对环形通道内金属钠起始沸腾壁面过热度进行实验研究。实验段长800 mm ，环形通道外径10 mm ，内径6 mm。电加热元件最高热流密度为846 kW/m2，进口过冷度为63.1～287.8℃，质量流量为7.2～122.0 kg/h ，系统压力为0.85～28.79 kPa。实...对环形通道内金属钠起始沸腾壁面过热度进行实验研究。实验段长800 mm ，环形通道外径10 mm ，内径6 mm。电加热元件最高热流密度为846 kW/m2，进口过冷度为63.1～287.8℃，质量流量为7.2～122.0 kg/h ，系统压力为0.85～28.79 kPa。实验结果表明，起始沸腾壁面过热度随热流密度和进口过冷度的增加而升高，随质量流量和系统压力的增加而降低。拟合得到了关于起始沸腾壁面过热度的半经验关系式，关系式计算结果与实验数据符合良好。展开更多
磷化铟(In P)作为第二代化合物半导体材料,抗辐照能力强,光电转换效率高,在光子领域和射频领域具有优势.大气空间中, In P半导体器件受大气中子辐照影响,器件性能发生退化.本文采用蒙特卡罗模拟软件Geant4对In P中子辐照效应进行模拟,得...磷化铟(In P)作为第二代化合物半导体材料,抗辐照能力强,光电转换效率高,在光子领域和射频领域具有优势.大气空间中, In P半导体器件受大气中子辐照影响,器件性能发生退化.本文采用蒙特卡罗模拟软件Geant4对In P中子辐照效应进行模拟,得到In P中不同能量中子产生的位移损伤初态分布.结果表明:在微米量级内,非电离能量损失(NIEL)随深度均匀分布,在厘米及更高量级上, NIEL随着入射深度的增大而降低,当靶材料足够厚时可以降低至零;分析1—20 Me V中子入射3μm In P产生的NIEL及其随深度分布,发现NIEL随入射中子能量的增加呈现出先升后降的趋势,该趋势主要由非弹性散射反应产生的初级反冲原子(PKA)造成;分析1—20 Me V中子入射3μm In P产生的PKA种类、能量,发现In/P的PKA占比较大,是产生位移损伤的主要因素,中子能量越高, PKA的种类越丰富, PKA最大动能越大,但PKA主要分布在低能部分.研究结果对In P基5G器件在大气中子辐射环境中的长期应用具有理论和指导价值.展开更多
文摘对环形通道内金属钠起始沸腾壁面过热度进行实验研究。实验段长800 mm ，环形通道外径10 mm ，内径6 mm。电加热元件最高热流密度为846 kW/m2，进口过冷度为63.1～287.8℃，质量流量为7.2～122.0 kg/h ，系统压力为0.85～28.79 kPa。实验结果表明，起始沸腾壁面过热度随热流密度和进口过冷度的增加而升高，随质量流量和系统压力的增加而降低。拟合得到了关于起始沸腾壁面过热度的半经验关系式，关系式计算结果与实验数据符合良好。
文摘磷化铟(In P)作为第二代化合物半导体材料,抗辐照能力强,光电转换效率高,在光子领域和射频领域具有优势.大气空间中, In P半导体器件受大气中子辐照影响,器件性能发生退化.本文采用蒙特卡罗模拟软件Geant4对In P中子辐照效应进行模拟,得到In P中不同能量中子产生的位移损伤初态分布.结果表明:在微米量级内,非电离能量损失(NIEL)随深度均匀分布,在厘米及更高量级上, NIEL随着入射深度的增大而降低,当靶材料足够厚时可以降低至零;分析1—20 Me V中子入射3μm In P产生的NIEL及其随深度分布,发现NIEL随入射中子能量的增加呈现出先升后降的趋势,该趋势主要由非弹性散射反应产生的初级反冲原子(PKA)造成;分析1—20 Me V中子入射3μm In P产生的PKA种类、能量,发现In/P的PKA占比较大,是产生位移损伤的主要因素,中子能量越高, PKA的种类越丰富, PKA最大动能越大,但PKA主要分布在低能部分.研究结果对In P基5G器件在大气中子辐射环境中的长期应用具有理论和指导价值.
