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模拟集成电路工艺技术研究进展
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作者 付晓君 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第4期523-541,共19页
集成电路工艺是芯片制造的关键技术,也是推动芯片性能提升的主要动力。模拟集成电路作为集成电路的重要组成部分,是电子系统与自然界模拟信息交换的桥梁,具有应用范围广、产品门类多、工艺耦合度高等特点,因此模拟集成电路工艺技术呈现... 集成电路工艺是芯片制造的关键技术,也是推动芯片性能提升的主要动力。模拟集成电路作为集成电路的重要组成部分,是电子系统与自然界模拟信息交换的桥梁,具有应用范围广、产品门类多、工艺耦合度高等特点,因此模拟集成电路工艺技术呈现了高压、高速、高精度或多样化的器件集成等特征,并结合不同产品需求、不同工艺特征进行综合折中形成独特的工艺发展路径。本文综述了模拟集成电路工艺技术的发展历程及研究进展,系统分析了业界主流的互补双极、BiCMOS、BCD及RF/混合信号CMOS工艺的主要特征、技术水平与发展趋势,从而为模拟集成电路工艺选用和开发提供参考。 展开更多
关键词 模拟集成电路 制造工艺 SiGe BiCMOS BCD RF CMOS
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单片集成式高响应光电探测器件设计
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作者 李明 傅婧 +2 位作者 蒋君贤 刘戈扬 倪飘 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第5期687-692,共6页
针对光电探测单元与标准工艺兼容、单片集成与工艺技术融合难度大等问题,文章基于互补双极标准工艺设计了单片集成式高响应光电探测器件,采用光电探测器和信号处理电路单片集成方案,开展高响应光电探测单元和低延迟高速率信号处理电路... 针对光电探测单元与标准工艺兼容、单片集成与工艺技术融合难度大等问题,文章基于互补双极标准工艺设计了单片集成式高响应光电探测器件,采用光电探测器和信号处理电路单片集成方案,开展高响应光电探测单元和低延迟高速率信号处理电路的设计与仿真,实现了器件的单片集成、工艺技术融合和高响应光电探测。测试结果表明,该器件光电响应特性和信号处理功能正常,实现了高响应(峰值响应达到0.462 A/W)、快数据输出速率(最大达12 Mbd)、低传输延迟(小于41.8 ns)、低输出逻辑电平(0.15 V)、低输出漏电(小于1.5μA)等光电探测要求。所设计的器件整体技术性能优异,可满足小型化、高集成、低成本的光电探测系统应用要求。 展开更多
关键词 单片集成 高响应光电探测 低延迟低漏电输出
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GaN驱动芯片的增强型抗干扰欠压保护电路
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作者 杨潇雨 杨曼琳 +3 位作者 吴昊 王妍 汪紫薇 蒲阳 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期432-436,共5页
针对汽车电子高性能GaN驱动芯片需求,为解决GaN器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大... 针对汽车电子高性能GaN驱动芯片需求,为解决GaN器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大电路回差电压,极大提高了电路的抗干扰能力。电源上电至预设电压后,系统解除保护锁定,GaN器件通路开启,电源驱动后级GaN器件栅极,实现GaN器件欠压保护功能,提高稳定性。采用0.18μm BCD工艺进行设计。仿真结果表明,电源上电至8.5 V时,电路解除欠压保护功能,带隙基准电路输出1.5×10^(-5)/℃高精度5 V电压至GaN驱动电路栅端。电源下电至8 V时,电路启动欠压保护功能,芯片系统关断,实现GaN器件保护功能。回差电压为0.5 V,静态电流为60μA。该欠压保护电路满足低温度系数、低功耗、高回差电压等要求。 展开更多
关键词 GaN驱动电路 欠压保护电路 低压误开 双重比较
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高压MOS器件SPICE建模研究
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作者 顾祥 彭宏伟 +1 位作者 纪旭明 李金航 《微处理机》 2025年第2期9-13,共5页
针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方... 针对BSIM3v3模型在高压集成电路中高压MOS器件建模上的局限性,通过深入分析栅源电压和衬源电压对源漏电阻的影响,以及电流准饱和效应、碰撞电离电流、高压寄生管和自热效应等关键因素,提出一种基于BSIM3v3的高压MOS模型改进方法。该方法通过引入不同的压控电阻(VCR)、受控电压源(VCVS)和受控电流源(CCCS)等子电路,构建了一个用于精确模拟高压MOS器件的SPICE Macro模型。这一改进显著提升了高压MOS器件的建模精度,对高压集成电路的设计与仿真具有重要的实际意义和应用价值。 展开更多
关键词 高压MOS SPICE模型 参数提取
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Flash开关单元编程及擦除阈值电压回归模型
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作者 翟培卓 洪根深 +3 位作者 王印权 郑若成 谢儒彬 张庆东 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期154-160,共7页
Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程... Flash开关单元是实现Flash型现场可编程门阵列(FPGA)的重要配置单元,具有可重构、集成度高、功耗低的优势。采用正交试验设计方法,进行了n型Flash开关单元编程及擦除试验,获取了Sense管和Switch管编程及擦除阈值电压,构建了Sense管编程阈值电压、Sense管擦除阈值电压、Switch管编程阈值电压、Switch管擦除阈值电压共四个回归模型。结果表明:所建立模型预测阈值电压的最大误差均不超过0.15 V,平均误差均不超过0.06 V,均具有较高的显著性,模型可信度高;Sense管和Switch管编程阈值电压与编程时间的对数、编程正压、编程负压分别呈线性关系,Sense管和Switch管擦除阈值电压与擦除时间的对数、擦除正压、擦除负压亦分别呈线性关系。回归模型可为Flash开关单元操作波形的设计和优化提供参考依据。 展开更多
关键词 正交试验 FLASH 开关单元 阈值电压 回归模型
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基于存内计算的卷积网络量化方法
6
作者 桑贤侦 李敏 +3 位作者 程虎 魏敬和 赵伟 王正行 《集成电路与嵌入式系统》 2025年第4期30-38,共9页
针对卷积网络在存内计算电路上部署时采用统计法计算模/数转换系数导致网络性能下降问题,设计了一种基于存内计算的卷积网络量化方法。该方法首先对卷积层的激活值、权重系数量化,然后根据存内计算电路单Tile数据流特点,设计基于单Tile... 针对卷积网络在存内计算电路上部署时采用统计法计算模/数转换系数导致网络性能下降问题,设计了一种基于存内计算的卷积网络量化方法。该方法首先对卷积层的激活值、权重系数量化,然后根据存内计算电路单Tile数据流特点,设计基于单Tile的模/数转换系数量化网络,之后,设计一种基于KL散度的方法计算模/数转换系数,最后,将模/数转换系数映射为电导值,同时与卷积层中的激活值、权重量化系数进行融合,并转换为移位和定点数乘形式,实现卷积网络在存内计算电路上的部署推理。软件仿真实验结果表明,与其他模/数转换系数计算方法相比,本文所设计的量化方法对网络性能影响较小,并适用于卷积网络多位宽混合量化。由于软件仿真完全模拟存内计算电路数据流过程,因此所提方法可以在存内计算电路工程中应用。 展开更多
关键词 存内计算 卷积网络 模/数转换系数 量化部署
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面向片上网络和DDR3控制器的网络接口设计与实现
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作者 韩玉洁 魏敬和 +4 位作者 鞠虎 高营 田青 李庆鑫 陈俊如 《微电子学与计算机》 2025年第4期138-144,共7页
存储器是构成计算系统的重要组成部分。DDR3内存容量大、带宽高、速度高,广泛应用在数字系统领域。片上网络(Network on Chip,NoC)占用资源少、功耗低,实现了复杂的片上功能单元的互连通信。在异构多节点片上网络中,各节点之间的信息交... 存储器是构成计算系统的重要组成部分。DDR3内存容量大、带宽高、速度高,广泛应用在数字系统领域。片上网络(Network on Chip,NoC)占用资源少、功耗低,实现了复杂的片上功能单元的互连通信。在异构多节点片上网络中,各节点之间的信息交互机制对系统性能有重要影响。设计了面向NoC和DDR3控制器的网络接口,用于接收NoC各种请求类型的数据包,并通过AXI总线使DDR3控制器操作DDR3进行读写,向NoC路由器返回相应的响应包。经过前仿和后仿中大量读写操作的验证,表明网络接口读写操作符合NoC协议和AXI协议的时序要求,读写数据具有一致性,DDR3网络接口功能正确,实现了NoC和DDR3之间的高效通信。 展开更多
关键词 片上网络 路由器 DDR3 网络接口
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一种大带宽、高增益的高速跨阻放大器芯片设计
8
作者 班郁 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第1期35-39,共5页
提出一种可用于高速光接收系统的宽带跨阻放大器(TIA)芯片架构和电路设计。跨阻放大器芯片作为光电探测器后端电路,可对探测器输出的电流信号进行低噪声放大,并使其满足速率和系统灵敏度需求。高速跨阻放大器设计架构由跨阻放大器核心... 提出一种可用于高速光接收系统的宽带跨阻放大器(TIA)芯片架构和电路设计。跨阻放大器芯片作为光电探测器后端电路,可对探测器输出的电流信号进行低噪声放大,并使其满足速率和系统灵敏度需求。高速跨阻放大器设计架构由跨阻放大器核心电路、单端到差分转换电路以及限幅放大器电路3部分组成。在限幅放大器设计中,利用密勒效应引入可调电容平衡高频电路输出电压幅度、带宽和电路稳定性,实现信号宽带接收、限幅放大以及外部驱动等功能,提升高速传输信号的质量。通过在不同工艺角下对芯片进行小信号幅频特性分析、噪声仿真及大信号时域分析,进一步验证了跨阻放大器芯片的带宽、噪声和灵敏度以及传输特性等芯片各项性能指标。 展开更多
关键词 宽带跨阻放大器(TIA) 高速光收发 密勒效应
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全局/滚动曝光兼容高动态抗辐照CMOS图像传感器设计
9
作者 李明 刘戈扬 +4 位作者 傅婧 刘昌举 倪飘 蒋君贤 任思伟 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第4期568-574,共7页
针对高速目标的高精度探测及辐射环境的应用要求,为解决全局与滚动曝光模式兼容难度大、灵敏度和动态低、帧速不高、抗辐照水平低等问题,对CMOS图像传感器架构、像素结构、列并行高精度数字化、高速读出、抗辐照加固等技术进行研究。基... 针对高速目标的高精度探测及辐射环境的应用要求,为解决全局与滚动曝光模式兼容难度大、灵敏度和动态低、帧速不高、抗辐照水平低等问题,对CMOS图像传感器架构、像素结构、列并行高精度数字化、高速读出、抗辐照加固等技术进行研究。基于单边列并行DDS、多模兼容的架构方案,设计了一款7.5μm×7.5μm,2048×2048可见光CMOS图像传感器,采用双增益像素结构、高帧速数字化读出、多通道可选输出、像素和电路抗辐照加固等方法,实现了全局与滚动曝光兼容、高灵敏度高动态成像、高精度数字化和高速输出、抗辐照加固等技术验证,填补了国内多模曝光兼容抗辐照CMOS图像传感技术研究空白。测试结果表明:器件功能正常,成像效果良好,动态范围、满阱电荷、灵敏度、帧速、抗辐照等指标满足预期要求,对高速高动态成像及辐射环境的系统应用具有重要意义。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 全局与滚动兼容 抗辐照 像素双增益
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0.18μm PDSOI MOSFET高温模型研究
10
作者 王成成 洪敏 +5 位作者 蒲凯文 王芳 李博 朱慧平 刘凡宇 卜建辉 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第4期542-546,共5页
针对目前业界主流伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型绝缘体上硅(Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field Effect Transistor Model Silicon-On-Insulator,BSIMSOI)模型无法满足高温集成电路仿真需求的问题,开展了绝缘体上硅(Sil... 针对目前业界主流伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型绝缘体上硅(Berkeley Short-Channel Insulated Gate Field Effect Transistor Model Silicon-On-Insulator,BSIMSOI)模型无法满足高温集成电路仿真需求的问题,开展了绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)器件高温模型研究。提出了一种应用于部分耗尽型绝缘体上硅(Partially Depleted Silicon-On-Insulator,PDSOI)器件高温漏电的建模方法,通过引入亚阈值漏电参数的温度关系模型,对现有BSIMSOI模型进行优化,获得了适用于250℃的PDSOI MOSFET高温模型。然后利用0.18μm PDSOI MOSFET进行高温模型的参数提取与验证,模型仿真数据与测试数据拟合良好,尤其是漏电流误差减小到5%以内,大大提高了器件模型高温下的仿真精度。 展开更多
关键词 BSIMSOI PDSOI 亚阈值漏电 高温模型
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本征基区尺寸对双极器件总电离剂量辐射效应的影响
11
作者 葛超洋 杨强 +2 位作者 李燕妃 孙家林 谢儒彬 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1036-1042,共7页
基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极... 基于标准0.18μm BCD工艺,对双极器件总电离剂量(TID)辐射效应进行了研究,提出了一种提高双极器件抗总电离剂量辐射能力的方法。理论分析表明,在标准0.18μm BCD工艺中,双极器件总电离剂量辐射的敏感区域位于浅沟槽隔离结构下方、基极接触区和发射极边缘之间的本征基区。对不同本征基区尺寸的双极器件进行了总电离剂量辐射实验,研究了本征基区尺寸对双极器件电流增益随总电离剂量退化的影响。实验结果表明,在相同总电离剂量下,双极器件本征基区尺寸越小,增益衰减比例越小,辐射敏感性越低。将10 V纵向npn(VNPN)器件的本征基区尺寸由1.4μm减小至0.6μm,可将150 krad(Si)总电离剂量辐射后的归一化电流增益由0.6132增大到0.7081。因此,减小本征基区尺寸是一种有效的双极器件总电离剂量辐射加固技术。 展开更多
关键词 双极器件 总电离剂量(TID)辐射 本征基区 0.18μm BCD工艺
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军事大模型发展现状与算力基础设施需求分析 被引量:2
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作者 季鹏飞 华松逸 +2 位作者 张煜晨 肖蒙蒙 余炳晨 《军民两用技术与产品》 2024年第6期36-44,共9页
面对当前军事领域新一轮革命,军事安全面临着挑战,唯有加快军事智能发展,才能在未来战争中立于不败之地。大模型技术是战场上一种特别有前景的新兴人工智能能力。本文以大量最新科学文献和数据研究为基础,介绍了大模型的概念及其军事应... 面对当前军事领域新一轮革命,军事安全面临着挑战,唯有加快军事智能发展,才能在未来战争中立于不败之地。大模型技术是战场上一种特别有前景的新兴人工智能能力。本文以大量最新科学文献和数据研究为基础,介绍了大模型的概念及其军事应用范围,剖析了3种国内外在军事领域应用的人工智能大模型,全方位梳理了这些大模型在军事领域实现的功能及存在的价值和缺陷,探讨了军事大模型的计算形态和对算力的需求,最后为解决国内大模型的军事应用问题,从开展人工智能军事大模型研究和加强算力基础设施建设两个方面给出了建议。 展开更多
关键词 人工智能 大模型 军事应用 算力 基础设施 芯片
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一种采用高阶曲率补偿的带隙基准源
13
作者 黄朝轩 李现坤 魏敬和 《电子技术应用》 2024年第10期7-13,共7页
基于0.18μm BCD工艺,提出了一种具有较低温度系数的高阶曲率补偿带隙基准源。在基本Kuijk带隙基准的结构基础上,利用VBE线性化法来进行高阶曲率补偿,同时保证流过补偿双极晶体管的电流也得到高阶补偿,两次高阶补偿使得带隙基准源的温... 基于0.18μm BCD工艺,提出了一种具有较低温度系数的高阶曲率补偿带隙基准源。在基本Kuijk带隙基准的结构基础上,利用VBE线性化法来进行高阶曲率补偿,同时保证流过补偿双极晶体管的电流也得到高阶补偿,两次高阶补偿使得带隙基准源的温度系数更低。根据仿真结果,该带隙基准电压在-55℃~125℃温度范围内,输出电压的最大压差为0.3766 mV,温度系数为1.762 ppm/℃,低频时电源抑制比(PSRR)为-73.9 dB。该带隙基准源已应用于某一高精度的低压差线性稳压器(LDO)中。 展开更多
关键词 带隙基准源 高阶曲率补偿 温度系数 电源抑制比 VBE线性化
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非对称电阻场板场效应器件击穿特性仿真分析
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作者 姚传建 肖添 +2 位作者 李孝权 何悦 谭开洲 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期293-297,共5页
利用TCAD仿真研究一种二维紧耦合电阻场板电流调制原理下的物理模型与最优化结构。通过优化关键工艺与材料参数,改善器件漂移区尖峰电场,最终在相同漂移区掺杂下击穿电压较一维PN结理论击穿电压提升273%,相同归一化击穿电压10%变化范围... 利用TCAD仿真研究一种二维紧耦合电阻场板电流调制原理下的物理模型与最优化结构。通过优化关键工艺与材料参数,改善器件漂移区尖峰电场,最终在相同漂移区掺杂下击穿电压较一维PN结理论击穿电压提升273%,相同归一化击穿电压10%变化范围下,漂移区电荷变化允许冗余范围比现有传统PN超结拓宽15倍。相较于对称电阻场板场效应器件,在现有工艺下非对称优化电阻场板场效应器件能够更好的实现结构小型化与高密度的设计。 展开更多
关键词 二维紧耦合电阻场板 击穿电压 TCAD
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大气压非平衡等离子体诊断:电场诱导二次谐波
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作者 王博 晋绍珲 +1 位作者 谭昕怡 卢新培 《南昌大学学报(工科版)》 CAS 2024年第1期125-134,共10页
电场诱导二次谐波作为一种非侵入式、时间分辨率高达纳秒甚至飞秒量级的测量方法在大气压非平衡等离子的电场诊断中得到广泛关注。基于二次谐波产生的原理,对其适用性进行了讨论。针对纳秒和飞秒激光器在该应用中的特点,搭建了对应的诊... 电场诱导二次谐波作为一种非侵入式、时间分辨率高达纳秒甚至飞秒量级的测量方法在大气压非平衡等离子的电场诊断中得到广泛关注。基于二次谐波产生的原理,对其适用性进行了讨论。针对纳秒和飞秒激光器在该应用中的特点,搭建了对应的诊断系统。通过使用纳秒激光器测量电场,获得了更高的时间分辨率,并通过平行板电极产生的均匀电场对系统进行标定,获得二次谐波信号强度与电场强度平方的定量关系。基于该定量关系,最终获得大气压等离子体不同位置的瞬态电场。 展开更多
关键词 电场诱导二次谐波 非侵入式 大气压非平衡等离子 纳秒激光器 飞秒激光器
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一种低电流失配的鉴频鉴相器与电荷泵设计
16
作者 沈诗雅 杨俊浩 +1 位作者 张沁枫 魏敬和 《固体电子学研究与进展》 2024年第6期591-597,共7页
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一种低电流失配的鉴频鉴相器和电荷泵。鉴频鉴相器采用改进的边沿触发型结构,D触发器和与门等模块均基于电流模逻辑,能够抑制共模噪声并减小鉴相死区;电荷泵中设计了电流补偿偏置电路,能够减小沟道长... 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一种低电流失配的鉴频鉴相器和电荷泵。鉴频鉴相器采用改进的边沿触发型结构,D触发器和与门等模块均基于电流模逻辑,能够抑制共模噪声并减小鉴相死区;电荷泵中设计了电流补偿偏置电路,能够减小沟道长度调制效应等因素的影响,降低电流失配。通过抑制鉴频鉴相器和电荷泵的上述非理想效应可以降低其造成的相位误差,进而优化锁相环的带内相噪。在典型工艺角下,3.3 V电源电压供电,电荷泵输出电流为3.2 mA时,补偿后0.7~2.8 V电压范围内充放电电流失配度小于1%,鉴频鉴相器和电荷泵电流噪声为-214.199 dBA/Hz@100 kHz。流片测试得到锁相环的相位噪声为-138.34 dBc/Hz@100 kHz,表明设计的鉴频鉴相器和电荷泵具有低电流失配和低带内相位噪声。 展开更多
关键词 电流失配 电流补偿 电荷泵 鉴频鉴相器 锁相环
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一种高性能数控VGA设计
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作者 张瑜 俞阳 +2 位作者 蒋颖丹 吴舒桐 魏敬和 《现代电子技术》 北大核心 2024年第24期8-12,共5页
为了满足高灵敏度、高速接收机的要求,设计一种新型高性能数控可变增益放大器(VGA)。电路模块主要包括前置放大器、增益跨导单元和输出放大器。通过8位增益控制字的最高有效位选通前置放大器,实现高低两段增益调节范围,剩余7位增益控制... 为了满足高灵敏度、高速接收机的要求,设计一种新型高性能数控可变增益放大器(VGA)。电路模块主要包括前置放大器、增益跨导单元和输出放大器。通过8位增益控制字的最高有效位选通前置放大器,实现高低两段增益调节范围,剩余7位增益控制字实现45 dB的增益调节范围。利用SiGe BiCMOS工艺的高截止频率和低谐波特性,结合负反馈法,实现了高线性度。基于电流舵结构设计跨导单元,结合宽带跨阻放大器,实现了宽增益调节范围。采用Cadence软件进行仿真,经过流片验证,实现了-25~20 dB、-11~34 dB两段增益调节范围,以及35.23 dBm OIP3的高性能数控VGA。所设计的增益放大器可用于中频采样接收机、射频/中频增益级、差分ADC驱动等接收前端电路。 展开更多
关键词 可变增益放大器 数控 增益控制 跨导增益 前置放大器 高线性度 最高有效位
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一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO
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作者 唐太龙 刘凡 +1 位作者 廖鹏飞 肖淋洋 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期207-213,共7页
基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益频率(UGF)处上升到一... 基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。 展开更多
关键词 无片外电容低压差线性稳压器 高PSR 衬底波纹注入
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3D IC的热特性分析及预测
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作者 罗山焱 徐学良 +5 位作者 雷生吉 左江渝 张德 陈容 崔伟 陆科 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第4期665-670,共6页
3D IC器件通过三维堆叠技术显著提升了系统的集成度,增加了系统的功率密度,同时也带来了显著的热管理挑战。为了更好地对3D IC器件进行热分析,对3D IC进行结构建模,通过热路分析的方法对最高层芯片温度进行了估计,在此基础上考虑TSV结... 3D IC器件通过三维堆叠技术显著提升了系统的集成度,增加了系统的功率密度,同时也带来了显著的热管理挑战。为了更好地对3D IC器件进行热分析,对3D IC进行结构建模,通过热路分析的方法对最高层芯片温度进行了估计,在此基础上考虑TSV结构及不同TSV截面面积对芯片有源层温度的影响。最后,综合3D IC结构特征和热特性分析方法,基于MATLAB编写了3D IC的温度预测软件,并将该软件与商业COMSOL软件精度和效率对比,该软件优势在于,在满足一定的温度预测精度条件下,支持用户自定义3D IC的重要参数并迅速给出不同层芯片的温度预测和可视化表征,实现对不同的堆叠结构参数的3D IC器件进行快速地温度分析。 展开更多
关键词 硅通孔 3D IC 热特性
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硅基光电探测器空间辐射效应研究进展
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作者 傅婧 付晓君 +2 位作者 魏佳男 张培健 郭安然 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第3期6-12,共7页
硅基光电子技术结合了高集成度的大规模集成电路制造技术与光电子芯片的大带宽、高速率等优势,推动硅基光电器件在高能物理实验、医学影像和高能粒子碰撞器等领域的广泛应用。然而,应用于空间环境和医疗探测器的光电探测器在运行周期中... 硅基光电子技术结合了高集成度的大规模集成电路制造技术与光电子芯片的大带宽、高速率等优势,推动硅基光电器件在高能物理实验、医学影像和高能粒子碰撞器等领域的广泛应用。然而,应用于空间环境和医疗探测器的光电探测器在运行周期中预计会受到~10^(12)particles/cm^(2)的累积注量,而应用于大型粒子对撞机的新型探测器则要经受~10^(14)particles/cm^(2)的辐射注量。本文详细阐述了硅基光电探测器的空间辐射效应研究现状,主要包括不同粒子辐照后硅基光电二极管、雪崩光电二极管、单光子探测器以及光电倍增管等主流光电探测器的辐射效应研究进展。研究结果表明,探测器抗电离总剂量性能较好,位移损伤是导致其关键性能参数退化的主要原因,由于工作原理差异,各类器件在辐射环境中表现出不同退化行为和作用机理。 展开更多
关键词 硅基光电探测器 空间辐射 电离总剂量效应 位移效应 单粒子效应
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