氧气流携带的HF和H2O处理后的表面原子结构．实验在大气环境和室温条件下进行，所得STM拓扑图具有清晰的原子级的分辨率．结果表明处理后的表面结构随时间发生变化．刚处理后的表面不显示有序的结构特征，但... 用STM观测了Si（100）表面被氧气流携带的HF和H2O处理后的表面原子结构．实验在大气环境和室温条件下进行，所得STM拓扑图具有清晰的原子级的分辨率．结果表明处理后的表面结构随时间发生变化．刚处理后的表面不显示有序的结构特征，但在大气中存放15分钟后，硅片表面开始逐渐呈现出清晰的Si（100）2×1结构，随后再逐渐转变为1×1结构．这可能是混合气体与Si表面作用，能更有效地清除表面残余的沾污物和氧化层，暴露清洁的硅2×1再构表面，进一步由于吸附H，使表面悬挂键被氢原子占据，转变为1×1结构．有序结构可维持3小时，因此用所述混合气体处理硅片是更有效清洁和钝化硅表面的一种方法． 展开更多
关键词 硅 STM 混合气体处理 表面原子结构
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金属薄膜表面化学反应活性中的量子尺寸效应 被引量：1
13
作者 马旭村 姜鹏 +4 位作者 宁艳晓 宋灿立 陈曦 贾金锋 薛其坤 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2008年第2期146-157,共12页
本文首先简要介绍了金属薄膜的量子尺寸效应及其对表面化学性质的影响,然后对Pb/Si体系量子尺寸效应的近期研究进行了综述,最后详细介绍了量子效应对表面化学反应活性的影响。扫描隧道显微镜观察表明:在Pb(111)单晶薄膜表面上的分子吸... 本文首先简要介绍了金属薄膜的量子尺寸效应及其对表面化学性质的影响,然后对Pb/Si体系量子尺寸效应的近期研究进行了综述,最后详细介绍了量子效应对表面化学反应活性的影响。扫描隧道显微镜观察表明:在Pb(111)单晶薄膜表面上的分子吸附和氧化反应随着薄膜厚度一个原子层一个原子层变化时会出现振荡现象。通过研究薄膜中量子阱态的形成、费米能级处电子态密度的变化与薄膜的表面反应活性之间的关系,我们从实验上直接定量地证明了量子尺寸效应对表面反应活性的调控作用。 展开更多
关键词 量子尺寸效应 电子结构 Pb(111)薄膜 表面吸附和氧化 扫描隧道显微镜/谱
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银纳米团簇在HOPG表面上的控制生长 被引量：1
14
作者 王立莉 马旭村 +5 位作者 齐云 姜鹏 焦健 包信和 贾金锋 薛其坤 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第1期1-5,共5页
由于银与高定向热解石墨(highlyorientedpyrolyticgraphite,HOPG)表面间的相互作用很小,银在HOPG表面上的生长通常采取三维的Volmer Weber模式,得到空间分布不均匀的银团簇。本文分别采用加热氧化和氩离子轰击来改变HOPG衬底的表面结构... 由于银与高定向热解石墨(highlyorientedpyrolyticgraphite,HOPG)表面间的相互作用很小,银在HOPG表面上的生长通常采取三维的Volmer Weber模式,得到空间分布不均匀的银团簇。本文分别采用加热氧化和氩离子轰击来改变HOPG衬底的表面结构,并用扫描隧道显微镜(STM)研究了银在它们上面的生长过程。实验结果表明:在氩离子轰击过的HOPG表面上,可以得到大小基本一致、空间分布均匀的银纳米团簇,实现了银团簇的控制生长。氩离子轰击导致了平整的HOPG表面产生缺陷,这些缺陷对银原子的扩散进行限制并成为优先成核中心,最终形成均匀的银纳米团簇。 展开更多
关键词 纳米团簇 轰击 表面 原子 氩离子 热解石墨 成核 改变 控制 实验结果
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GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法 被引量：1
15
作者 陈溪滢 曹华 +7 位作者 徐前江 王杰 朱炜 曹先安 张甫龙 丁训民 侯晓远 陆明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期476-480,共5页
本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用... 本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜． 展开更多
关键词 砷化镓表面 硫钝化法 辉光放电法
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Ti/A1N快速退火界面反应的实验研究 被引量：4
16
作者 陈新 王佑祥 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期160-166,共7页
在电子封装用的A1N陶瓷多晶衬底上生长250nm的Ti膜，并进行快速退火。用RBS（卢瑟福背散射）、AES（俄歇电子能谱）、SIMS（二次离子质谱）和XRD（X射线衍射）等实验技术对界面反应进行了分析研究，用划痕实验测量了退火对Ti／A1N界面... 在电子封装用的A1N陶瓷多晶衬底上生长250nm的Ti膜，并进行快速退火。用RBS（卢瑟福背散射）、AES（俄歇电子能谱）、SIMS（二次离子质谱）和XRD（X射线衍射）等实验技术对界面反应进行了分析研究，用划痕实验测量了退火对Ti／A1N界面粘附力的影响。实验结果表明：快速退火时，Ti，A1，N以及A1N中掺杂的O均发生明显的界面扩散和界面反应。样品表面的O和A1N衬底中掺杂的O都向Ti膜中扩散，在较低的退火温度下生成TiO2；在较高的退火温度下与扩散到Ti膜中的A1反应，在Ti膜中间形成Al2O3层。N向Ti中扩散，并与Ti反应生成TiN。在薄膜和衬底之间有Ti的氧化物生成。粘附力的测量结果表明：在较低的温度下进行快速退火可以明显提高Ti／A1N界面的强度，在较高的温度下，界面强度有所下降。 展开更多
关键词 电子封装 界面反应 二次离子质谱 钛 薄膜
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ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化 被引量：1
17
作者 孙剑 吴嘉达 +3 位作者 钟晓霞 来冰 丁训民 李富铭 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期99-102,共4页
利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。
关键词 等离子体氮化 氮化硅 硅表面处理 薄膜制备
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(001)取向硅基底上异质外延金刚石薄膜实验研究 被引量：2
18
作者 杨杰 陈启瑾 +3 位作者 林彰达 王利新 金星 张泽 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1995年第2期233-235,共3页
单晶硅基底上异质外延生长单晶金刚石薄膜具有重要的理论和实际意义,有广阔的应用前景。它是世界上技术先进国家重点研究课题之一,也是材料工作者的努力方向。目前金刚石薄膜的外延仅局限于同质外延和在微米量级的立方氮化硼(C-BN)上生... 单晶硅基底上异质外延生长单晶金刚石薄膜具有重要的理论和实际意义,有广阔的应用前景。它是世界上技术先进国家重点研究课题之一,也是材料工作者的努力方向。目前金刚石薄膜的外延仅局限于同质外延和在微米量级的立方氮化硼(C-BN)上生长。由于硅与金刚石表面能和晶格参数相差非常大(Si:a=0.536 nm,(111)面表面能=1.5 J·m^(-2);金刚石:a=0.356 nm,表面能=6 J·m^(-2),使得硅基底上能否直接外延生长金刚石成为悬而未决的问题。由于缺乏直接的证据,导致众说纷云。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 外延生长 界面结构 硅基底
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表面势垒层厚度对量子阱束缚电子态的影响 被引量：1
19
作者 徐至中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第11期657-665,共9页
采用包络函数方法在四带k·p模型基础上计算了晶格匹配的量子阱 InP/Ca_(0.47)In_(0.53)As/InP中束缚电子能级及波函数,讨论了表面势垒层厚度对量子阱中束缚电子能级、波函数以及相应于电子基态能级与重空穴基态能级间的荧光谱峰位... 采用包络函数方法在四带k·p模型基础上计算了晶格匹配的量子阱 InP/Ca_(0.47)In_(0.53)As/InP中束缚电子能级及波函数,讨论了表面势垒层厚度对量子阱中束缚电子能级、波函数以及相应于电子基态能级与重空穴基态能级间的荧光谱峰位置的影响.文中也讨论了在势阱与势垒边界处的不同衔接条件对量子阱中束缚电子能级计算结果的影响. 展开更多
关键词 量子阱 表面势垒层 厚度 电子态
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Si(001)上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sb的作用的研究
20
作者 徐阿妹 朱海军 +4 位作者 毛明春 蒋最敏 卢学坤 胡际璜 张翔九 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第10期725-730,共6页
本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的... 本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生的影响．研究表明，Sb的引入将会使Si（001）衬底上无定形Ge膜的晶化温度显著提高，并在一定的生长条件下，破坏Ge外延层的结晶性． 展开更多
关键词 半导体 砷化镓 硅 MBE异质生长 表面活化剂
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